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21-01-2016 дата публикации

MULTI-COLUMN TYPE WIND TURBINE TOWER AND CONSTRUCTION METHOD THEREOF

Номер: KR101583704B1
Автор: CHUNG, KU SANG, YOON, JAH GEOL, PARK, TAE KWUN, KWON, HYO CHAN, HWANG, KYU TAE
Принадлежит: DAELIM INDUSTRIAL CO., LTD.

The present invention relates to a multi-column type wind turbine tower and a construction method thereof, which can improve economic feasibility by differentiating the number of a column member arranged in an upper portion and a lower portion to be suitable for a lateral force and a bending moment which are applied to a wind turbine tower, simultaneously improve ease of transportation by connecting and coupling a plurality of column members in a vertical direction, and has a configuration to increase rigidity through integration by connecting and reinforcing a gap between the column members with a horizontal coupling frame. COPYRIGHT KIPO 2016 (BB) Low floor portion (AA) High floor portion ...

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Номер записи: 1
13-11-2015 дата публикации

ALARM METHOD FOR TELEMATICS TERMINAL AND APPARATUS THEREOF

Номер: KR0101569017B1
Автор: 장유정, 황규태, 최준호, 김일완, 박혜연
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 발명은 운전자의 졸음 운전을 방지할 수 있는 텔레매틱스 단말기의 경보 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 텔레매틱스 단말기의 경보 방법은 주행 경로 상에서 직선 도로 또는 상기 직선 도로와 유사한 도로를 검출하는 단계와; 상기 검출된 도로가 미리설정된 거리 이상일 때 상기 검출된 도로를 졸음 운전 추정 구간으로 결정하는 단계와; 차량의 현재 위치가 상기 졸음 운전 추정 구간에 존재할 때 경고하는 단계로 이루어진다.

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Номер записи: 2
12-01-2017 дата публикации

REPELLER FOR ION IMPLANTER, CATHODE, CHAMBER WALL, SLIT MEMBER, AND ION GENERATING DEVICE COMPRISING SAME

Номер: WO2017007138A1
Автор: HWANG, Kyou Tae, LIM, Kyoung Tae, KIM, Sung Kyun
Принадлежит:

The present invention relates to a repeller for an ion implanter and an ion generating device comprising the same. According to the preset invention, it is possible to provide a part for an ion implanter and an ion generating device comprising the same, wherein a part such as a repeller, a cathode, a chamber wall, or a slit member, which constitutes an arc chamber of an ion generating device for ion implantation that is used to manufacture a semiconductor element, is provided with a semi-carbide layer-including coating structure for the purpose of thermal deformation stabilization, for the purpose of wear protection, or for the purpose of deposited material peeling resistance, thereby enabling a precise ion implantation process having no distortion of the ion generating position and no distortion of the equipment, and electrons can be evenly reflected into the arc chamber such that, by increasing the uniformity of the plasma, not only the efficiency of decomposition of the ion source gas ...

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Номер записи: 3
05-01-2021 дата публикации

Band for Restricting and Releasing Wrist for medical treatment

Номер: KR102198364B1
Автор: 이경철, 모하마드 파이즈 빈 나즈리옹, 황규태, 윤진형
Принадлежит: 이경철

... 본 발명은 의료용 손목 억제 및 해제 밴드에 관한 것으로, 환자의 손목을 결박하는 제1 구속밴드; 외부 고정체에 연결하는 제2 구속밴드; 및 상기 제1 및 제2 구속밴드를 결합시키는 제1 및 제2 몸체;를 포함하되, 상기 제1 구속밴드는 일단에 원형 강자성체가 내재된 제1 몸체와 환자의 손목 굵기에 따른 길이 조절이 가능한 길이 조절용 클립을 포함하고, 상기 제2 구속밴드는 일단에 외부 고정체에 연결하는 연결용 고리와 타단에 전자석이 내재된 제2 몸체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 4
14-06-2016 дата публикации

ARC CHAMBER FOR ION IMPLANTER

Номер: KR101630233B1
Автор: HWANG, KYOU TAE, LIM, KYOUNG TAE
Принадлежит: VALUE ENGINEERING, LTD.

An arc chamber for an ion implanter according to the present invention, which constitutes part of an ion source for an ion implanter and generates ions by generating an electric discharge in an inner space, comprises: a chamber body having an upper part opened and having a predetermined space formed therein to be able to generate an electric discharge; an upper cover of the chamber combined with the upper part of the chamber body and having a first slit capable of extracting ions generated by an electric discharge; a cathode fixated to one side of the chamber body and emitting electrons into the inner space of the chamber body; a repeller fixated to another side of the chamber body and facing the cathode to repel the electrons; a thermoelectron emitting filament for heating the cathode by colliding the electrons against the cathode; a cathode clamp for fixating the cathode and functioning as a conducting wire for applying a predetermined voltage by being in contact with the cathode; a repeller ...

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Номер записи: 5
06-12-2017 дата публикации

ELECTRON EMITTER OF ION IMPLANTER FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR

Номер: KR1020170133593A
Автор: HWANG, KYOU TAE
Принадлежит:

The present invention relates to an electron emitter of an ion implanter which provides a surface for emitting electrons by an indirect heating method in an ion implanter for manufacturing a semiconductor. The electron emitter includes an emitter body made of a heat resistant metal and having a space for receiving filament, an electron receiving surface exposed in the space formed inside the emitter body and colliding with electrons generated in the filament, and an electron emitting surface that emits thermal electrons by an indirect heating method as the opposite surface of the electron receiving surface. The emitter body includes an oxide of La_xO_(4-0.5x) (0<=x<=3). It is possible to provide an electron emitter having improved corrosion resistance to plasma. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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24-04-2017 дата публикации

정보 제공 장치 및 그 방법

Номер: KR0101729578B1
Автор: 김태년, 장석진, 정은희, 황규태
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 명세서는 콘텐츠에 포함된 위치 정보를 용이하고 빠르게 전송 및 설정할 수 있는 이동 단말기의 정보 제공 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 정보 제공 장치는, 위치 정보를 포함하는 콘텐츠를 표시하는 표시부와; 제1 입력을 근거로 상기 콘텐츠로부터 위치 정보를 검출하는 제어부와; 제2 입력을 근거로 상기 검출된 위치 정보 또는 상기 위치 정보를 포함하는 콘텐츠를 통신망을 통해 전송하는 통신부를 포함할 수 있다.

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30-09-2015 дата публикации

METHOD FOR PROVIDING POI INFORMATION FOR MOBILE TERMINAL AND APPARATUS THEREOF

Номер: KR0101553948B1
Автор: 황규태
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 발명은 사용자가 원하는 지역 내에서 사용자가 원하는 POI를 정확하고, 용이하게 검색할 수 있는 이동 단말기의 POI 정보 제공 방법 및 장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 이동 단말기의 POI 정보 제공 방법은, 지도 데이터 상에서 특정 지역을 선택하기 위한 라인이 그려졌는지를 판단하는 단계와; 상기 라인안의 상기 특정 지역에 대응하는 지도 데이터로부터 POI 정보를 검색하는 단계와; 상기 검색된 POI 정보를 제공하는 단계로 이루어진다.

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11-02-2019 дата публикации

해수전해설비 염소농도 제어 시스템

Номер: KR0101946865B1
Автор: 고의현, 홍창호, 황규태, 박정환, 한정호
Принадлежит: 에이치케이티전기(주), 주식회사 삼공사

... 본 발명은 해수전해설비 염소농도를 미리 정해진 알고리즘에 기반하여 피드백 제어하고, 전해극의 석회질 피막을 제거할 수 있는, 해수전해설비 염소농도 제어 시스템에 관한 것이다. 구체적으로는, (a) 티오황산나트륨(Na2SaO3)의 농도를 기반으로 염소농도 값을 계산하고, (b) 계산된 염소농도를 기반으로 실제 염소발생량을 계산하며, 해수전해설비에서 최적 상태의 염소농도를 갖기 위한 최적의 염소발생량을 계산하고, (c) 계산된 실제 염소발생량과 최적의 염소발생량을 기반으로 해수전해설비 상의 염소농도가 최적이 되도록 염소가 발생되도록 제어하고, (d) 직류전원장치의 종래 단방향 제어를 양방향 제어가 가능하도록 구성하여 전기적으로 전해전극의 극성을 변환하여 음극전극 표면에 형성된 석회질 피막을 제거하며, (e) 석회질 피막 제거를 위한 전극의 수명을 예측하고, (f) 종합운전상태를 시각적으로 출력하되, (g) 전체설비의 고장 유무를 판단하도록 구성된, 해수전해설비 염소농도 제어 시스템에 관한 것이다.

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20-06-2018 дата публикации

ION SOURCE HEAD AND ION INJECTION DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020180066922A
Автор: HWANG, JONG JIN, CHOI, DONG HO, HWANG, KYOU TAE
Принадлежит:

The present invention provides an ion source head capable of suppressing production of reaction byproducts and an ion injection device including the same. According to an embodiment of the present invention, the ion source head comprises: a reaction chamber providing an ionization space; a plasma generating coil receiving a high frequency power, forming an induction magnetic field in the reaction chamber, and located on an external surface of the reaction chamber in order to ionize a source gas supplied to the reaction chamber; and a high frequency power source applying the high frequency power to the plasma generating coil. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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17-08-2022 дата публикации

반도체 제조장치용 내식각성 보호층

Номер: KR20220114215A
Автор: 황규태, 허진
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 제조장치의 챔버 벽 또는 챔버 내부에 설치되는 부품의 표면에 형성되는 내식각성 보호층에 관한 것으로서, 상기 챔버 벽 또는 챔버 내부에 설치되는 부품의 표면 위에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 위에 형성된 내플라즈마층을 포함하고, 상기 광 흡수층은 적외선 영역대의 흡수율이 특정 범위로 제어된 것을 특징으로 한다.

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18-04-2016 дата публикации

NAVIGATION METHOD OF MOBILE TERMINAL AND APPARATUS THEREOF

Номер: KR0101612789B1
Автор: 황규태
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 발명은 관심지점을 효과적으로 검색할 수 있는 이동 단말기의 내비게이션 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 이동 단말기의 내비게이션 장치는, 지도 데이터를 저장하는 저장부와; 상기 지도 데이터를 표시하는 표시부와; 상기 지도 데이터로부터 목적지를 검색하고, 상기 검색된 목적지를 상기 표시부에 표시하고, 상기 표시된 목적지에 상기 목적지의 주변 관심지점을 검색하기 위한 아이콘을 표시하는 제어부로 구성된다.

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13-04-2018 дата публикации

METHOD FOR CONTROLLING HIGH VOLTAGE PULSE GENERATION SYSTEM

Номер: KR101848822B1
Автор: KO, UI HYOUN, HWANG, KUI TAI, JUNG, CHANG WHA, PARK, JEUNG HWAN, CHOI, CHANG HO
Принадлежит: H.K.T ELECTRIC CO., LTD.

The present invention relates to a method for controlling a high voltage pulse generation system comprising: a first step of configuring a first message and transmitting the first message to a voltage control module; a second step of configuring a second message including a control signal based on the first message and transmitting the second message to a tank monitoring module; a third step of configuring a third message and transmitting the third message to the voltage control module; and a fourth step of determining an operating state of the high voltage pulse generation system as one of a standby state, an error state, and a driving state. Accordingly, a plurality of high voltage generation units can be integrally controlled by using one user setting module. COPYRIGHT KIPO 2018 (100,DD) High voltage generation unit (110,BB) Tank enclosure unit (120,CC) Tank monitoring module (130,AA) Voltage control module (200) User monitoring control unit (210) User setting module (220) Monitor (Industrial ...

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Номер записи: 13
14-05-2024 дата публикации

유입유량감소에 따른 유도발전기 동기탈조 대응 자동절환 인버터 발전시스템

Номер: KR102665848B1
Автор: 강수덕, 황규태
Принадлежит: 윈월드(주)

... 본 발명은 유도발전기 강제 병입 시스템에서 유량 및 낙차 감소로 인한 발전기 회전속도가 감소하여 발전이 중지되는 것을 방지하기 위하여 전력변환장치를 사용하여 발전기의 출력을 계통전원의 전압, 주파수에 맞게 발전 가능 하도록 한 유입유량감소에 따른 유도발전기 동기탈조 대응 자동절환 인버터 발전시스템에 관한 것으로, 특히 시스템 제어는 PLC 등 제어수단을 사용하며, 강제 병입 시스템에서 발전하지 못하는 구간 도달하였을 때 스위치 등을 사용하여 시스템을 절환하게 하고, 유량이 설정된 기준치 이상으로 회복되면 강제 병입 제어 방식으로 자동 절환되게 한 유입유량감소에 따른 유도발전기 동기탈조 대응 자동절환 인버터 발전시스템에 관한 것이다.

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Номер записи: 14
13-04-2017 дата публикации

이온주입기용 전자방출 캐소드

Номер: KR0101726185B1
Автор: 김민선, 황규태
Принадлежит: 주식회사 밸류엔지니어링

... 본 발명은 이온주입기용 이온발생장치의 아크챔버 내부에 설치되는 전자방출 캐소드로서, 상기 아크챔버의 일측에 고정되고, 내부에 필라멘트가 설치되는 공간이 형성된 캐소드 측부와, 상기 아크챔버 방향으로 노출되고, 전자를 방출하는 표면을 가지는 캐소드 전면부를 포함하고, 상기 캐소드 전면부는 함몰 형상의 표면을 가지는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 15
05-01-2016 дата публикации

ELECTRON RELEASING CATHODE FOR ION IMPLANTER AND ION GENERATION APPARATUS

Номер: KR101582631B1
Автор: HWANG, KYOU TAE, LIM, KYOUNG TAE, KIM, SUNG KYUN
Принадлежит: VALUE ENGINEERING, LTD.

The present invention relates to an electron releasing cathode for an ion implanter and an ion generation apparatus including the same. According to the present invention, a coating structure including a semi-carbide layer for the purposes of stabilization against thermal deformation, protection from abrasion, or resistance to separation of a deposited product is provided to components such as a repeller, a cathode, a chamber well, and a slit member constituting an arc chamber of the ion generation apparatus for ion injection used to manufacture a semiconductor device. Therefore, a precise ion injection process can be performed without distortion of an ion generation location or twist of equipment and electrons can be uniformly reflected to the inside of the arc chamber. Accordingly, a component for an ion implanter, which not only increases efficiency for decomposing ion source gas by increasing uniformity of plasma but also has significantly increased durability compared to an existing ...

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Номер записи: 16
22-05-2017 дата публикации

ARC CHAMBER FOR ION IMPLANTER

Номер: KR1020170055794A
Автор: HWANG, KYOU TAE
Принадлежит:

The present invention relates to an arc chamber for an ion implanter, which forms a plasma therein to generate an ion required in an ion implantation process. The arc chamber comprises: a heat-resistant metal body having an opened upper part and a predetermined space formed therein; a curved surface filling member mounted on an inner space of the heat-resistant metal body and including a curved surface; and a liner having the same shape as the surface of the curved surface filling member and preventing the curved surface filling member from being exposed to the plasma. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 17
31-05-2016 дата публикации

ELECTRON EMITTING CATHODE FOR ION IMPLANTOR

Номер: KR1020160060888A
Автор: KIM, MIN SUN, HWANG, KYOU TEA
Принадлежит:

The present invention relates to an electron emitting cathode which is installed inside an arc chamber of an ion generator for an ion implanter and comprises: a cathode side portion which is fixed on one side of the arc chamber, wherein a space for implementing a filament is formed inside the cathode side portion; and a cathode front portion which is exposed toward the arc chamber and has a surface which emits electrons. The cathode front portion is characterized in comprising a depressed surface. According to the present invention, ion generation efficiency of an ion generator can be improved by changing a structure of an electron emitting cathode which is installed inside an arc chamber of the ion generator for an ion implanter. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 18
05-01-2016 дата публикации

SLIT MEMBER FOR ION IMPLANTER AND ION GENERATION APPARATUS

Номер: KR101582645B1
Автор: HWANG, KYOU TAE, LIM, KYOUNG TAE, KIM, SUNG KYUN
Принадлежит: VALUE ENGINEERING, LTD.

The present invention relates to a slit member for an ion implanter and an ion generation apparatus including the same. According to the present invention, a coating structure including a semi-carbide layer for the purposes of stabilization against thermal deformation, protection from abrasion, or resistance to separation of a deposited product is provided to components such as a repeller, a cathode, a chamber well, and a slit member constituting an arc chamber of the ion generation apparatus for ion injection used to manufacture a semiconductor device. Therefore, a precise ion injection process can be performed without distortion of an ion generation location or twist of equipment and electrons can be uniformly reflected to the inside of the arc chamber. Accordingly, a component for an ion implanter, which not only increases efficiency for decomposing ion source gas by increasing uniformity of plasma but also has significantly increased durability compared to an existing component, and ...

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Номер записи: 19
10-10-2017 дата публикации

HIGH-VOLTAGE WIRING CONNECTION DEVICE FOR PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер: KR101783883B1
Автор: KO, UI HYOUN, HWANG, KUI TAI, PARK, JEUNG HWAN
Принадлежит: H.K.T ELECTRIC CO., LTD.

The present invention relates to a high-voltage wiring connection device for a printed circuit board. More specifically, the present invention relates to a high-voltage wiring connection device for a printed circuit board capable of simply and firmly connecting a high-voltage wire to a printed circuit board. According to the present invention, the high-voltage wiring connection device for a printed circuit board for connecting the high-voltage wire to the printed circuit board comprises: a first connector in which one end is inserted and fixed into an insertion hole of the printed circuit board at a constant depth; and a second connector in which an end part of the high-voltage wire is inserted and fixed into one end and the other end is screwed to the other end of the first connector. The first and second connectors are coupled by a screw coupled method, so that the high-voltage wire is firmly connected to the printed circuit board. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 20
21-08-2017 дата публикации

이온주입기용 아크챔버

Номер: KR0101769844B1
Автор: 황규태
Принадлежит: 주식회사 밸류엔지니어링

... 본 발명의 이온주입기용 아크챔버는 내부에 플라즈마를 형성하여 이온주입공정에 필요한 이온을 발생시키는 아크챔버로서, 상부가 개방되고 내부에 소정의 공간이 형성된 내열금속 바디와, 상기 내열금속 바디의 내부 공간에 장착되며, 곡면의 표면을 포함하는 곡면 충진부재와, 상기 곡면 충진부재의 표면과 동일한 형상을 가지며 상기 곡면 충진부재가 플라즈마에 노출되는 것을 방지하는 라이너를 포함한다.

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Номер записи: 21
17-01-2019 дата публикации

반도체 제조용 이온주입장치의 전자 에미터

Номер: KR0101939558B1
Автор: 황규태
Принадлежит: 주식회사 밸류엔지니어링

... 본 발명은 반도체를 제조하기 위한 이온주입장치에서 간접가열방식에 의하여 전자를 방출하는 표면을 제공하는 이온주입장치의 전자 에미터로서, 내열금속으로 이루어지고 내부에 필라멘트를 수용할 수 있는 공간이 형성된 에미터 바디와, 상기 에미터 바디의 내부에 형성된 공간에 노출되고 상기 필라멘트에서 발생된 전자와 충돌하는 전자수용 표면과, 상기 전자수용 표면의 반대면으로서 간접가열방식에 의하여 열 전자를 방출하는 전자방출 표면을 포함하고, 상기 에미터 바디는 0＜x≤3인 LaxO4-0.5x의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 22
05-01-2016 дата публикации

CHAMBER WELL FOR ION INJECTOR AND ION GENERATION APPARATUS

Номер: KR101582640B1
Автор: HWANG, KYOU TAE, LIM, KYOUNG TAE, KIM, SUNG KYUN
Принадлежит: VALUE ENGINEERING, LTD.

The present invention relates to a chamber well for an ion injector and an ion generation apparatus including the same. According to the present invention, a coating structure including a semi-carbide layer for the purposes of stabilization against thermal deformation, protection from abrasion, or resistance to separation of a deposited product is provided to components such as a repeller, a cathode, a chamber well, and a slit member constituting an arc chamber of an ion generation apparatus for ion injection used to manufacture a semiconductor device. The chamber well enables a precise ion injection process to be performed without distortion of an ion generation location or twist of equipment and can uniformly reflect electrons to the inside of the arc chamber. Therefore, a component for an ion injector, which not only increases efficiency for decomposing ion source gas by increasing uniformity of plasma but also has significantly increased durability compared to an existing component, ...

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Номер записи: 23
30-09-2015 дата публикации

NAVIGATION APPARATUS AND METHOD THEREOF

Номер: KR0101554182B1
Автор: 최준호, 장유정, 임종락, 박혜연, 김일완, 황규태
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 발명은 사용자의 소비 패턴을 경로 탐색 또는 주행 시 이용하는 내비게이션 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 내비게이션 방법은, 목적지 정보 및 기저장된 경로 회피 지역을 근거로 경로 탐색을 수행하는 단계와; 및 상기 수행된 경로 탐색 결과를 단말기의 표시부 상에 표시하는 단계를 포함하여 이루어진다.

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Номер записи: 24
15-02-2017 дата публикации

PLANAR SHAPED HEATER FOR SEMICONDUCTOR WAFER TREATMENT APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020170017601A
Автор: HWANG, KYOU TAE
Принадлежит:

The present invention relates to a planar shaped heater for a semiconductor wafer treatment apparatus and a method for manufacturing the same. According to the present invention, the method comprises the following steps: preparing a planar shaped heater for a semiconductor wafer treatment apparatus with a refractory metallic mother material, and measuring a size and a radiation factor of crystalline particles of the refractory metallic mother material; performing solid carburizing or thermal spray coating for the refractory metallic mother material in order to form a coating layer of the planar shaped heater, and measuring a size and a radiation rate of crystalline particles of the refractory metallic mother material to measure a change in the size and the radiation factor of the crystalline particles; and selecting a solid carburizing or thermal spray coating condition, each of which increases the change in both the size and the radiation factor of the crystalline particles, to perform ...

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Номер записи: 25
04-11-2015 дата публикации

REPELLER FOR ION IMPLANTER AND ION GENERATION DEVICE

Номер: KR101565916B1
Автор: HWANG, KYOU TAE, LIM, KYOUNG TAE, KIM, SUNG KYUN
Принадлежит: VALUE ENGINEERING, LTD.

The present invention relates to a repeller for an ion implanter and an ion generation device. According to the present invention, components such as a repeller, a cathode, a chamber well and a slit member constituting an arch chamber of an ion generation device for an ion implantation, used in the manufacturing of a semiconductor device, are provided with a coating structure containing a semi carbide layer for a thermal deformation stabilization purpose, a wear protection purpose or a deposition peeling resistance purpose, thereby, an ion implantation process becomes possible without any distortion of an ion generation position or any distortion of equipment, in addition, electrons can be uniformly reflected into the arch chamber, thereby, a uniformity of plasma can be improved, thus it is possible to improve an efficiency of decomposition of an ion source gas and in addition, it is possible to provide components for an ion implanter having a significantly improved life compared with conventional ...

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Номер записи: 26
14-03-2023 дата публикации

집속 유도 결합 플라즈마용 페라이트 쉴드를 포함하는 플라즈마 발생장치

Номер: KR20230036183A
Автор: 허진, 신승민, 황규태
Принадлежит:

... 본 발명은 수직 전계 제어 장치를 통해 플라즈마 발생용기의 내면에 형성되는 음전하를 주기적으로 제거하는 것으로 플라즈마 발생용기 내면에 스퍼터링을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 안테나 외면에 페라이트 쉴드를 형성하는 것으로 유도결합 안테나에서 발생되는 유도자기장을 발생용기 내부에 고밀도로 집속시켜 고효율의 플라즈마를 형성할 수 있는 집속 유도 결합 플라즈마용 페라이트 쉴드를 포함하는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. 본 발명은 세라믹계 절연소재로 제작되며, 내부에 플라즈마 생성공간을 형성하는 원통형의 플라즈마 발생용기; 상기 플라즈마 발생용기와 일정간격을 가지며, 외주면을 회전하는 형상으로 설치되는 유도결합 안테나; 및 상기 유도결합 안테나의 외면에 설치되는 페라이트 쉴드를 포함하되, 상기 플라즈마 발생용기의 표면에는 패러데이 쉴드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집속 유도 결합 플라즈마용 페라이트 쉴드를 포함하는 플라즈마 발생장치를 제공한다.

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Номер записи: 27
05-07-2018 дата публикации

반도체 웨이퍼 처리장치용 면상 발열체 및 그 제조방법

Номер: KR0101875045B1
Автор: 황규태
Принадлежит: 주식회사 밸류엔지니어링

... 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리장치용 면상 발열체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼 처리장치 용도의 면상 발열체를 내화금속 모재로 준비하고, 상기 내화금속 모재의 결정립 크기와 방사율을 측정하는 단계; 상기 면상 발열체의 코팅층을 형성하도록, 상기 내화금속 모재를 고체 침탄 혹은 용사 코팅하고, 상기 내화금속 모재의 결정립 크기와 방사율을 측정하여 결정립 크기와 방사율의 변화를 측정하는 단계; 및 상기 결정립 크기 변화와 방사율 변화가 모두 증가하는 고체 침탄, 혹은 용사 코팅 조건을 선택하여 고체 침탄 혹은 용사 코팅을 수행하는 단계;를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리장치용 면상 발열체의 제조방법을 제공한다.

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Номер записи: 28