Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 8. Отображено 8.
19-08-2020 дата публикации

ОДНОФОТОННЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ТОЧКИ

Номер: RU199159U1
Автор: Солодовник Максим Сергеевич (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Агеев Олег Алексеевич (RU), Еременко Михаил Михайлович (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU)
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU)

Предполагаемая полезная модель относится к области оптоэлектроники, конкретно - к устройствам со стимулированным излучением. Задача предполагаемой полезной модели - повышение эффективности процесса генерации одиночных фотонов. Технический результат достигается за счет использования оксидного кольца (Al,Ga)Ox, задающего токовую и оптическую апертуры и охватывающего активную область на основе слоя GaAs, содержащую одиночную квантовую точку InAs.

Подробнее
Номер записи: 1
16-03-2022 дата публикации

Способ независимого управления размерами полупроводниковых квантовых точек А3В5

Номер: RU2766832C1
Автор: Солодовник Максим Сергеевич (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Еременко Михаил Михайлович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (RU)

Предлагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Технический результат предлагаемого способа – независимое управление размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5. Для управления размерами квантовых точек используется метод капельной эпитаксии, в котором формирующиеся на первом этапе металлические капли In под воздействием фонового давления As изменяют свой размер независимо от их плотности, который зависит от величины фонового давления, определяя тем самым конечный размер полупроводниковых квантовых точек InAs после их кристаллизации. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 2
30-01-2020 дата публикации

ФОТОДЕТЕКТОР БЛИЖНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА

Номер: RU195508U1
Автор: Агеев Олег Алексеевич (RU), Солодовник Максим Сергеевич (RU), Еременко Михаил Михайлович (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU)
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU)

Предполагаемая полезная модель относится к области оптоэлектроники, конкретно - к устройствам со стимулированным излучением. Задача предполагаемой полезной модели - усиление поглощения оптического излучения и повышение эффективности фотодетектора. Технический результат достигается тем, что в известном устройстве фотодетектора фоточувствительный слой состоит из широкозонного полупроводника GaAs, содержащего квантовую яму из узкозонного полупроводника InGaAs, поверхность которого декорирована массивом неупорядоченных металлических наночастиц, выполненных из Ga, определенного диаметра и плотности, совокупность характеристик которых обеспечивает необходимую резонансную частоту поглощения оптического излучения. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 3
22-06-2021 дата публикации

ФОТОДЕТЕКТОР БЛИЖНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА

Номер: RU204984U1
Автор: Еременко Михаил Михайлович (RU), Солодовник Максим Сергеевич (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (RU)

Предполагаемая полезная модель относится к области оптоэлектроники, конкретно - к устройствам со стимулированным излучением. Задача предполагаемой полезной модели - снижение размеров и, как следствие, стоимости отдельного элемента фотодетектора. Технический результат достигается тем, что в известном устройстве фотодетектора полупроводниковый фоточувствительный слой состоит из широкозонного слоя AlGaAs, а массив металлических наночастиц определенного диаметра и плотности выполнен из In и равномерно, с одинаковым шагом, упорядочен в плоскости подложки, совокупность характеристик которых обеспечивает необходимую резонансную частоту поглощения оптического излучения. 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 4
22-03-2024 дата публикации

Способ создания регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки

Номер: RU2815854C1
Автор: Солодовник Максим Сергеевич (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Шандыба Никита Андреевич (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Кириченко Данил Владимирович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (RU)

Изобретение относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использовано при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Способ создания регулярных симметричных наноразмерных углублений на поверхности полупроводниковой подложки заключается в том, что на полупроводниковой подложке методом фокусированных ионных пучков формируют первичные наноразмерные углубления, затем проводят высокотемпературный отжиг полупроводниковой подложки с первичными наноразмерными углублениями, в ходе которого сформированные первичные наноразмерные углубления приобретают симметричную форму пирамиды, ограненную кристаллографическими плоскостями с одной вершиной, а также устраняются генерируемые фокусированным ионным пучком в полупроводниковой подложке радиационные дефекты и восстанавливается кристаллическая структура материала подложки в области наноразмерных углублений. Изобретение обеспечивает возможность формирования регулярных симметричных ограненных ...

Подробнее
Номер записи: 5
14-10-2024 дата публикации

Способ формирования симметричных квантовых точек

Номер: RU2828622C1
Автор: Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Солодовник Максим Сергеевич (RU), Кириченко Данил Владимирович (RU), Крыжановская Наталья Владимировна (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (RU)

Предполагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Способ формирования симметричных квантовых точек заключается в том, что сначала на поверхности полупроводниковой подложки с технологичной ориентацией (100) формируются однородные симметричные углубления в форме перевернутой пирамиды за счет анизотропного локального капельного травления, затем осуществляется селективное формирование квантовых точек путем осаждения твердого раствора замещения переменного состава (In,Al)xGa1-xAs на поверхность с углублениями, в результате чего происходит диффузионный распад твердого раствора замещения в углублении за счет различной диффузионной длины компонентов материала квантовой ямы, вследствие чего в углублениях происходит селективное самосогласованное формирование симметричные квантовых точек. Технический результат – формирование симметричных квантовых точек ...

Подробнее
Номер записи: 6
01-06-2021 дата публикации

Способ получения регулярных массивов квантовых точек

Номер: RU2748938C1
Автор: Еременко Михаил Михайлович (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Солодовник Максим Сергеевич (RU), Агеев Олег Алексеевич (RU)
Принадлежит: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) (RU)

Изобретение относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использовано при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Способ получения регулярного массива квантовых точек включает использование подложки с центрами зарождения, управляемое формирование центров зарождения, селективное формирование квантовых точек, при этом для формирования центров зарождения используется метод фотолитографии, в качестве центров зарождения используются углубления, формируется буферный слой, отделяющий подложку и квантовые точки. Изобретение обеспечивает возможность формирования регулярных массивов квантовых точек с высоким структурным совершенством и управления положением центров зарождения путем управляемого, с помощью метода фотолитографии, создания центров зарождения в виде углублений и осаждения буферного слоя, отделяющего подложку и квантовые точки. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 7
26-05-2025 дата публикации

Способ формирования низкоплотных массивов квантовых точек

Номер: RU2840638C1
Автор: Солодовник Максим Сергеевич (RU), Кириченко Данил Владимирович (RU), Балакирев Сергей Вячеславович (RU), Ерёменко Михаил Михайлович (RU), Черненко Наталия Евгеньевна (RU), Духан Денис Дмитриевич (RU), Шандыба Никита Андреевич (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (RU)

Предлагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники. Способ формирования низкоплотных массивов квантовых точек, заключающийся в том, что на поверхности полупроводниковой подложки GaAs формируют низкоплотный массив симметричных наноразмерных углублений в форме обратной пирамиды путем контролируемого термического разложения поверхности с последующим осаждением тонкого буферного слоя широкозонного полупроводника GaAs, затем на поверхность полупроводниковой подложки осаждают материал квантовых точек InAs докритической толщины, в результате чего происходит селективное формирование низкоплотных квантовых точек в полученных наноразмерных углублениях. Технический результат – обеспечивается низкая плотность и высокая селективность формирования массива квантовых точек InAs на поверхности полупроводниковой подложки. 3 ил.

Подробнее
Номер записи: 8