Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
08-04-2014 дата публикации

Superfilled metal contact vias for semiconductor devices

Номер: US0008691687B2
Автор: James J. Kelly, Veeraghavan S. Basker, Bala S. Haran, Soon-Cheon Seo, Tuan A. Vo, KELLY JAMES J, BASKER VEERAGHAVAN S, HARAN BALA S, SEO SOON-CHEON, VO TUAN A, KELLY JAMES J., BASKER VEERAGHAVAN S., HARAN BALA S., VO TUAN A.
Принадлежит: International Business Machines Corporation, KELLY JAMES J, BASKER VEERAGHAVAN S, HARAN BALA S, SEO SOON-CHEON, VO TUAN A, IBM, KELLY JAMES J., BASKER VEERAGHAVAN S., HARAN BALA S., VO TUAN A., INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

In accordance with one aspect of the invention, a method is provided for fabricating a semiconductor element having a contact via. In such method, a hole can be formed in a dielectric layer to at least partially expose a region including at least one of semiconductor or conductive material. A seed layer can be deposited over a major surface of the dielectric layer and over a surface within the hole. In one embodiment, the seed layer can include a metal selected from the group consisting of iridium, osmium, palladium, platinum, rhodium, and ruthenium. A layer consisting essentially of cobalt can be electroplated over the seed layer within the hole to form a contact via in electrically conductive communication with the region.

Подробнее
Номер записи: 1
07-07-2011 дата публикации

SUPERFILLED METAL CONTACT VIAS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер: US20110163449A1
Автор: James J. Kelly, Veeraghavan S. Basker, Bala S. Haran, Soon-Cheon Seo, Tuan A. Vo, KELLY JAMES J, BASKER VEERAGHAVAN S, HARAN BALA S, SEO SOON-CHEON, VO TUAN A, KELLY JAMES J., BASKER VEERAGHAVAN S., HARAN BALA S., VO TUAN A.
Принадлежит: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

In accordance with one aspect of the invention, a method is provided for fabricating a semiconductor element having a contact via. In such method, a hole can be formed in a dielectric layer to at least partially expose a region including at least one of semiconductor or conductive material. A seed layer can be deposited over a major surface of the dielectric layer and over a surface within the hole. In one embodiment, the seed layer can include a metal selected from the group consisting of iridium, osmium, palladium, platinum, rhodium, and ruthenium. A layer consisting essentially of cobalt can be electroplated over the seed layer within the hole to form a contact via in electrically conductive communication with the region.

Подробнее
Номер записи: 2