Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 9. Отображено 9.
27-06-2006 дата публикации

СТРУКТУРА МНОГОКОМПОНЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК - ПЕРЕХОДНОЙ СЛОЙ ДИЭЛЕКТРИКА - ДИЭЛЕКТРИК

Номер: SU1840166A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Егоркин Владимир Васильевич (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструированию и созданию различного рода полупроводниковых приборов, требующих определенных электрофизических параметров для межфазных границ полупроводник-диэлектрик. Сущность: структура содержит в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника. При этом химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15Å3. Технический результат: улучшение электрофизических параметров структуры.

Подробнее
Номер записи: 1
20-08-2006 дата публикации

ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ

Номер: SU1840205A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Лаврищев Вадим Петрович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-приборов. Сущность: электролит содержит аммоний надсернокислый, глицерин, углерод четыреххлористый и диметилформамид. Кроме того, электролит дополнительно содержит воду при следующих соотношениях ингредиентов вес.%: вода 0,1-1,0, аммоний надсернокислый 0,3-3,0, углерод четыреххлористый 5,0-15,0, глицерин 55,0-70,0, диметилформамид - остальное. Технический результат: повышение воспроизводимости электрофизических параметров границы раздела антимонид индия - анодный окисел. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 2
10-08-2006 дата публикации

СПОСОБ СОЗДАНИЯ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУРИД

Номер: SU1840192A1
Автор: Дрозд Виктор Евгеньевич (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Алехин Анатолий Павлович (RU), Варламов Олег Игоревич (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии создания многоэлементных МДП-приборов на полупроводнике кадмий-ртуть-теллурид. Сущность: способ включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка. При этом слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст. и выдержке не менее 0,1 с. Технический результат: повышение стабильности характеристик структуры.

Подробнее
Номер записи: 3
10-08-2006 дата публикации

ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ А3В5

Номер: SU1840187A1
Автор: Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Кандыба Петр Ефимович (RU), Гонтарь Виктор Михайлович (RU), Бахтин Петр Александрович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании интегральных схем на полупроводниках А3В5. Сущность: электролит содержит диметилформамид, персульфат аммония и глицерин. Кроме того, он дополнительно содержит галогеносодержащую соль аммония, а именно фтористый аммоний или хлористый аммоний, при следующем соотношении ингредиентов, вес.%: диметилформамид 50-80, персульфат аммония 0,3-0,5, галогеносодержащая соль аммония 0,0001-0,1, глицерин - остальное. Технический результат: уменьшение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - анодный окисел.

Подробнее
Номер записи: 4
20-08-2006 дата публикации

СПОСОБ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АIIIВV

Номер: SU1840206A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV. Сущность: способ осуществляется путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием. При этом полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита. Полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут. Затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе. Полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 2-5 мА/см2 в течение 5-10 мин. Затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при токе 1-3 мА/см2 в течение 3-5 минут. Технический результат: улучшение электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел. 2 з.п. ф-лы, 2 табл.

Подробнее
Номер записи: 5
27-06-2006 дата публикации

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ МДП СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ

Номер: SU1840172A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Белотелов Сергей Владимирович (RU), Солдак Татьяна Анатольевна (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов. Сущность: способ включает погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку, и подачу на пластину электрического напряжения. При этом в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%. После анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит, содержащий то же количество органического растворителя и электропроводящего компонента, что и первый, и проводят анодирование. При этом анодирование в обоих электролитах осуществляют до одинакового напряжения. Технический результат: снижение величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках 3 ил.

Подробнее
Номер записи: 6
20-08-2006 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК ТИПА АIIВVI

Номер: SU1840208A1
Автор: Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Васенков Александр Анатольевич (RU), Алехин Анатолий Павлович (RU), Чегнова Ольга Ивановна (RU), Чегнов Владимир Петрович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник. Сущность: способ включает анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины. При этом перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АIIBVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного слоя. Технический результат: улучшение качества структур. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 7
20-08-2006 дата публикации

СПОСОБ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН В ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИХ ЭЛЕКТРОЛИТАХ

Номер: SU1840203A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU), Лаврищев Вадим Петрович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение в технологии МДП-приборов, в частности многоэлементных приемников на узкозонных полупроводниках типа АIIIВV. Сущность: способ осуществляется путем подачи положительного напряжения на окисляемую пластину. Перед подачей напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый радикал. Отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют. Отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в течение всего процесса окисления и этот электрод располагают на расстоянии 5-10 мм от пластины. Технический результат: повышение качества окисления. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 8
20-08-2006 дата публикации

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ AIIIBV

Номер: SU1840204A1
Автор: Алехин Анатолий Павлович (RU), Емельянов Аркадий Владимирович (RU)
Принадлежит:

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV. Сущность: способ осуществляется путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит. При этом полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый их которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5 -10 В меньше заданной, а второй - на 0,5-10 В больше заданной. Для МДП-структур на основе InSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%: аммоний надсернокислый 1-3, глицерин 30-70, диметилформамид - остальное. Анодное окисление проводят в квазивольтстатическом режиме, а в качестве второго электролита используют электролит состава, вес.%: кислота пирофосфорная 0,3-3,0, углерод четыреххлористый 5-15, ацетонитрил - остальное. Технический результат: получение диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом.

Подробнее
Номер записи: 9