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27-02-2018 дата публикации

하부 반사 방지 코팅 조성물 및 이의 방법

Номер: KR0101833091B1
Принадлежит: 메르크 파텐트 게엠베하

... 본 발명은 가교제, 1개 이상의 발색단 기 및 1개 이상의 히드록실 및/또는 카르복실 기를 포함하는 중합체, 및 첨가제를 포함하는 반사 방지 코팅 조성물에 관한 것이며, 여기서, 추가로 첨가제는 화학식 1의 구조를 갖고, 1개 이상의 아릴렌-히드록실 모이어티를 포함하며, Y는 카르복실레이트 음이온 또는 술포네이트 음이온으로부터 선택되며, R2, 및 R3은 독립적으로 비치환 C1-C8 알킬, 치환 C1-C8 알킬, 아릴 및 아릴렌-히드록실로부터 선택되며; X1, X2 및 X3은 독립적으로 직접 원자가 결합 및 C1-C8 알킬렌기로부터 선택되며, n은 1, 2 또는 3이다. 본 발명은 추가로 본 조성물의 사용 방법에 관한 것이다.

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25-10-2017 дата публикации

폴리옥소메탈레이트 및 헤테로폴리옥소메탈레이트 조성물 및 이들의 사용 방법

Номер: KR1020170118970A
Принадлежит:

... 본 발명은 하나 이상의 폴리옥소메탈레이트, 하나 이상의 헤테로폴리옥소메탈레이트 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 금속 성분; 및 하나 이상의 유기 성분을 포함하는 신규한 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 또한, 나노로드 어레이 및 나노로드 물질의 제조 방법 및 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한 산화 금속 풍부 필름을 생성하기 위한 신규한 조성물에 관한 것이고, 또한 비아 또는 트렌치 충전, 리버스 비아(reverse via) 또는 트렌치 충전 및 하지층을 사용한 영상화에 대한 공정에 관한 것이다. 상기 물질은 반도체 소자, 전기-광학 기기 및 에너지 저장 산업을 비롯한 수많은 산업에서의 광범위한 제조 분야에서 유용하다.

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15-12-2022 дата публикации

금속 산화물 나노입자 및 유기 중합체를 함유하는 스핀-온 물질의 조성물

Номер: KR102477802B1
Принадлежит: 메르크 파텐트 게엠베하

... 본 발명은 용매, 이 용매 중에 분산된 금속 산화물 나노입자, 이 용매 중에 용해된 고 탄소 중합체를 포함하는 코팅 조성물로서, 상기 고 탄소 중합체는 하기 구조(1)의 반복 단위, 하기 구조(2)의 히드록시비페닐 반복 단위 및 하기 구조(3)의 융합 방향족 함유 모이어티를 함유하는 모이어티를 포함하며, 식 중 R1및R2는 수소, 알킬 및 치환된 알킬로 구성되는 군으로부터 독립적으로 선택되며, Ar은 비치환 또는 치환된 융합 방향족 고리이고, X1은 알킬렌 스페이서 또는 직접 원자가 결합인 코팅 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 플라즈마를 사용하여 하드 마스크를 패턴화하는 포토레지스트 및 반도체 기판을 패턴화하는 하드 마스크를 이용하는 스루 및 반전 톤 하드 마스크 패턴 전사 공정 또는 종래 마스크 패턴 공정에 의해 그러한 조성물이 패턴화 하드 마스크로서 리소그래피 적용에 사용되는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 용매 중에 분산된 금속 산화물 및 금속 산화물 나노입자를 포함하는 조성물이 반도체 기판을 패턴화하는 표준 하드 마스크 패턴 전사 공정에서 사용되는 금속 하드 마스크를 코팅하는 데 사용되는 방법을 더 포함한다.

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21-12-2018 дата публикации

현상 가능한 하층 반사방지 코팅 형성용 조성물

Номер: KR0101931096B1
Принадлежит: 메르크 파텐트 게엠베하

... 본 발명은, 하층 반사방지 코팅 형성용 조성물을 제공하며, 또한 상기 조성물을 사용하는 포토레지스트 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 조성물은 반도체 장치를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서 사용되는 하층 반사방지 코팅을 제공하며, 상기 코팅은 포토레지스트용 현상액으로 현상할 수 있다. 상기 조성물은 용매, 축합된 폴리사이클릭 방향족 그룹을 갖는 중합체 및 말레이미드 유도체 또는 말레산 무수물 유도체를 갖는 화합물을 함유한다. 상기 조성물은 광산 발생제 또는 가교결합제를 추가로 함유할 수 있다.

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13-08-2015 дата публикации

안정한 금속 화합물, 이의 조성물 및 이의 사용 방법

Номер: KR1020150092737A
Принадлежит:

... 본 개시는 안정성이 개선된 가용성의, 멀티리간드로 치환된 금속 화합물 뿐 아니라, 이로부터 제조된 조성물 및 이의 사용 방법에 관한 것이다.

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13-04-2018 дата публикации

폴리옥소메탈레이트 및 헤테로폴리옥소메탈레이트 조성물 및 이들의 사용 방법

Номер: KR0101833159B1

... 본 발명은 하나 이상의 폴리옥소메탈레이트, 하나 이상의 헤테로폴리옥소메탈레이트 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 금속 성분; 및 하나 이상의 유기 성분을 포함하는 신규한 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 또한, 나노로드 어레이 및 나노로드 물질의 제조 방법 및 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한 산화 금속 풍부 필름을 생성하기 위한 신규한 조성물에 관한 것이고, 또한 비아 또는 트렌치 충전, 리버스 비아(reverse via) 또는 트렌치 충전 및 하지층을 사용한 영상화에 대한 공정에 관한 것이다. 상기 물질은 반도체 소자, 전기-광학 기기 및 에너지 저장 산업을 비롯한 수많은 산업에서의 광범위한 제조 분야에서 유용하다.

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04-06-2015 дата публикации

현상가능한 하층 반사방지 피막

Номер: KR1020150061654A
Принадлежит:

... 본 발명은, 하층 반사방지 피막으로부터 스컴의 형성을 방지할 수 있는 가교결합제를 제공하며, 또한 상기 가교결합제를 함유하는 하층 반사방지 피막을 형성하기 위한 조성물을 제공한다. 상기 가교결합제는 적어도 하나의 비닐옥시 그룹 또는 N-메톡시메틸아미드 그룹을 갖는 질소-함유 방향족 화합물이고, 상기 조성물은 상기 가교결합제를 함유한다. 화학식 1 위의 화학식 1에서, E1 내지 E3은 각각, 탄소 원자 및 질소 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되고, 단, 이들 중의 적어도 하나는 질소 원자이며; F1 내지 F3은 각각, 산소 원자 및 황 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되고; G1 내지 G3은 각각, 비닐옥시 그룹, N-메톡시메틸아미드 그룹 및 수소 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되며, 단, 이들 중의 적어도 하나는 비닐옥시 그룹 또는 N-메톡시메틸아미드 그룹이고; p1 내지 p3은 각각, 0을 포함한 정수로부터 독립적으로 선택되며, 단, 이들 중의 적어도 어느 두 개는 적어도 1이거나 또는 1 초과이다.

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04-05-2016 дата публикации

하드마스크 및 충전 재료로서의 안정한 금속 화합물, 이들의 조성물 및 사용 방법

Номер: KR1020160048796A
Принадлежит:

... 본 발명은 개선된 안정성을 가진 금속 산화물 필름을 형성하기 위한 신규의, 가용성, 멀티-리간드-치환된 금속 산화물 화합물뿐만 아니라, 이것으로 제조된 조성물 및 이의 사용 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 하기 구조식(I)을 갖는 화합물에 관한 것이다: 식 중, M은 금속이고 n은 1 내지 20이며, R1, R2, R3, 및 R4 중 하나 이상은 i)이고 R1, R2, R3, 및 R4 중 하나 이상은 ii)이며, 여기서 i)는 2개 이상의 탄소를 가진 규소 보유 유기 모이어티이고, ii)는 유기 모이어티이다. 본 발명은 또한 용매 중에 용해된 구조식(I)의 화합물의 스핀-코팅가능한 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 추가적으로 이러한 스핀 코팅가능한 조성물을 사용하여 패턴화된 기판 상에 코팅을 형성하는 공정에 관한 것이다.

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13-09-2016 дата публикации

폴리옥소메탈레이트 및 헤테로폴리옥소메탈레이트 조성물 및 이들의 사용 방법

Номер: KR1020160107310A
Принадлежит:

... 본 발명은 하나 이상의 폴리옥소메탈레이트, 하나 이상의 헤테로폴리옥소메탈레이트 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 금속 성분; 및 하나 이상의 유기 성분을 포함하는 신규한 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 또한, 나노로드 어레이 및 나노로드 물질의 제조 방법 및 필름에 관한 것이다. 본 발명은 또한 산화 금속 풍부 필름을 생성하기 위한 신규한 조성물에 관한 것이고, 또한 비아 또는 트렌치 충전, 리버스 비아(reverse via) 또는 트렌치 충전 및 하지층을 사용한 영상화에 대한 공정에 관한 것이다. 상기 물질은 반도체 소자, 전기-광학 기기 및 에너지 저장 산업을 비롯한 수많은 산업에서의 광범위한 제조 분야에서 유용하다.

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19-01-2018 дата публикации

반사방지 코팅 조성물 및 이의 공정

Номер: KR0101820263B1

... 본 발명은 하기 구조(1)을 갖는 하나 이상의 반복 단위(A), 하기 구조(2)를 갖는 하나 이상의 반복 단위(B), 및 하기 구조(3)을 갖는 하나 이상의 반복 단위(C)를 포함하는 가교결합성 중합체; 및 용매를 포함하는 신규한 흡수 반사방지 코팅 조성물에 관한 것이고, 상기 식에서, D는 직접 원자가 결합 또는 C(R1)(R2) 메틸렌 모이어티이고, 여기서 R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C8 알킬, C3-C24 사이클로알킬 또는 C6-C24 아릴이고; Ari, Arii, Ariii 및 Ariv는 독립적으로 페닐렌성 또는 나프탈렌성 모이어티이고, R3 및 R4는 독립적으로 수소 또는 C1-C8 알킬이고; R5 및 R6는 독립적으로 수소 또는 C1-C8 알킬이다. 본 발명은 또한 신규한 반사방지 코팅 조성물을 사용하는 이미지의 형성 방법에 관한 것이다.

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12-12-2016 дата публикации

반사방지 코팅 조성물 및 이의 공정

Номер: KR1020160142380A
Принадлежит:

... 본 발명은 하기 구조(1)을 갖는 하나 이상의 반복 단위(A), 하기 구조(2)를 갖는 하나 이상의 반복 단위(B), 및 하기 구조(3)을 갖는 하나 이상의 반복 단위(C)를 포함하는 가교결합성 중합체; 및 용매를 포함하는 신규한 흡수 반사방지 코팅 조성물에 관한 것이고, 상기 식에서, D는 직접 원자가 결합 또는 C(R1)(R2) 메틸렌 모이어티이고, 여기서 R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C8 알킬, C3-C24 사이클로알킬 또는 C6-C24 아릴이고; Ari, Arii, Ariii 및 Ariv는 독립적으로 페닐렌성 또는 나프탈렌성 모이어티이고, R3 및 R4는 독립적으로 수소 또는 C1-C8 알킬이고; R5 및 R6는 독립적으로 수소 또는 C1-C8 알킬이다. 본 발명은 또한 신규한 반사방지 코팅 조성물을 사용하는 이미지의 형성 방법에 관한 것이다.

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08-11-2016 дата публикации

현상가능한 하층 반사방지 피막

Номер: KR0101673890B1

... 본 발명은, 하층 반사방지 피막으로부터 스컴의 형성을 방지할 수 있는 가교결합제를 제공하며, 또한 상기 가교결합제를 함유하는 하층 반사방지 피막을 형성하기 위한 조성물을 제공한다. 상기 가교결합제는 적어도 하나의 비닐옥시 그룹 또는 N-메톡시메틸아미드 그룹을 갖는 질소-함유 방향족 화합물이고, 상기 조성물은 상기 가교결합제를 함유한다. 화학식 1 위의 화학식 1에서, E1 내지 E3은 각각, 탄소 원자 및 질소 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되고, 단, 이들 중의 적어도 하나는 질소 원자이며; F1 내지 F3은 각각, 산소 원자 및 황 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되고; G1 내지 G3은 각각, 비닐옥시 그룹, N-메톡시메틸아미드 그룹 및 수소 원자로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되며, 단, 이들 중의 적어도 하나는 비닐옥시 그룹 또는 N-메톡시메틸아미드 그룹이고; p1 내지 p3은 각각, 0을 포함한 정수로부터 독립적으로 선택되며, 단, 이들 중의 적어도 어느 두 개는 적어도 1이거나 또는 1 초과이다.

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26-10-2015 дата публикации

POLYMERS FOR USE IN PHOTORESIST COMPOSITIONS

Номер: KR0101563375B1

... (i) 하기 단위로부터 선택되는 2 이상의 반복 단위: [상기 식 중, R61, R62, R63 및 R65 각각은 개별적으로 수소 또는 C1-4 알킬로부터 선택되고; R64는 C1-4 알킬임]; 및 (ⅱ) 하기 단위로부터 선택되는 1 이상의 추가 반복 단위: [상기 식 중, R61, R62, R63, R64 및 R65 각각은 개별적으로 수소 또는 C1-4 알킬로부터 선택되고 n은 0∼3의 수임] 를 포함하는 중합체는 포토레지스트 조성물의 성분으로서 유용하다.

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