УГЛЕРОДНЫЙ ПОЛИМЕР

Изобретение может быть использовано в нанотехнологии, медицине, электронике и машиностроении. Углеродный полимер содержит гомеотропно ориентированные атомы углерода и выполнен в виде монокристаллической структуры с плотной упаковкой атомов углерода с sp-sp3-гибридизацией. Расстояние между соседними атомами углерода в одной цепочке составляет от 1,21 до 1,37 Å, а расстояние между цепочками - от 3,97 до 5,11 Å. Углеродный полимер получен испарением графита импульсным дуговым разрядом в вакуумной камере, оснащенной основным и двумя дополнительными источниками плазмы. Полученный поток плазмы направляют на подложку. Угол потока плазмы относительно подложки изменяют в зависимости от четности импульса. Получают атомно-гладкую пленку с коэффициентом трения 0,05-0,06, повышенной износо- и задиростойкостью. Углеродный полимер является тромборезистентным биосовместимым материалом. 2 ил., 1 табл.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ НАНОЧАСТИЦ

Изобретение относится к получению полупроводниковых наноматериалов. Сущность изобретения: в способе получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц из соли металла подгруппы цинка, элементного халькогена и органического восстановительного активатора, в качестве органического активатора используют s-алкилизотиурониевые соли. Изобретение обеспечивает расширение ассортимента исходных реагентов, устраняет использование дурнопахнущих реагентов, обеспечивает стабилизацию дисперсной системы. 2 з.п. ф-лы.

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ AlxGayIn1-x-yN, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к полупроводниковым приборам на кристаллической нитридной подложке. Сущность изобретения: кристаллическая подложка из AlxGayIn1-x-yN (0≤х, 0≤у, х+у≤1) (12) имеет главную плоскость (12m) с площадью по меньшей мере 10 см2, в которой упомянутая главная плоскость (12m) имеет внешнюю область (12w), расположенную в пределах 5 мм от внешней периферии упомянутой главной плоскости, и внутреннюю область (12n), соответствующую области, отличной от упомянутой внешней области. Упомянутая внутренняя область (12n) имеет суммарную плотность дислокации, по меньшей мере, 1×102 см-2 и не более 1×106 см-2. Изобретение позволяет получить кристаллическую подложку из AlxGayIn1-x-yN в качестве подложки полупроводникового прибора, которая является большой по размеру и имеет подходящую плотность дислокации, полупроводниковый прибор, содержащий такую кристаллическую подложку, и способ его изготовления. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и снижения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда. В качестве кремнийорганического соединения используют по меньшей мере один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силана (SiH), SiH, SiH, SiF, SiFи других соединений, содержащих кремний. Изобретение позволяет уменьшить дефекты и поверхностную рекомбинацию носителей заряда, повысить время жизни носителей заряда, повысить ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР ПОЛУПРОВОДНИКА

Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано для получения упорядоченного массива наночастиц полупроводников на основе мезапористых твердофазных матриц. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур полупроводника, включающем формирование пористой матрицы из оксидов металлов или неметаллов с последующим осаждением в матрицу полупроводниковых материалов, формирование матрицы осуществляют путем двухстадийного анодного окисления исходного материала матрицы до образования упорядоченно расположенной структуры нанопор, а полупроводник осаждают в матрицу термическим испарением его в вакууме, затем на заполненную матрицу наносят проводящую основу в виде пленки с последующим удалением матрицы. Изобретение обеспечивает повышение технологичности получения упорядоченных массивов полупроводников, как элементарных, так и являющихся химическим соединением, на основе мезапористых твердофазных матриц. Кроме того, появляется ...

ОДНОФОТОННЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ТОЧКИ

Предполагаемая полезная модель относится к области оптоэлектроники, конкретно - к устройствам со стимулированным излучением. Задача предполагаемой полезной модели - повышение эффективности процесса генерации одиночных фотонов. Технический результат достигается за счет использования оксидного кольца (Al,Ga)Ox, задающего токовую и оптическую апертуры и охватывающего активную область на основе слоя GaAs, содержащую одиночную квантовую точку InAs.

УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена ...

КРЕМНИЕВАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА

... 1. Кремниевая эпитаксиальная структура, включающая опорный слой кремния с концентрацией донорной примеси более 1•10 см и рабочий слой кремния с концентрацией донорной примеси менее 1•10 см , отличающаяся тем, что между опорным и рабочими слоями сформированы два дополнительных легированных фосфором слоя, один из которых, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d= 0,5 - 5 мкм и удельное сопротивление ρ= (1 - 50)ρ, второй, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d= (0,5 - 0,9)dи удельное сопpотивление ρ= (0,02 - 2)ρгде d- толщина первого дополнитнльного слоя;ρ- удельное сопротивление первого дополнительного слоя;ρ- удельное сопротивление опорного слоя;d- толщина второго дополнительного слоя;d- расчетная и экспериментальная суммарная глубина диффузии в рабочий слой;ρ- удельное сопротивление второго дополнительного слоя;ρ- удельное сопротивление рабочего слоя.2. Структура по п.10, отличающаяся тем, что первый дополнительный слой сформирован в опорном слое.3. Структура по п.1, отличающаяся ...

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

Способ формирования наноразмерных структур предназначен для получения полосок тонких пленок наноразмерной ширины с целью их исследования и формирования элементов наноэлектромеханических систем (НЭМС).Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования наноразмерных структур, включающем получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась непараллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки.Существуют варианты, в которых заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем ...

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов. Технология способа состоит в следующем: на сапфировой подложке формируют слой нитрида алюминия толщиной 30-50 нм методом реактивного ионно-плазменного распыления с использованием мишени из алюминия в плазме особо чистого азота без добавления аргона, при давлении (3-5)10мм рт.ст. и температуре подложки 200-250°С. Затем пиролитически осаждают слой кремния со скоростью роста пленки 15 нм/с при температуре 1000-1150°С при расходе водорода и силана соответственно 15 л/мин и 50 мл/мин. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела, для формирования активных и пассивных элементов интегральных схем. Сущность изобретения заключается в способе изготовления маски для травления вертикальной полупроводниковой структуры путем нанесения первого слоя материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.) на поверхность подложки. Затем с помощью фотолитографии формируют окошки в виде квадрата или прямоугольника, после чего травят этот слой, затем на этот слой наносят второй слой материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), после чего на поверхность наносят третий слой материала, являющийся маской по отношению к первым двум слоям (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), и с помощью химико-механической полировки удаляют третий слой материала, затем, используя оставшуюся часть третьего слоя как маску, удаляют как первый, так и второй слой материала, потом удаляют третий слой ...

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУМЕРНОГО ФЕРРОМАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА ДИСИЛИЦИДА ГАДОЛИНИЯ СО СТРУКТУРОЙ ИНТЕРКАЛИРОВАННЫХ СЛОЕВ СИЛИЦЕНА

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSiсо структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением P(от 0,1 до менее 1)⋅10Торр или P(от более 1 до 10)⋅10Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до T=350 ÷ менее 400°С или T=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSiкристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. 5 ил., 4 пр.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВАКУУМА С НАНОСТРУКТУРОЙ ЗАДАННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И ДАТЧИК ВАКУУМА НА ЕГО ОСНОВЕ

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO). Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ТОНКОПЛЕНОЧНОГО МНОГОКОМПОНЕНТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА

Использование: для получения тонких многокомпонентных полупроводниковых пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления монокристаллического тонкопленочного многокомпонентного полупроводника, сформированного на диэлектрической монокристаллической подложке, кристаллическая структура которой позволяет получить эпитаксиальный слой полупроводника, включающий нанесение материала полупроводника стехиометрического состава, создание температурных условий, оптимальных для роста требуемой кристаллической структуры, при этом на монокристаллическую диэлектрическую подложку лазерным осаждением наносятся одновременно все компоненты материала полупроводника толщиной в один атомный слой, после чего процесс осаждения останавливается и дается время в течение 2-х минут, чтобы атомы полупроводника заняли на поверхности места в соответствии с кристаллической решеткой, затем процесс повторяется для следующего атомного слоя. Технический результат: обеспечение возможности изготовления на ...

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ФОТОДЕТЕКТОРА

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область ...

НИТРИДНОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Нитридное полупроводниковое устройство, включающее подложку из стабилизированного оксидом иттрия оксида циркония, ниже обозначаемого YSZ, и нитридный полупроводниковый слой, включающий кристалл InN гексагональной системы, причем указанный кристалл InN ориентирован своей с-осью приблизительно вертикально по отношению к плоскости (111) подложки YSZ. 2. Нитридное полупроводниковое устройство по п.1, у которого на плоскости (111) подложки YSZ образована атомная ступенька. 3. Нитридное полупроводниковое устройство, включающее подложку из ZnO, и нитридный полупроводниковый слой, включающий кристалл GaN гексагональной системы, причем указанный кристалл GaN ориентирован своей с-осью приблизительно вертикально по отношению к плоскости (000-1) или плоскости (0001) указанной ZnO подложки. 4. Нитридное полупроводниковое устройство по п.3, в котором на плоскости (000-1) или на плоскости (0001) указанной ZnO подложки образована атомная ступенька. 5. Нитридное полупроводниковое устройство, включающее ...

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ

Полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Цель изобретения - увеличение обнаружительной способности ячеек ФПУ, выполненных на гетероэпитаксиальных полупроводниковых слоях, имеющих дефекты структуры на границе раздела с подложкой, и увеличение рабочей температуры. Для этого в гетероэпитаксиальном слое полупроводника дополнительно формируют p+-слой, расположенный между двумя n+-слоями.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

... 1. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке, включающий нагрев подложки до температуры 950-1400°С в атмосфере Ar и получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление осуществляют из одной поликристаллической мишени карбида кремния.2. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке по п.1, отличающийся тем, что ионно-плазменное магнетронное распыление поликристаллической мишени карбида кремния осуществляют на постоянном токе.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ "ПОЛУПРОВОДНИК-НА-ПОРИСТОМ КРЕМНИИ"

... 1. Способ получения структуры "полупроводник-на-пористом кремнии", включающий анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния р-типа полупроводникового качества, сушку в атмосфере кислорода, удаление с поверхности пористого слоя окиси кремния потоком молекулярного кремния и эпитаксию полупроводника на поверхности пористого слоя, отличающийся тем, что после анодного травления кремниевую подложку с пористым слоем промывают в деионизованной воде, затем подвергают анодному окислению в растворе соляной кислоты и вновь промывают в деионизованной воде, а эпитаксию проводят, используя элементарные полупроводники и полупроводниковые соединения. 2. Способ получения структуры "полупроводник-на-пористом кремнии", включающий анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния р-типа, сушку в атмосфере кислорода, удаление с поверхности пористого слоя окиси кремния потоком молекулярного кремния ...

СТРУКТУРА МНОГОКОМПОНЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК - ПЕРЕХОДНОЙ СЛОЙ ДИЭЛЕКТРИКА - ДИЭЛЕКТРИК

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструированию и созданию различного рода полупроводниковых приборов, требующих определенных электрофизических параметров для межфазных границ полупроводник-диэлектрик. Сущность: структура содержит в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника. При этом химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15Å3. Технический результат: улучшение электрофизических параметров структуры.

Функциональный элемент полупроводникового прибора

Использование: для создания функционального элемента полупроводникового элемента. Сущность изобретения заключается в том, что функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из пластины кристаллического кремния, на которой сформирован покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа, в пластине кремния под нанопленкой сформирован слой, имеющий нанопористую структуру, при этом упомянутая нанопленка является монокристаллической. Технический результат - получение нанокристаллического материала с кристаллической структурой алмазного типа высокого качества. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО НАНОСЕНСОРА КИСЛОРОДА

Изобретение относится к технологии получения кремниевых наноструктур. В способе изготовления кремниевого чувствительного элемента для люминесцентного сенсора кислорода на подложке монокристаллического кремния p-типа проводимости с кристаллографической ориентацией поверхности (100) с удельным сопротивлением от 1 до 10 мОм·см выращивается слой пористых кремниевых нанонитей методом последовательного выдерживания в следующих растворах: вначале в водном растворе нитрата серебра с концентрацией от 0.02 до 0.04 моль/л и плавиковой кислоты с концентрацией 5 моль/л в соотношении 1:1 в течение времени от 30 до 60 с для нанесения наночастиц серебра на поверхность кремниевой пластины, затем в смеси плавиковой кислоты с концентрацией 5 моль/л и 30% перекиси водорода в соотношении 10:1 в течение времени от 20 до 60 мин для образования кремниевых нанонитей в результате химического травления кремниевой пластины в местах, покрытых наночастицами серебра, и в завершении - в 65%-ном растворе азотной кислоты ...

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при температуре 1250°C с последующим наращиванием пленок кремния пиролизом силана в атмосфере водорода при температуре 1000-1030°C в два этапа: сначала выращивают n+-слой кремния, легированный из PH, с концентрацией примеси 10см, со скоростью роста 5 мкм/мин, затем наращивают n-слой кремния, легированный AsH, с концентрацией примеси 4*10см, со скоростью роста 2,3 мкм/мин, с последующим термическим отжигом при температуре 600°C в течение 15 минут в атмосфере водорода. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность ...

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУМЕРНЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ EuGeИ GdGeНА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА

Изобретение относится к технологии получения двумерных ферромагнитных материалов EuGeили GdGe, которые могут быть использованы при создании компактных спинтронных устройств. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGeи GdGeна основе германена заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением P=(0,1÷100)⋅10Торр или гадолиния с давлением P=(0,1÷10)⋅10Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С Подробнее

Способ изготовления полупроводниковой структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ВАКУУМА С ТРЕХМЕРНОЙ ПОРИСТОЙ НАНОСТРУКТУРОЙ И ДАТЧИК ВАКУУМА НА ЕГО ОСНОВЕ

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде трехмерной пористой наноструктуры (SiO)(SnO)(ZnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова и цинка, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO), а также дополнительно вводят хлорид цинка (ZnCl). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности полученного датчика вакуума. 2 н ...

УСТРОЙСТВО НАГРЕВА ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УСТАНОВКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

... 1. Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры, содержащее подложкодержатель и расположенный в камере нагреватель, подключенный к источнику питания токовводами, отличающееся тем, что подложкодержатель установлен в камере, которая снабжена съемной крышкой, при этом подложкодержатель установлен между съемной крышкой и нагревателем. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что камера выполнена теплоизолированной. ! 3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что в камере установлен, по меньшей мере, один теплоотражающий экран. ! 4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что внутренняя поверхность, по меньшей мере, одной стенки камеры выполнена отражающей. ! 5. Устройство по п.2, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна стенка камеры выполнена полой. ! 6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что полость в стенке камеры заполнена теплоизолирующей средой. ! 7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что в качестве теплоизолирующей среды использован воздух. !

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК

Способ нанесения пленок, заключающийся в том, что материал пленки доставляют к поверхности в строго дозированном количестве, отличающийся тем, что на подложку наносят монослой амфифильного соединения, в котором требуемый материал входит в состав полярной головки амфифильной молекулы, полученный монослой подвергают оптическому, химическому или термическому воздействию, приводящему к разрушению связи между фрагментом, из которого формируется пленка, с остальной частью молекулы, причем описанный процесс повторяют до получения требуемого количества монослоев.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

Устройство для атомно-слоевого осаждения тонких пленок из газовой фазы, состоящее из цилиндрической реакционной камеры, внутри которой помещен нагреваемый пьедестал для подложек, системы подачи газообразных реагентов и удаления отработанных газов, блока управления и механизма автоматической загрузки/выгрузки подложек, отличающееся тем, что пьедестал имеет форму поршня, уплотненного относительно реакционной камеры, связанного с механизмом возвратно-поступательного движения с ходом 50-100 мм, выпускное отверстие имеет клапан с компьютерным управлением, согласованным с движением поршня и впускными клапанами, а стенки реакционной камеры имеют тефлоновое покрытие.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР С P-N ПЕРЕХОДОМ

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки инверсии.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК

... 1. Способ получения эпитаксиальных пленок сложного состава, заключающийся в нагреве в вакууме монокристаллических подложек, создании слоя с измененным по отношению к подложке химическим составом и последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что нагрев длительностью до 1 ч проводят в интервале температурной стабильности Т1-Т2, где T1 - нижняя температура образования термодинамически стабильного соединения; а Т2 - температура начала разложения этого соединения. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что формирование слоя в интервале температур T1-Т2 идет по эпитаксиальному механизму. 3.Способ по пп.1, 2, отличающийся тем, что нагрев проводят в печи сопротивления.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИОДНОМЕРНЫХ ПРОВОДЯЩИХ НИТЕЙ

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано, в частности, для создания полупроводниковых приборов СВЧ-диапазона. Технический результат - повышение подвижности основных носителей тока в структуре, содержащей квазиодномерные проводящие нити, за счет подавления примесного рассеяния. Согласно способу, на ступенчатую поверхность полупроводникового кристалла осаждают слой другого полупроводника, в котором формируют цепочки атомов электрически активной примеси, причем полупроводниковую гетеропару подбирают таким образом, чтобы разность работ выхода обеспечивала пространственное разделение каналов основных носителей тока и ионов примеси.

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного оксида, слой аморфного кремния при этом формируют фоторазложением молекул дисилана Si2H6 при воздействии луча эксимерного лазера энергией 140 мДж/импульс, давление в реакционной камере 2,66⋅10-5Па, скорости осаждения из газовой фазы слоя аморфного кремния 3,5 нм/с при расходе дисилана Si2H6 20 см3/мин, температуре подложки 400°С и последующей термообработке при температуре 550°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона. Технический результат: обеспечение возможности снижения дефектности, улучшения технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных приборов. 1 табл.

Способ получения полупроводниковых СВЧ-структур

Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Оптический транзистор

Изобретение относится к оптической обработке информации, в частности к устройствам оптической логики, коммутации и усиления оптических сигналов с помощью полупроводниковых структур. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей оптического транзистора за счет получения характеристик бистабильности и дифференциального усиления повышенной крутизны. Новым в оптическом транзисторе является сочетание по крайней мере двух совместно работающих бистабильных ячеек, одна из которых выполнена в крайней мере двух полупроводниковых лазеров в общем нелинейном кольцевом резонаторе, а другая ячейка - в виде оптически связанных .полоскового световода и указанного нетя- нейного кольцевого резонатора. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Способ осаждения слоев теллурида цинка

... 1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА'из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейся ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, 'из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и вьщержку при постоянной температуре, последующую эпи- таксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков раст-. ворителя, отличающийся тем, что, с целью получения •. фоточувствительных самолегированных монокристаллических слоев теллурида цинка и упрощения технологического процесса, слой осаждают в ампуле из раствора в расплаве соли - галогени- да цинка и осажденный слой освобождают от растворителя промывкой в дистиллированной воде или спирте.2. Способ поп.1,отличаю- щ и и с я тем, что температура раствора-расплава при осаждений 400- 65.0° С.(Лась 1CСП СПо се ...

GETTER PUMPMODELL UND SYSTEM

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DOTIERTEN HALBLEITERSCHICHTEN

Halbleiteranordnung auf Basis von Gallium-Nitrid und Verfahren zur Herstellung

Halbleitersubstrat und Verfahren zum Fertigen von diesem

Ein Halbleitersubstrat umfasst eine erste Materialschicht, die aus einem ersten Material gefertigt ist und mehrere Vorsprünge umfasst, und eine zweite Materialschicht, die aus einem zweiten Material, das von dem ersten Material verschieden ist, gefertigt ist und Räume zwischen den mehreren Vorsprüngen füllt und die mehreren Vorsprünge abdeckt. Jeder der Vorsprünge umfasst eine Spitze und mehrere Flächen, die an der Spitze zusammenlaufen, und benachbarte Flächen benachbarter Vorsprünge stehen miteinander in Kontakt.

Verfahren zur Behandlung einer durch Epitaxie hergestellten Oberfläche eines SiC-Halbleiterkörpers und danach hergestellten Schottkykontakt

The invention relates to a method for treating a surface of an SiC semiconductor body (1, 2) produced by epitaxy. According to said method, the parts (4) of the epitactic layer (2) that are deposited in the final phase of the epitaxy are removed by etching and a wet chemical treatment is then carried out in order to remove a thin natural oxide on the surface. Alternatively, a metal layer (5) configured as a Schottky contact and/or as an ohmic contact can also be applied to the surface immediately after the removal process.

Herstellung eines elektronischen Bauteiles unter Verwendung eines Schrittes zur Strukturerzeugung

HERSTELLUNGSVERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINES SELBSTAUSRICHTENDEN KONTAKTFENSTERS UND EINER VERBINDUNG IN EINER EPITAKTISCHEN SCHICHT UND BAUELEMENTSTRUKTUREN, DIE DIESES VERFAHREN VERWENDEN.

Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor

Single transistor V=shaped MOS memory cell - using sapphire or beryllium oxide substrate for epitaxial silicon layer contg. pn junctions

The cell has an inorganic, insulating substrate (1) covered by a zone (2) of one conductivity type (a) and an epitaxial monocrystalline semiconducting layer (3) of opposite conductivity (b); layer (3) contain zone (2) and also a separate upper zone (4) of conductivity (a). In layer (3) is a V-groove (V) penetrating right through zone (4) and at least reaching zone (2). In groove (V) is a layer (V1) of insulating material, covered by a gate electrode (G) for the capacitative steering of the two pn junctions. Substrate (1) is pref. sapphire or monocrystalline BeO, whereas layer (3) is Si with a surface coinciding with a (100) plane. Groove (V) is pref. an inverted quadratic pyramid made using square holes in an etching mask. MOS memories with a very high packing density are obtd.

Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung

POLYSILICIUM-DÜNNFILM-VERFAHREN

Verfahren zum Herstellen einer rotationsinduzierten Übergitterstruktur

Verfahren zur Herstellung von Hexahydropyrimidinderivaten

Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Schichten mit grobkristallinem Aufbau für Dünnschichthalbleiterbauelemente wie Solarzellen.

HALBLEITERBAUELEMENT MIT DIELEKTRISCHEN ODER HALBISOLIERENDEN ABSCHIRMSTRUKTUREN

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MONOKRISTALLINEN SCHICHTEN

VERFAHREN ZUR JUSTIERUNG VON FOTOSCHABLONEN BEI EPITAXIE-PLANARBAUELEMENTEN

ÜBERTRAGUNG EINER DÜNNEN SCHICHT VON EINER SCHEIBE MIT EINER PUFFERSCHICHT

Das Integrieren VLSI-kompatibler Rippen-Strukturen mit selektivem Epitaxialwachstum und das Fertigen von Vorrichtungen darauf

Unterschiedliche n- und p-Typen von Vorrichtungs-Rippen werden durch epitaxiales Wachsenlassen erster Epitaxialbereiche eines Materials eines ersten Typs aus einer Substratoberfläche an einer Unterseite von ersten Gräben ausgebildet, die zwischen flachen-Grabenisolations(STI)-Bereichen ausgebildet sind. Die STI-Bereiche und erste-Graben-Höhen sind mindestens 1,5 mal deren Breite. Die STI-Bereiche werden weggeätzt, um die obere Fläche des Substrats zur Ausbildung von zweiten Gräben zwischen den ersten Epitaxialbereichen freizulegen. Eine Abstandsmaterialschicht ist in den zweiten Gräben auf Seitenwänden der ersten Epitaxialbereiche ausgebildet. Zweite Epitaxialbereiche eines Materials eines zweiten Typs werden aus der Substratoberfläche an einer Unterseite der zweiten Gräben zwischen den ersten Epitaxialbereichen wachsen gelassen. N- und p-Typ-Rippen-Paare können aus dem ersten und zweiten Epitaxialbereich gebildet werden. Die Rippen werden miteinbezogen und weisen verminderte Defekte aus ...

Verfahren zum Ausbilden einer dotierten Verbindungshalbleitereinkristallschicht

Verfahren zur Herstellung von epitaktischem Siliciumwafer

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumwafers zur Verfügung gestellt, das eine ausgezeichnete Produktivität besitzt und die Ausbildung einer Rückseitentrübung in aufeinanderfolgenden Epitaxiewachstumsprozeduren zur Einzelwafer-Bearbeitung an einer Vielzahl von Siliciumwafern ohne Reinigung einer Prozesskammer nach jeder Epitaxiewachstumsprozedur verhindert. Das Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumwafers schließt ein: einen Schritt, in dem ein Siliciumwafer zugeführt wird; einen Schritt, in dem eine Siliciumepitaxieschicht ausgebildet wird; einen Schritt, in dem der Siliciumwafer entnommen wird; und einen Reinigungsschritt. Der Reinigungsschritt wird vor und nach Wiederholen für eine vorher festgelegte Zahl von Malen einer Reihe von Wachstumsprozeduren, die den Schritt der Zuführung des Siliciumwafers, den Schritt der Ausbildung der Siliciumepitaxieschicht und den Schritt der Entnahme des Siliciumwafers einschließen, durchgeführt.

TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENMOBILITAET.

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON SOLARZELLEN SOWIE SPIEGELOFEN ZUR DURCHFUEHRUNG DES VERFAHRENS

In a process for manufacturing solar cells of enhanced efficiency from polycrystalline silicon, the quality of the semiconductor material inside a covering layer is improved by partial melting followed by solidification of the covering layer. A large area of the covering layer is melted by means of a highly uniform temperature field produced, for example, by a special mirror oven.

Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnungen

HERSTELLUNG VON GALLIUMNITRID-SCHICHTEN MITTELS LATERALEM KRISTALLWACHSTUM

Spannungs- und defektfreie fehlangepasste Epitaxialheterostrukturen und deren Herstellungsverfahren.

Vorrichtung mit einer Oxidschicht auf GaN und Verfahren zur Herstellung

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

Production of relaxed semiconductor layer on semiconductor substrate used in production of high frequency circuits comprises roughening surface of substrate by dry etching, and forming semiconductor layer on surface

Production of a relaxed semiconductor layer on a semiconductor substrate comprises preparing the substrate with a surface, roughening the surface of the substrate by dry etching to form a roughened surface, and forming the semiconductor layer on the roughened surface.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON EINER DÜNNSCHICHT AUF EINEM TRÄGER

Halbleiterlaser

Verfahren zur Herstellung einer einkristalliner Schicht

Verwendung eines Scheibenlasers zur Kristallisation von Siliziumschichten

Verfahren zum Bilden von defektarmen gestreckt-relaxierten Schichten auf gitterfehlangepassten Substraten und entsprechende Halbleitervorrichtungsstrukturen und Vorrichtungen

Verfahren zum Bilden von gestreckt-relaxierten Halbleiterschichten werden gezeigt, in denen ein poröser Bereich in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats gebildet wird. Eine erste Halbleiterschicht, die mit dem Halbleitersubstrat gitterangepasst ist, wird auf dem porösen Bereich gebildet. Eine zweite Halbleiterschicht wird auf der ersten Halbleiterschicht gebildet, wobei die zweite Halbleiterschicht eine gestreckt gebildete Schicht ist. Die zweite Halbleiterschicht wird dann relaxiert.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MESSFUEHLERN MIT PIEZORESISTIVEN WIDERSTAENDEN

VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER EPITAKTISCHEN GERMANIUMSCHICHT

HALBLEITERANORDNUNG

MITINTEGRIERTER HALBLEITERUEBERGANG NIEDRIGER DURCHBRUCHSSPANNUNG ALS SCHUTZELEMENT

Light emitting diode with interfacial layer and sharp p-n junction

The light emitting diode has a buffer layer and interfacial layer formed respectively on the substrate. On the interfacial layer an n-type layer, active region, p-type layer and two electrical contacts are formed respectively. One of the electrical contact layers is connected to the n-type layer and the other is connected to the p-type layer.

Laserbestrahlungsgerät

SILIZIUMWAFER MIT MONOLITHISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN KOMPONENTEN

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER GROSSEN EINKRISTALL-HALBLEITERANORDNUNG UND NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE KRISTALL-HALBLEITERANORDNUNG

Verfahren zur Herstellung eines Kontaktierungsbereichs auf einem strukturierten Halbleiterkörper

METHOD OF BONDING CRYSTALLINE SILICON BODIES

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING AT LEAST ONE SILICUM LAYER DEPOSITED ON AN ISOLATING SUBSTRATE

Einkristall Galliumnitridsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung

Stacked semiconductor device with high bonding precision - includes semiconductor substrates bonded together by moderate temp. heat treatment

The stacked semiconductor device comprises one of the following structures: (i) a Si layer (58) on a main surface of a 1st semiconductor substrate (51), a refractory metal silicide layer (62) on a main surface of the Si layer (58) and a 2nd semiconductor substrate (59) with a main surface bonded to the silicide layer surface; (ii) a double layer (58, 62) with a Si section and a refractory metal silicide section on the same main surface or a semiconductor substrate (51), an insulation layer (57) on the double layer (58, 62) and a device layer with one or more electronic elements on the insulation layer (57); or (iii) a double layer (58, 62) with a Si section and a silicon nitride section on the same main surface of a semiconductor substrate (51), an insulation layer (57) on the double layer (58, 62) and a device layer with one or more electronic elements on the insulation layer (57). ADVANTAGE - Two semiconductor substrates can be bonded together (e.g. to form a CMOSFET) with high precision ...

Verfahren zur Herstellung eines Koerpers mit einem UEbergang zwischen zwei verschiedenen Materialien,insbesondere Halbleitermaterialien und durch dieses Verfahren hergestellte Koerper

Gruppe III-Nitridschichten mit strukturierten Oberflächen

Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats

Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms

Vorrichtung (50) zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat (64), mit: – einer Kammer (52) mit einem Gaseinlass (54); – einer in der Kammer (52) angeordneten oberen Elektrode (58) mit einer Anzahl von Düsen (60); und – einer unteren Elektrode (62) in der Kammer (52) zum Tragen des Substrats (64), wobei die untere Elektrode (62) von der oberen Elektrode (58) in einer vertikalen Richtung beabstandet ist; gekennzeichnet durch – eine Selektions-Einlassplatte (70) mit zumindest einem ersten und einem zweiten Einlassloch (72, 74), die jeweils über unterschiedlichen Bereichen der oberen Elektrode (58) angeordnet sind, – ein Selektions-Einlassventil (76) zum selektiven Öffnen des zumindest einen ersten oder des zumindest einen zweiten Einlassloches (72, 74), sodass durch den Gaseinlass (54) zugeführtes Gas verschiedenen Bereichen der oberen Elektrode (58) zuführbar ist, wobei – das selektive Öffnen durch Verschiebung des Selektions-Einlassventils (76) in vertikaler Richtung erfolgt.

Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors

Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben

Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat (1, 41, 42) und eine Halbleiterschicht (3, 31, 43). Das Halbleitersubstrat (1, 41, 42) hat als Hauptfläche (1a) eine Si{100}-Fläche. Das Substrat (1, 41, 42) hat einen Graben (2, 50) in der Hauptfläche (1a). Die Halbleiterschicht (3, 31, 43) ist auf Flächen angeordnet, die den Graben (2, 50) definieren, um gemeinsame kristallographische Ebenen mit dem Halbleitersubstrat (1, 41, 42) aufzuweisen. Der Graben (2, 50) wird durch eine Bodenfläche (2c, 50c), zwei einander gegenüberliegende lange Seitenwandflächen (2a, 50a) und zwei einander gegenüberliegende kurze Seitenwandflächen (2b, 50b) definiert. Die Bodenfläche (2c, 50c) und die langen Seitenwandflächen (2a, 50a) sind Si{100}-Flächen.

III-V Halbleiter und Verfahren zur seiner Herstellung

III-V Halbleiter, umfassend mindestens ein Substrat, eine Pufferschicht der allgemeinen Formel InuGavAlwN (wobei 0 ≤ u ≤ 1,0 ≤ v ≤ 1,0 ≤ w ≤ 1, u + v + w = 1) und eine III-V Halbleiterkristallschicht der allgemeinen Formel InxGayAlzN (wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1) in dieser Reihenfolge, wobei die Pufferschicht eine Dicke von 5 Å oder mehr und 90 Å oder weniger aufweist.

Lichtemittierende Vorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung und LED-Lampe, bei der die Vorrichtung verwendet wird

Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung weist ein Substrat (1), eine Halbleiterschicht (3) und eine lichtemittierende Schicht (5) auf, und das Substrat ist an einer seiner Flächen unter der Halbleiterschicht mit einer unregelmäßigen Konstruktion versehen, die geneigte laterale Flächen aufweist, welche einen im Bereich von 30° < < 60° liegenden Winkel zum Substrat bilden, um eine lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen, deren Lichtabstrahlungsfähigkeit erhöht ist.

Epitaxialstruktur für eine lichtemittierende GaP-Diode

Ultrafeine Teilchenstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften, die über einem kristallinen Vollsubstrat angeordnet sind und damit hergestelltes Halbleiterbauelement

Verfahren mit: Bilden einer ersten kristallinen Halbleiterschicht mit einer ersten Eigenschaft, die eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert, auf einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht mit einer zweiten Eigenschaft, die eine kristallographische Orientierung und/oder eine Halbleitermaterialart und/oder eine intrinsische Verformung repräsentiert, wobei die erste Eigenschaft sich von der zweiten Eigenschaft unterscheidet; Bilden einer Öffnung in der ersten kristallinen Halbleiterschicht derart, dass ein Bereich der zweiten kristallinen Halbleiterschicht freigelegt wird; Bilden von Seitenwandabstandselementen an Seitenwänden der Öffnung, um freigelegte Bereiche der ersten kristallinen Halbleiterschicht abzudecken; epitaktisches Wachsen eines kristallinen Halbleitermaterials in der Öffnung, wobei der freigelegte Bereich der zweiten kristallinen Halbleiterschicht als eine Wachstumsschablone verwendet wird ...