23-12-1984 дата публикации
Номер: SU625509A1
1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА'из раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии в закрытой откачанной качающейс ампуле, включающий загрузку в ампулу подложки и вещества, 'из расплава которого производ т осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворени и вьщержку при посто нной температуре, последующую эпи- таксию в процессе понижени температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков раст-. ворител , отличающийс тем, что, с целью получени •. фоточувствительных самолегированных монокристаллических слоев теллурида цинка и упрощени технологического процесса, слой осаждают в ампуле из раствора в расплаве соли - галогени- да цинка и осажденный слой освобождают от растворител промывкой в дистиллированной воде или спирте.2. Способ поп.1,отличаю- щ и и с тем, что температура раствора-расплава при осаждений 400- 65.0° С.(Лась 1CСП СПо се 1. METHOD OF DEPOSITION OF ZINCA TELLURID LAYERS 'from a solution-melt by liquid epitaxy in a closed pumped-out ampoule, including loading the substrate and substances from the melt, which are deposited, pumped out and sealed off the ampoule, heating it to the dissolving temperature and holding it constant temperature, subsequent epitaxy in the process of lowering the temperature at a certain speed, draining the solution from the substrate and freeing the substrate with a layer of residual rasters. The investor, characterized in that, in order to obtain. photosensitive self-deposited monocrystalline layers of zinc telluride and simplification of the technological process; a layer is deposited in an ampoule from a solution in a molten salt of zinc halide and the precipitated layer is freed from the solvent by washing in distilled water or alcohol. The method of pop. 1, which differs from the fact that the temperature of the solution-melt during precipitations is 400-65.0 ° C. (Las 1CC
Подробнее
