11-07-2018 дата публикации
Номер: KR0101876728B1
Автор:
정해용,
박형호,
박경호,
신찬수,
박원규
... 제1실리콘층, 절연막과 제2실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI기판의 제2실리콘층 상부와 제1실리콘층 하부에 제1상부보호막 및 제1하부보호막을 각각 형성하는 제1단계와, 상기 제1상부보호막에 캔틸레버 아암의 두께를 조절하기 위한 제1패턴을 형성하는 제2단계와, 상기 제1패턴으로 상기 제2실리콘층에 캔틸레버 아암의 두께만큼 제1식각영역을 형성하는 제3단계와, 상기 제1패턴이 형성된 상기 제1상부보호막에 탐침의 상부 기울기를 형성하기 위한 제2패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제3단계의 제1식각영역을 기준으로 상기 절연막의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2패턴으로 상기 제2실리콘층을 캔틸레버 아암의 두께만큼 남도록 제거함에 따라 상기 제2패턴 영역에 상기 캔틸레버 아암 영역이 형성되고, 상기 탐침의 상부기울기를 형성하는 제5단계와, 상기 제1상부보호막 및 상기 제1하부보호막을 제거하고, 상기 제2실리콘층 상부 전 영역 및 상기 제1실리콘층 하부 전 영역에 제2상부보호막 및 제2하부보호막을 각각 형성하는 제6단계와, 상기 제2하부보호막에 상기 탐침의 하부 기울기를 형성하기 위한 제3패턴을 형성하는 제7단계와, 상기 제3패턴으로 상기 제1실리콘층을 일부 제거하여 상기 제1실리콘층에 제2식각영역을 형성하는 제8단계와, 상기 제3패턴이 형성된 제2하부보호막에 캔틸레버 지지대를 형성하기 위한 제4패턴을 형성하는 제9단계와, 상기 제8단계에서의 제2식각영역을 기준으로 상기 절연막의 하부면이 노출될 때까지 상기 제3패턴 및 제4패턴으로 상기 제1실리콘층을 제거하여 상기 캔틸레버 지지대를 형성하면서 상기 제1실리콘층을 일부만을 남기고 제거하는 제10단계와, 상기 제10단계에서 노출된 상기 절연막을 제거하여 제3식각영역을 형성하고, 상기 제3식각영역을 이용하여 상기 제2실리콘층을 탐침 하부 기울기를 갖도록 상기 제1실리콘층 일부와 함께 제거하는 제11단계와, 상기 제1실리콘층 일부가 제거되면 노출된 절연막과 제2상부보호막 및 제2하부보호막을 제거하는 제12단계를 포함하여 이루어지는 ...
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