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30-03-2017 дата публикации

매질 분석 장치 및 그 방법

Номер: KR0101721244B1
Автор: 전동환
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 매질 분석 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 둘 이상의 파장을 갖는 빛을 발생시키는 광원, 상기 빛이 통과하는 매질, 상기 빛이 통과하여 상기 매질에 포함된 입자에 의해 산란된 산란광 중 서로 다른 파장을 갖는 빛을 필터링하는 둘 이상의 필터, 상기 필터를 통과한 서로 다른 파장을 갖는 빛을 검출하는 둘 이상의 검출기, 및 상기 둘 이상의 검출기에 의해 검출된 결과의 비율 또는 결과의 차이에 기초하여 상기 매질에 포함된 입자의 농도를 분석하는 분석기를 포함한다. 본 발명에 따르면, 입자의 흡수에 의한 오차를 최소화하고 소형화된 매질 분석 장치를 구현할 수 있다.

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Номер записи: 1
31-07-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SENSOR HAVING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер: KR101762907B1
Автор: PARK, KYUNG HO, CHO, CHU YOUNG, PARK, HYEONG HO, KOH, YU MIN, SHIN, CHAN SOO, PARK, WON KYU, LEE, KEUN WOO
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

Provided is a method for manufacturing a sensor having a high electron mobility transistor (HEMT) structure comprising the following steps of: preparing a HEMT structure having a first substrate, a GaN-based buffer layer formed on the first substrate, a single layer selected from the group consisting of a GaN layer, an Al_xGa_(1-x)N layer, an In_xAl_(1-x)N layer and an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer formed on the buffer layer, and a source electrode, a drain electrode and a detecting material layer formed on the selected layer; bonding a second substrate after forming a temporary bonding material on an upper portion of the source electrode, the drain electrode and the detecting material layer; separating the first substrate from the buffer layer; bonding a third substrate to the buffer layer after separating the first substrate; and separating the second substrate from the HEMT structure after bonding the third substrate. According to the present invention, the manufacturing cost of a sensor ...

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Номер записи: 2
16-02-2016 дата публикации

method for avoiding crack of epi-film grown on semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor devices thereby

Номер: KR0101594171B1
Автор: 오세웅, 전동환, 김영조, 황선용, 최인혜
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반도체 기판 상에 이종 반도체를 에피성장함에 있어서, 반도체 기판 상에 미리 패턴을 형성하여 에피박막의 갈라짐 배열이 이 패턴에 의해 제어되도록 하는 것으로서, 반도체 기판 상에 이종 물질의 에피박막을 형성하고, 상기 에피박막의 갈라짐(crack)을 회피하기 위한 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피박막의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 상에 성장된 에피박막의 갈라짐 회피 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 미리 패턴을 형성하여 에피박막의 갈라짐 배열이 이 패턴에 의해 제어되도록 하여, 실제로 소자로 동작하는 부분에서는 갈라짐에 의한 영향으로부터 회피할 수 있도록 하거나 줄일 수 있도록 하여 소자의 특성을 향상시키는 이점이 있다.

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Номер записи: 3
10-11-2017 дата публикации

전도성 기판을 갖는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈

Номер: KR0101796006B1
Автор: 김영조, 정상현, 김강호, 김창주, 신현범, 강호관, 최재혁, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지에 관한 것으로서, 벌크 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층 상부에 후면전극을 형성하는 제2단계와, 상기 후면전극 상부에 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 형성시키는 제3단계와, 상기 벌크 기판을 제거하는 제4단계와, 상기 반도체층 하부에 전면전극을 형성하는 제5단계와, 상기 홀패턴 내부에 전도성 재료를 충진시키는 제6단계 및 상기 전도성 재료가 홀패턴에 충진된 플렉시블 기판 전면에 금속백시트를 형성하는 제7단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 기판을 갖는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용하고, 상기 홀패턴에 전도성 재료를 충진하여 사용함으로써, 플라스틱 재료의 유연성과 전도성 재료의 전도성을 융합시킨 전도성을 갖는 플렉시블 기판을 적용하여, 기존 플렉시블 기판 사용시 문제되는 전기적 및 열적 특성을 향상시켜 태양전지의 성능을 개선시키고, 이러한 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 태양전지는 직렬로 연결하여 모듈 형태로 사용할 시에 후면전극 연결문제를 해결하고, 무게를 획기적으로 줄일 수 있는 초경량 플렉시블 태양전지 또는 초경량 플렉시블 태양전지 모듈을 제공할 수 있는 이점이 있다.

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14-12-2017 дата публикации

HIGH-SENSITIVITY SENSOR THROUGH INCREASED AREA OF SENSING LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер: KR101808683B1
Автор: KOH, YU MIN, PARK, KYUNG HO, PARK, HYEONG HO, CHO, CHU YOUNG
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a high-sensitivity sensor through an increased area of sensing layer, and a manufacturing method for the same. According to the present invention, the high-sensitivity sensor through an increased area of sensing layer comprises: a sensing structure including an ohmic electrode pattern successively laminated, a barrier layer, and a channel layer; an input/output circuit structure electrically connected to the sensing structure from under the sensing structure; and a sensing layer which covers a front surface of the channel layer in the sensing structure to react with an external fluid (gas or liquid). The sensing structure forms a high electron mobility transistor (HEMT) structure along with the sensing layer. The channel layer and the sensing layer come in contact through a nitrogen (N)-face of the channel layer. In addition, the present invention provides a manufacturing method for a high-sensitivity sensor through an increased area of sensing layer. The ...

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Номер записи: 5
19-08-2022 дата публикации

접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치

Номер: KR102434637B1
Автор: 전동환, 김성수
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 접촉 압력 및 가스 농도 감지 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 접촉 압력 감지 장치는, 외부로부터의 접촉 압력에 따라 변위를 발생하는 프레임과; 프레임에 광을 조사하는 적어도 하나의 광원; 및 광원으로부터 조사된 광이 프레임에 부딪쳐 프레임의 변위에 따라 대응하여 반사하는 광을 감지하는 적어도 하나의 광센서를 포함하고, 상기 광센서에 의해 상기 프레임의 접촉 압력에 의한 변위 발생 부위에 조사된 광의 반사광을 검출함으로써 상기 프레임의 변위에 따른 접촉 압력을 감지한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 물체의 변위를 광조사 및 광센싱에 의해 감지함으로써, 작은 변위를 감지할 수 있고, 이에 따라 고감도 센서로 활용할 수 있으며, 광원과 광센서의 간소한 구조로 되어 있어 감지 장치의 크기를 소형화할 수 있고, 이에 따라 작은 크기의 전자기기에도 하나의 스위치 수단으로 쉽게 적용할 수 있다.

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Номер записи: 6
12-05-2017 дата публикации

MULTI-JUNCTION SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR101734077B1
Автор: KIM, KANG HO, KIM, YOUNG JO, JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, JUN, DONG HWAN, SHIN, HYUN BEOM, PARK, WON KYU, KANG, HO KWAN, LEE, JAE JIN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the manufacturing method of the multi-junction solar cell comprises the following steps: laminating lower, middle, and upper solar cell layers and a photoresist layer on an upper side of a substrate in sequence; mesa-etching a part of the photoresist layer and a part of the upper solar cell layer of a lower side of the photoresist layer respectively; etching the upper solar cell layer, and then reflowing and heating a photoresist to protect the etched upper solar cell layer with the photoresist; etching a part of the middle solar cell layer located on a lower side of the upper solar cell layer, and then reflowing and heating the photoresist to protect the etched middle solar cell layer with the photoresist; etching a part of the lower solar cell layer located in a lower side of the middle solar cell layer; and completing a multi-junction solar cell structure ...

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Номер записи: 7
14-10-2016 дата публикации

포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법

Номер: KR0101666400B1
Автор: 한상욱, 문성욱, 김용수, 이인준, 김상인, 박원규, 전동환, 신찬수, 박경호, 정해용
Принадлежит: 한국과학기술연구원, (재)한국나노기술원, 아주대학교산학협력단

... 포토다이오드는 기판; 상기 기판 위에 위치하는 제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 위치하는 광자 흡수층; 및 상기 광자 흡수층 위에 위치하는 제 2 캐리어 증폭층;을 포함할 수 있다. 한편, 포토다이오드 제조 방법은 기판 위에 제 1 캐리어 증폭층을 형성하는 단계; 상기 제 1 캐리어 증폭층 위에 광자 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광자 흡수층 위에 제 2 캐리어 증폭층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 두 종류의 캐리어를 모두 이용하여 신호를 증폭함으로써 전압 이득 및 단일 광자 검출의 신뢰도를 증대시킬 수 있다.

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Номер записи: 8
09-11-2016 дата публикации

모놀리식 멀티채널 전력반도체소자 및 그 제조 방법

Номер: KR0101673965B1
Автор: 김종민, 고유민, 송근만, 조주영, 최재혁
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 모놀리식 멀티채널 전력반도체소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 HEMT 구조체; 및 상기 기판 상에 형성된 제 2 HEMT 구조체;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 HEMT 구조체는 각기 4원계 질화물 반도체층을 포함한다. 상기 제 1 HEMT 구조체와 상기 제 2 HEMT 구조체는 동일한 기판 위에서 수평 방향으로 상이한 위치에, 수직 방향으로 서로 다른 층에 형성되며, 배리어층에 의해 서로 전기적으로 분리된다. 상기 제 1 HEMT 구조체는 상기 배리어층 상에 순차적으로 갈륨면 에피택셜 성장한 제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층 및 제1 GaN캡층을 포함하고, 상기 제1 InAlGaN층은 In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 제1 InAlGaN층에 압축응력이 작용하여 분극이 상부 방향을 향하도록 역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을 수행한다. 상기 제 2 HEMT 구조체는 상기 기판 상에 순차적으로 갈륨면 에피택셜 성장한 제2 GaN버퍼층과 제2 InAlGaN층을 포함하고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 인장응력이 작용하여 상기 제2 GaN버퍼층과 상기 제2 InAlGaN층 사이의 계면에 2DEG이 형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을 수행한다.

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Номер записи: 9
11-07-2018 дата публикации

탐침의 기울기 조절이 용이한 원자간력 현미경의 캔틸레버 제조방법 및 원자간력 현미경의 캔틸레버

Номер: KR0101876728B1
Автор: 정해용, 박형호, 박경호, 신찬수, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 제1실리콘층, 절연막과 제2실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI기판의 제2실리콘층 상부와 제1실리콘층 하부에 제1상부보호막 및 제1하부보호막을 각각 형성하는 제1단계와, 상기 제1상부보호막에 캔틸레버 아암의 두께를 조절하기 위한 제1패턴을 형성하는 제2단계와, 상기 제1패턴으로 상기 제2실리콘층에 캔틸레버 아암의 두께만큼 제1식각영역을 형성하는 제3단계와, 상기 제1패턴이 형성된 상기 제1상부보호막에 탐침의 상부 기울기를 형성하기 위한 제2패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제3단계의 제1식각영역을 기준으로 상기 절연막의 상부면이 노출될 때까지 상기 제2패턴으로 상기 제2실리콘층을 캔틸레버 아암의 두께만큼 남도록 제거함에 따라 상기 제2패턴 영역에 상기 캔틸레버 아암 영역이 형성되고, 상기 탐침의 상부기울기를 형성하는 제5단계와, 상기 제1상부보호막 및 상기 제1하부보호막을 제거하고, 상기 제2실리콘층 상부 전 영역 및 상기 제1실리콘층 하부 전 영역에 제2상부보호막 및 제2하부보호막을 각각 형성하는 제6단계와, 상기 제2하부보호막에 상기 탐침의 하부 기울기를 형성하기 위한 제3패턴을 형성하는 제7단계와, 상기 제3패턴으로 상기 제1실리콘층을 일부 제거하여 상기 제1실리콘층에 제2식각영역을 형성하는 제8단계와, 상기 제3패턴이 형성된 제2하부보호막에 캔틸레버 지지대를 형성하기 위한 제4패턴을 형성하는 제9단계와, 상기 제8단계에서의 제2식각영역을 기준으로 상기 절연막의 하부면이 노출될 때까지 상기 제3패턴 및 제4패턴으로 상기 제1실리콘층을 제거하여 상기 캔틸레버 지지대를 형성하면서 상기 제1실리콘층을 일부만을 남기고 제거하는 제10단계와, 상기 제10단계에서 노출된 상기 절연막을 제거하여 제3식각영역을 형성하고, 상기 제3식각영역을 이용하여 상기 제2실리콘층을 탐침 하부 기울기를 갖도록 상기 제1실리콘층 일부와 함께 제거하는 제11단계와, 상기 제1실리콘층 일부가 제거되면 노출된 절연막과 제2상부보호막 및 제2하부보호막을 제거하는 제12단계를 포함하여 이루어지는 ...

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Номер записи: 10
27-07-2017 дата публикации

벤트홀이 형성된 마이크로 히터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 히터

Номер: KR0101758305B1
Автор: 성호근, 박범두, 이희관, 이용수, 최원명, 황선용, 유정상
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 마이크로 히터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 히터에 관한 것으로서, 기판 상에 멤브레인을 형성할 물질을 증착하고, 이를 패터닝하여 캐버티형(cavity type) 멤브레인을 형성하는 제1단계와, 상기 멤브레인 상에 전극을 형성할 물질을 증착하고, 이를 패터닝하여 전극패턴을 형성하는 제2단계와, 상기 전극패턴을 패터닝하여 상기 전극패턴에 상기 멤브레인의 캐버티와 연통하는 상부벤트홀(top vent-hole)을 형성하는 제3단계 및 상기 기판의 뒷면을 패터닝하여 에칭하여 상기 상부벤트홀과 연통하는 하부벤트홀(bottom vent-hole)을 형성하는 제4단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 벤트홀이 형성된 마이크로 히터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 히터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 마이크로 히터의 탑(top) 부분에 상부벤트홀(top vent-hole)을 형성하여 온도 변화에 따른 캐버티(cavity) 내부의 절대 압력 변화에 의한 구조적 안정성을 향상시키고, 상부벤트홀을 멤브레인이 아닌 전극이나 금속 요소에 형성함으로써, 멤브레인에 작용하는 물리적인 스트레스를 최소화하여 온도 및 압력이 급격하게 변하는 환경 등에서도 널리 활용할 수 있는 마이크로 히터를 제공하는 이점이 있다.

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Номер записи: 11
30-12-2015 дата публикации

Fabrication method of asymmetric nanostructures for metal and metal oxide

Номер: KR0101581437B1
Автор: 박형호, 허은진, 김신근, 이근우, 신현범, 성호근, 박경호, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 비대칭형 나노구조체의 형성방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계와, 상기 임프린트층 상에 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위한 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계와, 상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계와, 상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 공정에 의해 대면적의 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 얻을 수 있으며, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 압력 또는 방향에 따라 패턴의 비대칭성 정도를 조절할 수 있어 다양한 분야에 활용할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 12
02-05-2017 дата публикации

METHOD FOR FABRICATING SOLAR CELL INCLUDING FIBER

Номер: KR101731540B1
Автор: JUNG, SANG HYUN, CHOI, JE HYUK, KIM, CHANG ZOO, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, PARK, WON KYU, KANG, HO KWAN, LEE, JAE JIN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a fiber including a flexible solar cell and a method for fabricating the same. The solar cell including the fiber according to the present invention comprises a first electrode, a second electrode having a polarity different from that of the first electrode, a pn junction layer disposed between the first and second electrodes, an ARC disposed adjacent to the first electrode or the pn junction layer, and a fiber formed to surround the first electrode, the second electrode, the pn junction layer, and the ARC on the outside of the first electrode, the second electrode, the pn junction layer, and the ARC. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 13
17-07-2017 дата публикации

볼로미터 어레이 시스템 및 그를 이용한 온도 계측 방법

Номер: KR0101758306B1
Автор: 박범두, 성호근, 강호관, 최재원, 윤홍민, 임웅선, 박미림
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 제1TCR 성질을 갖고 저항값을 측정하는 하나 이상의 제1볼로미터; 및 상기 제1볼로미터와 상이한 제TCR 성질을 갖고 저항값을 측정하는 하나 이상의 제2볼로미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 어레이 시스템을 제공한다. 본 발명에 의하면, 볼로밑터가 측정한 현재 온도의 오차를 줄일 수 있다.

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Номер записи: 14
08-09-2017 дата публикации

은 나노와이어를 이용한 나노 패턴 메탈 메쉬 구현 공정 방법 및 이를 이용한 하이브리드 메탈 메쉬

Номер: KR0101775982B1
Автор: 임웅선, 성호근, 신현범, 허은진, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 은 나노와이어를 이용한 나노 패턴 메탈 메쉬 구현 공정 방법 및 이를 이용한 하이브리드 메탈 메쉬에 관한 것으로서, 상기 방법은, 기판 상에 은 나노와이어를 분산하고, 제1 임프린트 레진을 이용하여 상기 은 나노와이어의 패턴을 본 뜨는 패턴 형성 단계; 상기 제1 임프린트 레진에 형성된 상기 패턴을 제2 임프린트 레진으로 찍어내 상기 패턴을 포함한 메탈 몰드를 형성하는 단계; 및 제3 임프린트 레진을 포함한 투명 기판 상에, 상기 메탈 몰드의 상기 패턴을 찍어 패턴을 형성하고, 스퀴징(Squeezing) 및 열 경화(Thermal Curing) 공정을 거쳐 메탈 메쉬를 형성하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 15
03-03-2017 дата публикации

패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체

Номер: KR0101711551B1
Автор: 정상현, 박형호, 김창환, 임웅선, 강호관, 최재혁, 박원규, 성호근, 신현범, 박경호, 이재진
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속산화물 나노입자 구조체에 관한 것으로서, 기판 상에 금속레지스트를 코팅하여, 금속레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 금속레지스트층을 패턴화하여, 상기 기판의 일부 영역을 노출시키고, 일정 주기(c), 폭(a) 및 높이(b)를 갖는 금속레지스트 패턴을 형성하는 제2단계 및 상기 금속레지스트 패턴에 에너지를 가하여, 상기 금속레지스트에 포함된 유기물의 분해 및 금속 분자 간 응집에 따른 상기 금속레지스트 패턴의 주기(c), 폭(a) 및 높이에 대응하여 일정 주기(e),(f), 크기(d)를 갖는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은, 기판 상에 금속레지스트를 코팅하여 패턴을 형성하고, 에너지를 가하여 금속레지스트에 포함된 유기물의 분해 및 금속 분자 간 응집에 따라 소정의 주기 및 크기를 갖는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 형성하여, 간단한 방법으로 나노입자의 위치와 크기 및 배열 주기의 제어가 용이하여 미세 패턴의 제작이 용이한 이점이 있다.

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Номер записи: 16
02-11-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING PROBE CAPABLE OF CONTROLLING WAVELENGTHS AND PROBE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101564710B1
Автор: SUNG, HO KUN, LEE, KEUN WOO, CHOI, JAE WON, LEE, BYUNG OU, YOON, HONG MIN, LEE, HEE KWAN, LEE, YONG SU, LIM, WOONG SUN, PARK, MI LIM, PARK, BEOM DOO, KANG, HO KWAN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for manufacturing a probe integrated with light-emitting diodes and, more specifically, to a method for manufacturing a probe capable of controlling a wavelength and a probe manufactured thereby, which comprises: a first step of preparing a substrate; a second step of forming an alignment key for forming a light-emitting diode on some areas of the substrate to form a first electrode layer; a third step of forming multiple light-emitting diodes having different emission wavelengths on the substrate based on the alignment key; a fourth step of forming a metal interconnect electrode on the substrate, which is electrically connected to the light-emitting diode; a fifth step of forming an insulating film to cover the light-emitting diode, the whole area on the substrate, and the metal interconnect electrode; a sixth step of forming a pattern on the substrate to form a probe; a seventh step of polishing or etching the substrate to reduce the thickness ...

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Номер записи: 17
31-07-2017 дата публикации

집광형 태양광 발전 방법 및 시스템

Номер: KR0101762921B1
Автор: 정상현, 김창주, 김영조, 김강호, 전동환, 박형호, 최영수, 성호근, 박경호, 최재혁, 신현범, 박원규, 강호관, 이재진
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 18
23-03-2018 дата публикации

진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자

Номер: KR0101828293B1
Автор: 박형호, 황선용, 이근우, 임웅선, 윤홍민, 고유민, 조주영, 정상현, 성호근, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 진공증착 공정을 이용하여 나노구조체 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 제1단계와, 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 제2단계와, 진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체를 성장시키는 제3단계 및 상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하여 진공증착 공정을 이용하여 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성함으로써, 공정이 간단하면서 균일한 나노구조체 분포를 가지는 나노구조체 패턴의 형성이 용이하며, 열처리 공정이 필요하지 않아 고온에 취약한 고분자 기판과 같은 유연 기판 상에서의 나노구조체 패턴을 형성할 수 있고, 나노구조체의 형태 및 두께 변형 등을 최소화함으로써 고품질의 소자를 제공할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 19
08-08-2018 дата публикации

진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법 및 이를 이용한 센서 소자

Номер: KR0101886056B1
Автор: 박형호, 황선용, 이근우, 임웅선, 윤홍민, 고유민, 최재원, 정상현, 강성민, 성호근, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 진공증착 공정을 이용하여 나노구조체 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 기재를 준비하는 제1단계와, 상기 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 제3단계와, 진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 나노구조체를 성장시키는 제4단계 및 상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 이루어지되, 상기 제1단계의 기재의 표면을 소수성 표면처리 후 상기 제2단계의 마스크 패턴층을 형성하거나, 상기 제2단계의 마스크 패턴층을 형성한 후에, 상기 기재 상부의 노출된 일부 영역을 소수성 표면처리하는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 나노구조체 패턴 형성방법 및 이를 이용한 센서 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 나노구조체의 성장을 위해 필요한 나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하여 진공증착 공정을 이용하여 기재 상부에 나노구조체 패턴을 형성함으로써, 공정이 간단하면서 균일한 나노구조체 분포를 가지는 나노구조체 패턴의 형성이 용이하며, 열처리 공정이 필요하지 않아 고온에 취약한 고분자 기판과 같은 유연 기판 상에서의 나노구조체 패턴을 형성할 수 있고, 나노구조체의 형태 및 두께 변형 등을 최소화함으로써 고품질의 소자를 제공할 수 있는 이점이 있다.

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06-11-2015 дата публикации

synthetic mathod of self controlled MoS2 single layer by electroplating method and transistor using self controlled MoS2 single layer thereby

Номер: KR0101566851B1
Автор: 임웅선, 성호근, 이근우, 김신근, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 단일층 이황화몰리브덴 합성 방법에 관한 것으로서, 전기도금 공정을 이용하여 음극에 자기제어 이황화몰리브덴(MoS2) 단일층(self controlled MoS2single layer)을 증착시키는 제1단계와, 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 증착 후 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 결정화하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 단일층(single layer) 형성방법이 아닌 전기도금 공정에 의해 자기제어 방식으로 이황화몰리브덴 단일층이 합성되도록 하여, 저비용으로 이황화몰리브덴 단일층을 용이하게 구현할 수 있으며, 균일도가 개선되어 대면적, 고품질의 이황화몰리브덴 단일층을 제공할 수 있으며, 트랜지스터 재료에 적용할 수 있는 이점이 있다.

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25-06-2018 дата публикации

스트로크 보상이 가능한 반도체 소자 테스트용 플렉시블 컨택터 및 그 플렉시블 컨택터의 제조방법

Номер: KR0101870272B1
Автор: 성호근, 이희관, 이근우, 이기정, 전진국
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반도체 소자 테스트용 플렉시블 컨택터에 관한 것으로서, 반도체 소자의 단자와 검사장비의 검사회로 기판 사이에서 전기적으로 접속되어 반도체 소자를 테스트하는 컨택터에 있어서, 상기 반도체 소자의 단자에 대응되는 위치에 소정 깊이의 보상공간부가 복수개로 형성된 플렉시블 기판 및 상기 보상공간부 상단에 위치되고 외측부는 상기 플렉시블 기판 상에서 지지되어, 상기 반도체 소자의 단자의 접촉압력을 분산시키도록 형성된 전기접촉부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 스트로크 보상이 가능한 반도체 소자 테스트용 플렉시블 컨택터 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 플렉시블 기판 내에 보상공간부를 형성하고, 상기 보상공간부 상측에 전기접촉부가 지지되도록 형성하여, 제조 방법이 간단하며, 반도체 소자의 단자와의 접촉압력을 균형적으로 분산시켜 스트로크 보상이 가능하여 반도체 소자 테스트 시 신뢰성을 향상시키고 반도체 소자를 보호하는 이점이 있다.

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04-11-2016 дата публикации

계면 재결합 억제 박막 태양전지

Номер: KR0101672404B1
Автор: 전동환
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로서, GaAs 계열의 물질을 사용하는 광흡수층과, 상기 광흡수층 상측에 형성되며, 알루미늄을 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 제1윈도우층과, 상기 제1윈도우층과 상기 광흡수층 사이에 형성되며, 알루미늄을 포함하지 않는 화합물 반도체로 이루어진 제2윈도우층과, 상기 광흡수층 하측에 형성되는 BSF층 및 상기 BSF층 하측에 형성된 기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 계면 재결합 억제 박막 태양전지를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 윈도우층과 광흡수층 사이에 새로운 제2윈도우층을 도입하여 계면 재결합 속도 특성을 개선하여 전류 손실을 막아 태양전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.

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06-07-2018 дата публикации

METHOD FOR CONTINUOUSLY GROWING GaN AND GaAs EPITAXIAL LAYERS ON Si (111)/(001) SOI SUBSTRATE OR Si (001)/(111) SOI SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE MODULE USING GaN AND GaAs EPITAXIAL LAYERS CONTINUOUSLY FORMED ON Si (111)/(001) SOI SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101875416B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, LEE, IN GEUN, SONG, KEUN MAN, KIM, CHANG WAN, CHOI, JAE WON, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for growing a semiconductor epitaxial layer on an SOI (silicon (111) layer/insulator/silicon (001) layer) substrate, which comprises: a first step of removing a silicon (111) layer; a second step of depositing an insulating layer; a third step of removing the insulating layer to expose the silicon (111) layer; a fourth step of growing a GaN buffer layer; a fifth step of exposing the GaN buffer layer of a region of a blue LED epitaxial layer; a sixth step of growing the blue LED epitaxial layer; a seventh step of exposing a GaN buffer layer of a region of a green LED epitaxial layer; an eighth step of growing the green LED epitaxial layer on the GaN buffer layer; a ninth step of exposing a silicon (001) layer by patterning a region of a red LED epitaxial layer; a tenth step of growing the red LED epitaxial layer; and an eleventh step of removing the remaining insulating layer. Accordingly, provided is a semiconductor light emitting device having ...

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10-10-2016 дата публикации

가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체

Номер: KR0101663629B1
Автор: 박형호, 허은진, 김신근, 이근우, 신현범, 성호근, 박경호, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 비대칭형 나노구조체의 형성방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막 상에 형성되며, 패턴의 형태가 변형이 가능한 가변형 임프린트용 스탬프를 이용하여 형성되는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 포함하여 이루어지며, 상기 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체는, 기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계와, 상기 임프린트층 상에 플렉시블한 재질의 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴이 휘어짐 변형이 유발되는 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계와, 상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계와, 상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 구성되고, 상기 제1단계의 임프린트층의 두께는, 상기 가변형 임프린트용 스탬프로 상기 임프린트층을 가압시 임프린트층이 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴 사이로 충진이 완전히 되지 않도록 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴의 두께보다 상대적으로 더 얇게 형성되고, 상기 제2단계는, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 1.1bar~50bar의 압력으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압시키고, 선택적으로, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 상기 임프린트층과 가변형 임프린트용 스탬프의 계면에 평행한 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압시키는 것에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 공정에 의해 대면적의 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 얻을 수 있으며, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 압력 또는 방향에 따라 패턴의 비대칭성 ...

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10-05-2024 дата публикации

화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이

Номер: KR102665449B1
Автор: 강호관, 신현범
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 26
18-11-2022 дата публикации

표면 제어 3차원 구조체 형성방법, 이에 의해 형성된 표면 제어 3차원 구조체 그리고 이를 이용한 광전소자

Номер: KR102468450B1
Автор: 박형호, 황수진, 윤은정, 정해용, 정상현, 이병오, 윤홍민, 고유민, 신찬수, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 표면 제어 3차원 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 이루는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 식각마스크로 하여 상기 기재의 일부에 1차식각패턴을 형성하는 단계와, 최상층에서부터 순차적으로 상기 표면제어층을 제거하면서, 잔존 표면제어층을 식각마스크로 하여 상기 기재의 일부에 상기 1차식각패턴과 서로 다른 형상의 식각패턴을 중첩형성한 표면 제어 3차원 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 3차원 구조체 형성방법 및 이에 의해 형성된 표면 제어 3차원 구조체 그리고 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기재에 표면 제어 3차원 구조체를 형성시켜 기재의 표면을 제어(표면적 확장, 표면 형상 조절, 표면 특성 조절 등)하여 그 특성을 개선시키는 표면 제어 3차원 구조체를 제공하고, 이를 이용하여 광 추출 효율을 극대화시킨 광전소자를 제공하게 된다.

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Номер записи: 27
02-09-2016 дата публикации

나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용한 백색 발광소자

Номер: KR0101653530B1
Автор: 송근만, 김도현, 조주영, 김종민, 박형호, 최재혁
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 형광체 도포 공정이 필요없는(phosphor-free) 백색 발광소자에 관한 것으로서, GaN 기판 상에 마스크층을 형성하는 제1단계와, 상기 마스크층을 패터닝하여 상기 GaN 기판의 일부 영역을 노출시키는 나노패턴을 형성하는 제2단계와, 상기 나노패턴에 대응하여 상기 GaN 기판 상에 GaN을 선택적으로 성장시켜 서로 다른 결정면이 노출되도록 GaN 나노구조체를 성장시키는 제3단계 및 상기 GaN 나노구조체 상에 활성층을 포함하는 나노구조층을 성장시키는 제4단계를 포함하여 이루어지되, 상기 활성층은 상기 GaN 나노구조체의 결정면에 따라 유효 조성물의 함량이 달라 발광파장의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용한 백색 발광소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 활성층의 노출되는 결정면을 조절하여 각 유효 조성물의 함량을 제어하여 활성층의 발광파장을 조절할 수 있게 되어, 단일 소자 내에서 에피 성장 과정 중에 청색과 황색 발광을 유도하여 백색 발광을 구현할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 28
05-01-2016 дата публикации

SOLAR CELL INCLUDING EXTENDED LIGHT ABSORPTION REGION AND METHOD THEREOF

Номер: KR101582349B1
Автор: HEO, JONG GON, JUN, DONG HWAN, PARK, WON KYU, PARK, JIN HONG, LEEM, JUNG WOO, YOO, GWANG WE
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a solar cell including an extended light absorption region and a manufacturing method thereof. The solar cell includes a first cell generated based on a first substrate, a second cell which is generated based on a second substrate and has an extended horizontal area than the first cell to have an extended region, and at least one bonding metal which is bonds the first cell and the second cell. The second cell directly absorbs sunlight through an extension region. According to the present invention, photons are absorbed through an extended light absorption region. Thereby, the area of a bonding metal and the loss of a current generated by a lower cell defect can be improved. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 29
03-04-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING MICRO NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE ARRAY FOR DISPLAY AND MICRO NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE ARRAY FOR DISPLAY MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101721846B1
Автор: SONG, KEUN MAN, KIM, DO HYUN, KIM, JONG MIN, CHOI, JE HYUK
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for manufacturing a micro nitride-based light emitting diode array for a display, and a micro nitride-based light emitting diode array for a display manufactured thereby. The method for manufacturing a micro nitride-based light emitting diode array for a display includes: a first step of forming a dielectric mask layer on a GaN substrate; a second step of forming a nanopattern having a pattern hole exposing a partial area of the GaN substrate by patterning the dielectric mask layer; a third step of selectively growing the n-GaN layer on the GaN substrate having a partial area exposed by the pattern hole of the nanopattern and forming one unit LED structure per pattern hole by sequentially and selectively growing an active layer and a p-GaN layer; a fourth step of forming an n-type electrode on the GaN substrate and deposing an oxide between the unit LED structures; and a fifth step of forming the p-type electrode on the p-GaN substrate. Therefore ...

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Номер записи: 30
12-03-2018 дата публикации

질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 질화갈륨계 광검출 소자

Номер: KR0101836934B1
Автор: 박경호, 조주영, 박형호, 신찬수
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 제1 기판 상에 GaN 계열의 버퍼층, p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, p형 또는 n형 GaN층, 및 제1 전극을 구비하는 에피성장기판을 준비하는 단계; 제2 기판 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 접합기판을 준비하는 단계; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 연결되도록 본딩하는 단계; 상기 제1 기판을 제거한 후 상기 버퍼층을 제거하는 단계; 및 개방된 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 질화갈륨계 광검출 소자가 제공된다. 본 발명에 따르면, 단순한 공정 도입 및 고가의 기판 재활용이 가능하여 저가의 공정으로 고효율의 광검출기를 제조할 수 있으며, 유연한 소자에 활용 가능하고 고방열 특성이 필요한 극한 환경에서도 안정적으로 광검출 소자의 제조가 가능하다.

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Номер записи: 31
22-01-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER GROWING METHOD ON SILICON (001) SUBSTRATE

Номер: KR101587430B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU, KO, DAE HONG, KIM, DAE HYUN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for forming a high grade semiconductor device on a silicon substrate. A semiconductor epitaxial layer growing method on a silicon (001) substrate comprises: a first step of forming an aspect ratio trapping (ART) pattern by an insulating material to expose a silicon (001) side on the silicon (001) substrate through a patterning process; a second step of forming an arrow aspect ratio trapping (AART) pattern to expose a silicon (111) side on the lower side of the ART pattern through wet etching; a third step of forming an undercut on an interface between the insulating material and silicon as the exposure of the silicon (111) side on the lower side of the insulating material progresses; and a fourth step of growing a semiconductor layer on the upper side of an ART pattern area and an AART pattern area. Accordingly, a defect-free semiconductor device can be provided by forming a trapping pattern of an arrow shape wherein the silicon (111) side is exposed ...

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Номер записи: 32
30-10-2015 дата публикации

Electro Plating Machine for Controlling Voltage and Current Density and Electro Plating Method thereby

Номер: KR0101564702B1
Автор: 황선용, 신현범, 강호관, 고철기
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 전기 도금 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 기판을 수용하는 도금조와, 상기 기판의 피도금면에 대향되어 위치하며, 도금 금속이 연결되는 양극과, 상기 양극과 상기 기판과의 사이에 소정의 전기장이 형성되도록 상기 기판과 연결되는 음극을 포함하여 구성된 전기 도금 장치에 있어서, 기판에 전압을 인가하는 전원공급부와, 상기 전원공급부에 직렬연결된 가변저항부와, 상기 가변저항부 및 상기 기판에 병렬연결된 바이패스부와, 상기 전원공급부, 가변저항부 및 바이패스부와 연결되어 상기 기판에 인가되는 전압 및 전류 밀도를 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전압과 전류 밀도를 제어할 수 있는 전기 도금 장치 및 그 전기 도금 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전기도금 공정을 진행함에 있어, 최적 도금 공정이 가능한 전압과 전류 밀도를 동시에 제어할 수 있어 고품질의 도금 공정의 수행이 가능한 이점이 있다.

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Номер записи: 33
10-10-2016 дата публикации

변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드

Номер: KR0101663638B1
Автор: 전동환, 정해용, 신찬수, 박경호, 박원규, 김용수, 한상욱, 문성욱, 이인준, 김상인
Принадлежит: (재)한국나노기술원, 한국과학기술연구원, 아주대학교산학협력단

... 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위한 것으로서, 분리된 흡수층 및 증폭층(separate absorption and multiplication)을 갖는 애벌랜치 포토다이오드에 있어서, 상기 흡수층은 전계가 걸린 흡수층과 도핑된 흡수층의 조합으로 변형형성되고, 상기 도핑된 흡수층은, 상기 전계가 걸린 흡수층과 비흡수층 사이에 형성되며, 상기 전계가 걸린 흡수층의 도핑 농도보다 상대적으로 높은 도핑 농도를 가지는 도핑층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드를 기술적 요지로 한다. 이에 의해, 기존의 흡수층에 도핑층을 추가하여 변형된 도핑 흡수층을 형성하여, 주파수 특성을 유지하면서 효율은 증가시키는 이점이 있다.

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Номер записи: 34
27-10-2022 дата публикации

게이트 올 어라운드 채널을 갖는 반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR102459732B1
Автор: 이상태, 신찬수, 송창훈, 공민우, 장현철, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 게이트 올 어라운드 채널을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 선택적 희생층 및 채널층이 교번적으로 적층된 다중 나노쉬트 구조를 형성하는 단계, 다중 나노쉬트 구조를 선택적으로 식각하여 소스/드레인 재성장 영역을 형성하는 단계, 미리 설정된 채널 길이에 따라 선택적 희생층의 일부를 제거하는 단계, 소스/드레인 재성장 영역 및 선택적 희생층이 일부 제거된 영역 상에 소스/드레인 층을 형성하는 단계, 및 선택적 희생층의 나머지를 제거하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 35
29-06-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING LARGE-SCALE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE ON SILICON SUBSTRATE USING TRENCH STEPPED BY TRAP HOLE

Номер: KR101531875B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor device on a silicon substrate using a trench stepped by a trap hole. The key technology is a method for forming a large-scale compound semiconductor device by using a trench stepped by a trap hole, comprising: a first step of preparing a silicon substrate; a second step of laminating an oxide film on the silicon substrate; a third step of forming a trench stepped by a trap hole on the silicon substrate by exposing a part area of the silicon substrate by patterning the oxide film; and a fourth step of increasing a compound semiconductor layer on the trench stepped by the trap hole, and increasing a compound semiconductor on an upper side of the exposed silicon substrate area and the trench stepped by the trap hole after forming the trench stepped by the trap hole. Accordingly, the method provides a large scale compound semiconductor device without having a defect by trapping a penetrated front point which ...

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Номер записи: 36
06-12-2018 дата публикации

갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법

Номер: KR0101925565B1
Автор: 오세웅, 신찬수, 최재혁, 이규범, 박원규, 이태영
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 갈라짐 패턴을 형성함에 따라 에피층에 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 반도체 기판으로부터 에피층을 신속히 분리할 수 있는 이점이 있다.

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24-01-2017 дата публикации

실리콘 기판 상에 결함이 억제된 화합물 반도체 에피층의 성장방법

Номер: KR0101698747B1
Автор: 오세웅, 최재혁, 전동환, 최인혜
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 실리콘 기판 상에 화합물 반도체 에피층을 성장하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 상에 화합물 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서, 상기 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 사이에 탄성변형층의 형성과 열처리를 반복적으로 실시하여, 상기 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 간의 결함을 억제하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 결함이 억제된 화합물 반도체 에피층의 성장방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 사이에 탄성변형층의 형성과 열처리를 반복적으로 실시하여, 열처리 온도를 낮추고, 열처리 시간을 최소화하여 공정 시간을 단축시키며, 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 간의 계면에서 나타나는 결함들 간의 상호작용을 유도함으로써, 결함을 억제하여 화합물 반도체 소자의 성능을 개선시키는 이점이 있다.

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22-08-2017 дата публикации

수평방향으로 굴절률이 제어된 양면 패턴의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 양면 패턴

Номер: KR0101769749B1
Автор: 박형호, 정상현, 김창주, 김강호, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 수평방향으로 굴절률이 제어된 양면 패턴의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 양면 패턴에 관한 것으로서, 고분자 기판 상에 미세 구조체 패턴 및 얼라인키(align key)가 형성된 제1스탬프를 위치시켜 열간성형하여 상기 고분자 기판에 상기 제1스탬프의 미세 구조체 패턴과 역상인 제1패턴을 각인시키고, 얼라인키를 표시하는 제1단계와, 상기 제1패턴이 각인된 고분자 기판에서 상기 제1스탬프를 분리하여, 상기 고분자 기판 상에 제1패턴을 성형하는 제2단계와, 상기 제1패턴이 형성된 고분자 기판 상에 유동성 재료를 도포하여, 상기 제1패턴과 역상인 하측 패턴을 상기 유동성 재료 하측면에 형성하는 제3단계와, 상기 도포된 유동성 재료 상에 미세 구조체 패턴 및 얼라인키(align key)가 형성된 제2스탬프를 위치시켜 가압하고, 경화공정을 수행하여 상기 유동성 재료 상측면에 상기 제2스탬프의 미세 구조체 패턴과 역상인 상측 패턴을 각인시키는 제4단계 및 상기 상측 패턴이 각인된 유동성 재료에서 상기 제2스탬프를 분리하여, 상기 고분자 기판 상에 유동성 재료로 이루어진 양면 패턴을 성형하는 제5단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제4단계는, 상기 고분자 기판에 표시된 얼라인키와 상기 제2스탬프의 얼라인키를 정렬한 후 상기 유동성 재료 상에 상기 제2스탬프를 위치시켜 상기 유동성 재료의 수평방향으로 가해지는 상기 제2스탬프의 가압력을 제어하는 것을 특징으로 하는 수평방향으로 굴절률이 제어된 수평방향으로 굴절률이 제어된 양면 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 양면 패턴을 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 간단한 공정에 의해 양면 패턴을 동시에 성형할 수 있고, 특히 열간 성형 및 임프린트 공정 시 얼라인키를 이용함으로써, 수평방향으로의 굴절률이 제어된 양면 패턴을 제공할 수 있으며, 이후 이종의 기판 또는 박막에 용이하게 전사할 수 있어 다양한 분야에의 활용이 가능한 이점이 있다.

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22-12-2020 дата публикации

TEST CONTACTOR FOR INSPECTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR102194251B1
Автор: JUN DONG HWAN, KIM SUNG SOO
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

According to an embodiment of the present invention, provided is a contactor for inspecting a semiconductor device comprising: a conductive portion electrically connected to the semiconductor device, and made of a conductive gel; and an insulating support portion formed to surround the conductive portion and supporting the conductive portion.

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26-07-2016 дата публикации

반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈

Номер: KR0101642506B1
Автор: 최영수, 강호관, 박경호, 정상현
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈에 관한 것으로서, 태양광을 집광하는 광학시스템과, 상기 광학시스템에 의해 집광된 태양광이 입사되는 태양전지 셀을 포함하여 구성되어, 태양광 발전을 일으키는 태양전지 모듈에 있어서, 내부에 반사 공간이 형성되고, 내측면에 복수 개의 태양전지 셀이 장착되는 케이스와, 상기 케이스의 일측이 오픈형성되어, 상기 광학시스템에 의해 집광된 태양광이 상기 케이스 내부로 입사되도록 형성된 광입사부와, 상기 케이스의 내부 저면부에 형성되어, 상기 광입사부에 의해 입사된 태양광을 상기 반사 공간으로 반사시키도록 형성된 반사부 및 상기 케이스의 내부 표면에 형성되어, 상기 반사부에 의해 반사광을 확산 반사시켜 태양전지 셀에 제공하는 확산반사부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 단일 광학시스템 외에 별도의 광학시스템이 필요하지 않으며, 트래킹 시스템의 오차에 의해 초점이 어긋나는 경우에도 입사하는 태양광을 반사시켜 태양전지 셀로 제공하도록 하며, 다수의 태양전지 셀을 단일 모듈로 제공하여 장치의 구성이 간단하고, 설치가 편리한 이점이 있다.

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13-12-2017 дата публикации

ULTRA-THIN HALL SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR101808679B1
Автор: KIM, JONG MIN, SONG, KEUN MAN, KIM, CHANG WAN, CHO, CHU YOUNG, CHOI, JE HYUK
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to an ultra-thin hall sensor and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of the ultra-thin hall sensor according to a first embodiment of the present invention comprises: a step of forming a sacrificial layer on a wafer substrate; a step of forming an n-type contact layer on the sacrificial layer; a step of forming a hall sensor active layer on the n-type contact layer; a step of forming a buffer layer on the hall sensor active layer; a step of bonding a transfer target substrate to the upper surface of the buffer layer; and a step of removing the sacrificial layer to separate the wafer substrate from a lamination structure on the sacrificial layer. According to the present invention, a hall sensor device is transferred to a target substrate at once through thin-film hall sensor layer growth with an inverted structure in a hall sensor, thereby reducing the number of transfer times and simplifying the process to improve yield and to reduce manufacturing ...

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08-01-2021 дата публикации

Manufacturing method of back-contact solar cell back-contact solar cell and back-contact solar cell module thereby

Номер: KR102199166B1
Автор: 강호관, 신현범, 정상현, 김창주
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 에피성장용 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층에 메사 에칭을 진행하여 상기 반도체층을 복수개의 단위 반도체층 셀로 분리하는 제2단계와, 각 단위 반도체층 셀의 상부에 제1전극, 메사 영역에 제2전극을 형성하고, 상기 반도체층의 측면을 절연하기 위한 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 제1전극 및 제2전극, 상기 절연층이 형성된 단위 반도체층 셀 전면(total surface)에 유연기판을 형성하는 제4단계와, 상기 유연기판에 상기 제1전극 및 제2전극에 대응하는 영역에 상하로 관통하는 전극연결부를 형성하는 제5단계와, 상기 전극연결부에 전도성 재료를 충진시키는 제6단계와, 상기 에피성장용 기판을 상기 반도체층으로부터 박리시키고, 공정용 임시기판을 상기 유연기판에 부착시키는 제7단계와, 상기 단위 반도체층 셀의 캡 에칭(cap etching) 및 ARC(anti-reflection coating) 공정을 수행한 후 각 단위 반도체층 셀을 분리하고, 상기 공정용 임시기판을 분리하는 제8단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 후면 전극 태양전지 그리고 이를 이용한 후면 전극 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 태양전지의 후면에 제1전극 및 제2전극이 동시에 위치하는 후면 전극 태양전지를 제공하며, 와이어 본딩 공정 등이 전혀 필요치 않아 공정을 단순화시키고, 전극 간 연결부위가 안정적으로 이루어지도록 하여 생산성 및 내구성을 향상시키는 이점이 있다.

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12-08-2015 дата публикации

PROCESS FOR MANUFACTURING DEVICE COMPRISING DEPLETION REGION

Номер: KR101543602B1
Автор: JUN, DONG HWAN, SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

According to an aspect of the present invention, provided is a process for manufacturing a device comprising a depletion region, which includes: a preparation step of preparing a substrate; an insulating wall forming step of forming an insulating wall, where a pattern exposing the substrate is formed, on the substrate; an epi layer forming step of forming an epi layer including a defective layer by growing an intrinsic semiconductor epitaxially on the substrate exposed on the position of the pattern; a doping step of doping a first type dopant on the surface of the defective layer; and a step of forming and doping a device layer comprising a depletion layer by forming the device layer under the environment including a second type dopant on an upper part of the defective layer. By the present invention described in the above, the depletion region is made by adding a different type of dopant from the device in the initial stage of growing the device on the substrate, and thus electrons and ...

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09-09-2016 дата публикации

파장변환소자 및 이의 제조방법

Номер: KR0101656206B1
Автор: 김종민, 송근만, 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 파장변환소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 Ga, N를 포함하는 4종류의 원소를 포함하여 이루어진 질화물 반도체로서, 제1방향으로 분극(polarization)이 형성된 제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를 포함하는 4종류의 원소를 포함하여 이루어진 질화물 반도체로서, 상기 제1종질화물반도체블럭에 접하며, 상기 제1종질화물반도체블럭에 형성된 분극과 반대방향인 제2방향으로 분극이 형성된 제2종질화물반도체블럭;를 포함하고, 상기 제1종질화물반도체블럭의 측면에 상기 제2종질화물반도체블럭이 접하여 분극교차구조를 이루며, 일측에서 상기 제1종질화물반도체블럭으로 입사되어 상기 제1종질화물반도체블럭 및 상기 제2종질화물반도체블럭을 투과하는 입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를 발생시키는 것을 특징으로 하기 때문에 광의 진행방향에 대한 수직방향으로 분극이 교차로 변하는 구조(분극교차구조)를 InAlGaN을 기반으로 하는 질화물반도체를 통해 구현해 냄으로써 준위상정합(Quasi Phase Matching)을 실현해 낼 수 있게 되었으며, 보다 넓은 파장영역대에서 2차조화파 발생을 통한 UV 레이저를 제조할 수 있는 기술이 개시된다.

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29-07-2015 дата публикации

Method of Manufacturing Semiconductor Element Using Laser Lift-Off Process and Double Transference

Номер: KR0101540080B1
Автор: 이근우, 김신근, 최재원, 이병오, 윤홍민, 이용수, 임웅선, 이희관, 박미림, 성호근, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따르면, 기판 상에 반도체층을 형성하는 반도체층 형성 단계; 레이저 리프트 오프 공정을 통해 제1유연필름으로 상기 반도체층을 전사하는 제1전사단계; 및 상기 제1유연필름으로부터 상기 반도체층을 제2유연필름으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 상기 구성에 의한 본 발명은, 반도체층을 성장시킬 때 드러났던 표면이 외부에 노출되도록 반도체층을 분리할 수 있는 효과가 있다.

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22-12-2020 дата публикации

Rollable hybrid solar cell module device

Номер: KR102194268B1
Автор: 윤세왕, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 비집광형 발전(PV) 및 집광형 발전(CPV)을 동시에 활용할 수 있는 복합형 태양전지 모듈 장치에 관한 것으로서, 비집광형 발전 및 집광형 발전을 동시에 활용하는 복합형 태양전지 모듈 장치에 있어서, 비집광형 태양전지 셀 어레이와, 상기 비집광형 태양전지 셀의 모서리 부분의 비워진 영역에 각각 형성된 집광형 태양전지 셀이 배치된 하부패널과, 상기 하부패널의 상측에 형성되어, 태양광을 투과 또는 집광시키는 광학시트가 형성된 상부패널과, 상기 하부패널로부터 상기 상부패널을 소정 간격으로 이격시키고 고정시키는 지지대를 포함하며, 상기 상부패널에 형성되어 상기 광학시트를 롤러블 구동시키는 롤링수단이 구비된 것을 특징으로 하는 롤러블 복합형 태양전지 모듈 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 비집광형 발전 및 집광형 발전을 위한 광학계가 롤러블 광학시트에 연속적으로 형성되어 태양광의 조사 조건에 대응하여 용이하게 대체가 가능하여 고효율 발전이 가능한 태양전지 모듈 장치를 제공하는 것이다.

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13-03-2018 дата публикации

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101837623B1
Автор: 김종민, 송근만, 조주영, 최재혁
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판의 상면에 금속층을 형성한 후, 금속층 위에 금속층의 일정 영역을 노출하는 개구를 가지는 소정 패턴의 마스크층을 형성하는 단계와; 마스크층의 개구에 복수의 n-질화물 나노막대 구조물을 형성하는 단계와; 복수의 n-질화물 나노막대 구조물 위에 n형 클래드층, 활성층을 포함한 다중양자우물 디스크 구조체 또는 다중양자우물 동축 구조체, 및 p형 클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계와; p형 클래드층 위에 p-질화물을 소정 높이로 형성하는 단계와; 마스크층을 제거하여 금속층을 노출시키는 단계와; 노출된 금속층의 표면과 복수의 나노막대 구조물 사이의 공간에 절연물질을 충전하고 경화시키는 단계; 및 복수의 나노막대 구조물의 상단면 및 절연물질의 상단면에 걸쳐 금속 콘택층을 형성 및 금속 콘택층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 기판상에 형성된 금속층 또는 금속재질의 기판상에 질화물 나노막대 구조의 발광소자를 형성함으로써, 발광소자의 n-전극을 용이하게 형성할 수 있고, 발광소자에 의한 광방출시 나노막대 하부의 금속층 또는 금속 기판에 의한 반사로 광추출 효율을 증진시킬 수 있다.

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Номер записи: 48
20-09-2017 дата публикации

METHOD TO MANUFACTURE FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE AND FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101775977B1
Автор: KIM, YOUNG JO, JUNG, SANG HYUN, KIM, KANG HO, KIM, CHANG ZOO, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method to manufacture a flexible solar cell module, improving electric and thermal characteristics of an existing flexible solar cell; and a flexible solar cell module manufactured thereby. According to the present invention, the method comprises: a first step of forming a semiconductor layer on an upper part of a bulk substrate; a second step of forming a rear electrode layer on an upper part of the semiconductor layer; a third step of forming a conductive flexible substrate on an upper part of the rear electrode layer; a fourth step of removing the bulk substrate to separate a semiconductor cell including the conductive flexible substrate, the rear electrode layer, and the semiconductor layer, and forming the semiconductor cell on a temporary substrate to be adjacent to the conductive flexible substrate; a fifth step of manufacturing a plurality of solar cells on a partial region on the upper part of the semiconductor layer formed on the temporary substrate ...

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15-05-2018 дата публикации

진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자

Номер: KR0101857647B1
Автор: 박형호, 황선용, 이근우, 임웅선, 윤홍민, 고유민, 정해용, 조주영, 최재원, 정상현, 최영수, 강성민, 최원명, 조영대, 성호근, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 진공증착 공정을 이용하여 금속나노구조체 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 기재 상부의 일부 영역을 노출시키는 마스크 패턴층을 형성하는 제1단계와, 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체의 성장을 위해 필요한 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하는 제2단계와, 진공증착 공정에 의해 상기 기재의 노출된 영역 및 상기 마스크 패턴층 상부에 금속나노구조체를 성장시키는 제3단계와, 상기 마스크 패턴층을 제거하여, 상기 기재의 노출된 영역에 금속나노구조체를 형성하여 상기 기재 상부에 금속나노구조체 패턴을 형성하는 제4단계 및 상기 금속나노구조체를 이용하여 상기 기재의 일부 영역을 습식식각하여 하이브리드 패턴을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 금속나노구조체의 성장을 위해 필요한 금속나노구조체의 최소 임계반지름을 만족하는 진공증착 조건을 설정하여 진공증착 공정을 이용하여 기재 상부에 금속나노구조체 패턴을 형성하고 이를 이용하여 기재를 습식식각하여 기재의 일부 영역에 하이브리드 패턴을 제공하고자 하는 것이다.

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Номер записи: 50
10-10-2017 дата публикации

저 암전류 아발란치 포토다이오드

Номер: KR0101783648B1
Автор: 정해용, 전동환, 신찬수, 박경호, 박원규, 김민수, 한상욱, 문성욱, 김상인
Принадлежит: (재)한국나노기술원, 한국과학기술연구원, 아주대학교산학협력단

... 본 발명은, 저 암전류 아발란치 포토다이오드로서, 증폭층의 중심부에 형성되는 멀티플리케이션(multiplication) 영역과 그 주변에 형성되는 비-멀티플리케이션 영역을 포함하는 상기 증폭층; 및 상기 증폭층 상단의 수광부에 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 멀티플리케이션 영역 및 비-멀티플리케이션 영역의 일부를 포함하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 51
28-08-2015 дата публикации

manufacturing method of semiconductor devices with trench and semiconductor devices thereby

Номер: KR0101548241B1
Автор: 김동현, 고유민, 성호근, 윤홍민, 김창환, 박덕수
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로서,기판 상에 화합물 반도체층이 형성되는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기 반도체 소자에 트렌치 구조를 형성하기 위해 패터닝된 마스크를 준비하는 제1단계와, 상기 화합물 반도체층을 상기 패터닝된 마스크를 이용하여 기판과 화합물 반도체층의 계면까지 에칭하여 상기 기판의 표면이 노출되도록 하는 제2단계와, 상기 노출된 기판을 기판 영역에서 측면 식각을 이용하여 상기 기판과 화합물 반도체층의 계면에서 일정 깊이로 식각된 "凸" 형상의 트렌치 구조를 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법 및 그에 의한 반도체 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판에 트렌치 구조를 형성하여 기판과 화합물 반도체층의 계면에서 일정 깊이까지 기판 영역이 제거된 트렌치 구조에 의해 기생 경로를 분리시킴으로 반도체 소자의 항복 전압을 개선하는 이점이 있다.

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Номер записи: 52
04-11-2016 дата публикации

4원계 질화물 전력반도체소자 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101672396B1
Автор: 김종민, 고유민, 송근만, 허종곤, 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.

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Номер записи: 53
06-11-2015 дата публикации

Light Converging Photovoltaic Module and Module Assembly Utilizing the Reflected Light of Slope

Номер: KR0101566854B1
Автор: 최영수, 박경호, 정상현
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명의 일 측면에 의하면, 경사진 형태의 비아홀을 포함하는 PCB; 상기 비아홀의 바닥면에 부착된 광소자;및 상기 광소자와 상기 PCB를 연결하는 와이어 본딩; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 경사면의 반사광을 활용하는 집광형 광소자 모듈을 제공한다. 이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, PCB에 구비된 경사진 형태의 비아홀 바닥에 광소자를 구비하고 경사면에 금속을 도금함으로써, 광소자에 빛이 모아져서 발전 효율이 높아지는 효과가 있다.

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Номер записи: 54
30-05-2018 дата публикации

마이크로 히터를 구비한 센서 제조 방법

Номер: KR0101862076B1
Автор: 박경호, 조주영, 박형호, 고유민, 성호근, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 마이크로 히터를 구비하는 센서를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로 히터를 구비한 고전자 이동도 트랜지스터 구조 센서의 제조 방법은, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성된 GaN층, 상기 GaN층 상에 형성된 것으로 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성된 검지물질층을 구비하는 고전자 이동도 트랜지스터 구조물을 준비하는 단계와; 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 검지물질층 상부에 일시적으로 본딩 가능한 물질을 형성한 후 제2 기판을 본딩하는 단계와; 제3 기판, 및 상기 제3 기판 상에 공동구조나 마이크로 구멍 구조를 형성하고, 제 3 기판의 접합을 준비하는 단계와; 상기 버퍼층으로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계와; 상기 제1 기판을 분리한 후, 제1기판이 분리된 에피층에 마이크로 히터를 형성하는 단계와; 상기 마이크로 히터 구조를 형성한 후, 상기 제3 기판의 공동구조나 구멍에 마이크로 히터가 위치할 수 있도록 상기 제3 기판을 상기 버퍼층에 본딩하는 단계와; 상기 제3 기판을 본딩한 후 상기 고전자 이동도 트랜지스터 구조물에서 상기 제2 기판을 분리하는 단계를 포함한다.

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22-06-2017 дата публикации

MULTI-CHANNEL MICROELECTRODE FOR EEG SIGNAL MEASUREMENT

Номер: KR101749511B1
Автор: SUNG, HO KUN, KIM, SHIN KEUN, LEE, HEE KWAN, CHOI, JI HYUN, KIM, SU HAK
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

Provided is a multi-channel microelectrode for EEG signal measurement which includes a thin-film-type flexible substrate; a conductive material formed on the thin-film-type flexible substrate, a ground electrode, a recording electrode, and an interconnect pad; a first connector or a first wireless communication module; and a first PCB substrate. The ground electrode and the recording electrode are connected to the interconnect pad through the conductive material. The interconnect pad is fixed to one surface of the first PCB substrate and connected to the first connector or the first wireless communication module. According to the present invention, it is possible to connect a microelectrode made of a thin-film-type flexible substrate having a micrometer-level thickness to a connector without concerns for detachment of the microelectrode, so that EEG can be stably measured regardless of the movement of a test object. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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09-11-2016 дата публикации

메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법

Номер: KR0101673971B1
Автор: 박형호, 김서연, 허은진, 신현범, 성호근, 강호관, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 도즈보다 낮고 임계경화되는 도즈보다 높은 도즈로 광경화를 수행하는 메타-광경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체의 제공이 용이하며, 완전경화가 되지 않을 정도의 도즈에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감시키는 이점이 있다.

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06-12-2022 дата публикации

표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 그리고 이를 이용한 광전소자

Номер: KR102474391B1
Автор: 박형호, 윤은정, 정해용, 정상현, 고유민, 신찬수, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 이에 의한 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 및 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 기재의 표면 제어(표면적 확장, 표면 형상 조절, 표면 특성 조절 등) 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성함으로써 양자점의 양(Quantity)의 제어가 용이하여 그 적용성을 높일 수 있다.

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29-06-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES WITH LARGE AREA ON SILICON SUBSTRATE BY USING STEP TRENCH

Номер: KR101531870B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for manufacturing compound semiconductor devices on a silicon substrate, and more specifically, to a method for manufacturing compound semiconductor devices with large area on a silicon substrate by using a step trench, comprising: a first step of preparing the silicon substrate; a second step of depositing an oxide film on the silicon substrate; a third step of patterning the oxide film, exposing some areas of the silicon substrate, and forming the step trench on the silicon substrate; and a fourth step of forming the step trench, and growing a compound semiconductor layer above the exposed silicon substrate area and the upper side of the step trench. Accordingly, the step trench is formed on the silicon substrate so that provided is a defect free compound semiconductor device with large area by trapping penetration potential generated from an interface between silicon and a compound semiconductor. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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26-03-2025 дата публикации

CMOS-NEM CMOS-NEM-based associative memory augmentation neural network device and manufacturing method thereof

Номер: KR102785984B1
Автор: 정상현, 박경호, 김진현, 김상수, 박형호, 최영수, 박덕수, 조주영, 김창환, 황선용, 임웅선, 이동근, 박성민, 김재무, 강수정
Принадлежит: (재)한국나노기술원, 서울대학교산학협력단

... 본 발명은 CMOS-NEM 기반 연상형 메모리 증대 신경망 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, CMOS-NEM 기반 연상형 메모리 증대 신경망 소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 캔틸레버 라인과, 상기 캔틸레버 라인으로부터 이격되어 형성되며, 상기 캔틸레버 라인의 스위칭 작동에 의해 선택적으로 접촉되는 제1신호라인 및 제2신호라인을 포함하고, 상기 캔틸레버 라인의 스위칭 작동 영역을 확보하고, 상기 캔틸레버 라인과 상기 제1신호라인 및 제2신호라인을 포함하는 작동공간부가 형성되며, 상기 작동공간부의 일영역에는 수직 방향으로 하나 이상의 지지대가 형성된 것을 특징으로 하는 CMOS-NEM 기반 연상형 메모리 증대 신경망 소자 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다.

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30-09-2022 дата публикации

유연 자기 센서 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 자기 센서

Номер: KR102449792B1
Автор: 정상현, 박경호, 김종민, 정해용, 김창주, 박형호, 최영수
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 유연 자기 센서 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 자기 센서에 관한 것으로서, 웨이퍼 기판 상에 희생층을 형성하는 제1단계와, 상기 희생층 상에 홀센서층을 형성하는 제2단계와, 상기 홀센서층 상에 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층 상에 접합층을 형성하여, 상기 홀센서층, 절연층 및 접합층을 포함하는 홀센서 구조체를 형성하는 제4단계와, 상기 접합층 상에 유연 기판을 접합하는 제5단계와, 상기 희생층을 제거하여 상기 웨이퍼 기판을 상기 홀센서 구조체로부터 분리하는 제6단계 및 상기 홀센서 구조체의 상기 홀센서층 상부에 전극을 형성하는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 자기 센서 제조방법 및 이에 의해 제조된 유연 자기 센서를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 유연 자기 센서에 절연 물질 구조를 적용함으로써 유연 자기 센서의 홀 전압(감도)을 향상시키면서, 유연 기판으로의 전사 공정을 이용하여 전자기기의 박막화 및 유연화를 도모하여 소형화 패키징이 가능하여 박막형 전자기기 및 유연 전자기기에 적용이 가능한 이점이 있다.

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01-02-2024 дата публикации

플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 플렉서블 태양전지 모듈

Номер: KR102632464B1
Автор: 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법은 유연 기판, 상기 유연 기판의 일정 영역에 구비된 하부 전극층, 상기 하부 전극층의 일정 영역에 구비된 에피층, 상기 에피층의 일정 영역에 구비된 전면 전극을 포함하는 2 이상의 태양 전지셀을 포함하는 태양전지 모듈을 준비하는 단계; 상기 태양전지 모듈 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 시드 금속을 증착하여 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층이 형성된 상기 태양전지 모듈 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 전기 도금을 수행하여 연결배선을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 시드층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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08-09-2017 дата публикации

조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101775979B1
Автор: 박범두, 성호근, 이근우, 이병오, 임웅선, 이동근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조기 항복전압을 막을 수 있는 p-n 접합 반도체 소자는, 기판과; 기판 위에 적층 형성되는 반도체 동작층을 포함하고, 반도체 동작층의 소정 부위에는 p-n 접합으로 이루어지는 소정 높이의 돌출부가 형성되되, 상기 돌출부의 가장자리 면(edge surface)은 하반부가 수직면으로 이루어지고 상반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성되거나, 상반부가 수직면으로 이루어지고 하반부는 곡면 또는 경사면 형태로 형성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체 소자의 가장자리 면 부분을 반곡면(half-curved) 또는 경사면(chamfered) 형태로 형성함으로써, 반도체 소자의 가장자리 면의 공핍층 두께를 벌크(bulk) 영역에 비해 상대적으로 더 두껍게 확장하여 반도체 소자의 조기 항복전압을 억제할 수 있다. 또한, 반도체 소자의 가장자리 면 부분에 형성된 경사면이 5∼10°의 경사각도로 되어 있어 단차 피복이 우수한 산화 처리가 가능하며, 이에 따라 전류 붕괴 현상을 개선하는 등의 우수한 신뢰성을 가지는 반도체 소자의 제공이 가능하다.

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01-10-2015 дата публикации

METHOD FOR GROWING VARIOUS KINDS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYERS ON SILICON (001) SUBSTRATE

Номер: KR101556090B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for forming a semiconductor device with high quality on a silicon substrate and, more particularly, to a method for growing a semiconductor epitaxial layer on a silicon substrate. The method for growing the semiconductor epitaxial layer on the silicon substrate according to the embodiment of the present invention includes a first step of forming an aspect ratio trapping (ART) pattern by an insulation material, a second step of forming an arrow aspect ratio trapping (AART) pattern, a third step of forming an undercut on an interface of silicon and the insulation material, and a fourth step of growing the semiconductor layer on the upper sides of the AART pattern region and the ART pattern region. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 64
02-12-2016 дата публикации

메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법

Номер: KR0101681753B1
Автор: 박형호, 김서연, 허은진, 신현범, 성호근, 강호관, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속 산화물 복합 구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체의 제공이 용이하며, 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감시키는 이점이 있다.

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Номер записи: 65
18-11-2022 дата публикации

투명 태양전지 및 이의 제조 방법

Номер: KR102468454B1
Автор: 신현범, 강호관, 정상현
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 투명 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 레이저를 이용하여 투명 기판 상면에 음각 패턴을 형성하는 단계, 및 레이저를 이용하여 음각 패턴 상에 단위 태양전지 셀을 형성하고, 단위 태양전지 셀 사이의 광 투과 영역을 개방하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 66
31-12-2015 дата публикации

manufacturing method of white LED using nanorod and white LED thereby

Номер: KR0101581438B1
Автор: 김종민, 송근만, 신찬수
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 형광체 도포 공정이 필요없는(phosphor-free) 백색 발광소자에 관한 것으로서, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판 상에 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 마스크층을 패터닝하여 상기 기판의 일부 영역을 노출시키는 패턴을 형성하는 단계 및 상기 기판의 노출된 영역 상에 발광층을 포함하는 질화물계 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 나노막대의 직경 또는 간격을 조절함으로써 나노막대 간 그림자 효과(shadow effect)에 따른 상기 나노막대의 유효 조성물의 함량을 제어하여, 상기 발광층의 발광파장을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노막대를 이용한 백색 발광소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 나노막대 형태로 발광층을 형성함으로서, 형광체 없는 백색 광원의 제조가 가능하며, 발광층을 나노막대 형태로 형성하여 결함밀도를 최소화하여 고품질의 발광소자의 제조가 가능한 이점이 있다.

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Номер записи: 67
11-11-2015 дата публикации

SYSTEM AND METHOD FOR OBTAINING COLOR IMAGE USING INFRARED RAYS

Номер: KR0101568172B1
Автор: 전동환, 신찬수, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 적외선 컬러 영상 획득 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 적외선 컬러 영상 획득 시스템은 둘 이상의 적외선 파장을 피사체에 조사하는 적외선 조사 장치; 및 상기 적외선 조사 장치에 의해 조사되고 상기 피사체에 의해 반사된 상기 둘 이상의 적외선 파장을 감지하고, 감지된 상기 둘 이상의 적외선 파장을 미리 결정된 기준에 따라 변환 및 조합하여 컬러 영상으로 변환하는 컬러 영상 획득 장치를 포함하고, 상기 컬러 영상 획득 장치는 반사된 상기 둘 이상의 적외선 파장을 감지하는 촬상 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 68
26-03-2025 дата публикации

CMOS-NEM Curved CMOS-NEM-based associative memory augmentation neural network device and manufacturing method thereof

Номер: KR102785999B1
Автор: 정상현, 박경호, 김진현, 김상수, 박형호, 최영수
Принадлежит: (재)한국나노기술원, 서울대학교산학협력단

... 본 발명은 곡면형 CMOS-NEM 기반 연상형 메모리 증대 신경망 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 캔틸레버 라인과, 상기 캔틸레버 라인으로부터 이격되어 형성되며, 상기 캔틸레버 라인의 스위칭 작동에 의해 선택적으로 접촉되는 제1신호라인 및 제2신호라인을 포함하고, 상기 캔틸레버 라인의 스위칭 작동 영역을 확보하고, 상기 캔틸레버 라인과 상기 제1신호라인 및 제2신호라인을 포함하는 작동공간부가 형성되며, 상기 작동공간부는 곡면형으로 형성된 것을 특징으로 하는 곡면형 CMOS-NEM 기반 연상형 메모리 증대 신경망 소자 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다.

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Номер записи: 69
18-03-2016 дата публикации

METHOD OF MANUFACTURING MICRO-PROBE WITH DOWNWARD LIGHT EMITTING TYPE LIGHT SOURCE-COUPLED WAVEGUIDE, AND MICRO-PROBE MANUFACTURED BY SAME

Номер: KR101604307B1
Автор: SUNG, HO KUN, LEE, JONG GEUN, LEE, KEUN WOO, LEE, BYUNG OU, LEE, HEE KWAN, LEE, YONG SU, KIM, SHIN KEUN, CHOI, JI HYUN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method of manufacturing a micro-probe and a micro-probe manufactured by the same. In a method of manufacturing a micro-probe including a main body and a waveguide formed on the front of the main body to induce light stimulus, the method of manufacturing a micro-probe with a downward light emitting type light source-coupled waveguide according to the present invention includes: a first step of forming a waveguide-shaped pattern in a partial region on a substrate by an etching process; a second step of forming a core and a clad in the waveguide-shaped pattern region to form a waveguide; a third step of coating a reflector for coupling a light source and the waveguide on a boundary surface of the waveguide and the main body; a fourth step of forming the light source on the top of the reflector such that the light source emits light downwards to the reflector; and a fifth step of forming a pattern for forming a probe on the substrate to separate a probe-shaped ...

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Номер записи: 70
27-08-2015 дата публикации

METHOD FOR GROWING VARIOUS KINDS OF SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYERS ON SOI (001) SUBSTRATE

Номер: KR101547535B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for forming various kinds of semiconductor epitaxial layers on an SOI substrate. The method for manufacturing various kinds of semiconductor epitaxial layers on the SOI substrate according to the present invention includes a first step of removing a top silicon layer, a second step of depositing a protection layer, a third step of forming an aspect ratio trapping (ART) pattern, a forth step of forming an arrow aspect ratio trapping (AART) pattern, a fifth step of forming an undercut, and a sixth step of growing a semiconductor layer on the upper sides of the ART pattern and the AART pattern. The present invention easily obtains various kinds of semiconductor epitaxial layers without defects on the SOI substrate. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 71
16-11-2022 дата публикации

표면 제어 3차원 나노구조체 형성방법, 이에 의해 형성된 표면 제어 3차원 나노구조체 그리고 이를 이용한 광전소자

Номер: KR102467610B1
Автор: 박형호, 윤은정, 황수진, 김현웅, 정상현, 최영수, 박범두, 성호근, 신찬수, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 표면 제어 3차원 나노구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 제1나노구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 3차원 나노구조체 형성방법, 이에 의해 형성된 표면 제어 3차원 나노구조체 그리고 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기재에 표면 제어 3차원 나노구조체를 형성시켜 기재의 표면을 제어(표면적 확장, 표면 형상 조절, 표면 특성 조절 등)하여 그 특성을 개선시키는 표면 제어 3차원 나노구조체를 제공하고, 이를 이용하여 광 추출 효율을 극대화시킨 광전소자를 제공하게 된다.

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Номер записи: 72
03-03-2016 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF GAN BASED LIGHT EMITTING DIODE HAVING COMPLEX PATTERN FORMED THEREIN THROUGH WET ETCHING AND GAN BASED LIGHT EMITTING DIODE HAVING COMPLEX PATTERN FORMED THEREBY

Номер: KR101598845B1
Автор: KIM, CHANG HWAN, PARK, HYEONG HO, SHIN, HYUN BEOM
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a manufacturing method of a complex pattern through a wet etching and a light emitting diode using the same. The manufacturing method of a light emitting diode includes the following steps: forming a p-type electrode on a substrate; forming a p-type GaN based semiconductor layer; forming a GaN based activation layer; forming an n-type GaN based semiconductor layer; forming a photoresist pattern; forming a mask pattern layer; forming a complex pattern on the n-type GaN based semiconductor layer; and forming an n-type electrode. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Photoresist pattern (BB) Buffer layer (CC) Photo resist (D1,D2,D3,D4) N-type GaN-based semiconductor layer (E1,E2,E3,E4,E5,E6,E7) GaN-based MOW layer (F1,F2,F3,F4,F5,F6,F7) P-type GaN-based semiconductor layer (G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7) P-type electrode (H1,H2,H3,H4,H5,H6,H7) Substrate (II) Mask pattern layer (JJ) N-type electrode ...

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Номер записи: 73
15-06-2015 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF PROBE WITH MONOLITHICALLY INTEGRATED MICRO-CHIP AND PROBE MANUFACTURED BY SAME

Номер: KR101528558B1
Автор: SUNG, HO KUN, CHOI, JI HYUN, KANG, HO KWAN, KIM, SHIN KEUN, PARK, BEOM DOO
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention provides a manufacturing method of a probe with a monolithically integrated micro-chip and a micro-chip manufactured by the same. The manufacturing method of the present invention comprises: a first step of preparing a substrate; a second step of forming a micro-chip in an area on the substrate; a third step of forming a metallic wiring electrode electrically connected to the micro-chip on the substrate; a fourth step of forming an insulator film to wrap around the micro-chip, all areas of the substrate, and the metallic wiring electrode; a fifth step of forming a pattern for forming the probe on the substrate; a sixth step of polishing or etching for reducing the thickness of the substrate; and a seventh step of separating a pattern in the shape of the probe from the substrate. Therefore the present invention makes the probe into a substrate by monolithically integrating the micro-chip on the substrate to reduce the thickness of the probe, and increases a medical ...

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09-01-2019 дата публикации

반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자

Номер: KR0101936060B1
Автор: 조주영, 박경호, 박형호, 고유민, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법에 관한 것으로서, 레이저에 의해 제1대상체로부터 제2대상체를 분리시키는 레이저 리프트 오프 방법에 있어서, 제1대상체 및 제2대상체 사이에 희생분리층을 형성하되, 상기 희생분리층은 상기 제1대상체 및 제2대상체의 밴드갭보다 상대적으로 작은 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제작용 레이저 리프트 오프 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 종래의 지지기판으로부터 질화물계 반도체층을 분리하는 공정을 개선하여, 분리를 원하는 영역에 희생분리층을 도입하여 분리하고자 하는 대상의 제한이 없도록 한 것이다.

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02-03-2023 дата публикации

고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법

Номер: KR102504967B1
Автор: 송창훈, 고대홍, 신찬수, 장현철, 이상태, 공민우, 김신근
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 고감도 센서용 반도체 소자의 제조방법은 Si(111), Ge(111) 또는 InP(111) 기판 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계; 상기 유전체 마스크층을 패터닝하여 상기 기판의 일부 영역을 노출시키는 패턴홀이 구비된 나노홀 패턴을 형성하는 단계; 상기 나노홀 패턴의 패턴홀에 의해 일부 영역이 노출된 상기 기판 상에 III-V족 화합물 반도체 나노 와이어를 선택적으로 성장시키는 단계; Te를 주입하여 상기 반도체 나노 와이어의 측면 성장을 촉진시켜 반도체 나노 기둥을 형성하는 단계; 및 이웃한 상기 반도체 나노 기둥이 결합되어 연속적인 반도체 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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08-06-2017 дата публикации

매질 분석 장치 및 그 방법

Номер: KR0101744011B1
Автор: 전동환
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 매질 분석 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 둘 이상의 파장을 갖는 빛을 발생시키는 광원, 상기 빛이 통과하는 매질, 상기 매질을 통과한 빛 중 서로 다른 파장을 갖는 빛을 필터링하는 둘 이상의 필터, 상기 필터를 통과한 서로 다른 파장을 갖는 빛을 검출하는 둘 이상의 검출기, 및 상기 둘 이상의 검출기에 의해 검출된 결과의 비율 또는 결과의 차이에 기초하여 상기 매질에 포함된 입자의 농도를 분석하는 분석기를 포함한다. 본 발명에 따르면, 소형화된 매질 분석 장치를 구현할 수 있다.

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10-12-2015 дата публикации

manufacturing method of high power Red Light-Emitting Diodes

Номер: KR0101576471B1
Автор: 박형호, 이근우, 최재혁, 허은진, 김창환, 문아영, 김신근, 성호근, 신찬수, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 고출력 적색 발광다이오드의 제작방법에 관한 것으로서, 나노 스케일로 표면 요철을 형성하여 광추출 효율을 증대시키는 적색 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 박막 상층에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상층에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상층에 감광성 금속유기물 전구체층을 형성하는 단계와, Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 준비하는 단계와, 상기 감광성 금속유기물 전구체층을 상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프로 가압하고, 빛 조사 또는 가열 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속유기물 전구체층을 경화하여 금속산화박막패턴층을 형성하는 단계와, 상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 상기 금속산화박막패턴층으로부터 제거하는 단계와, 상기 금속산화박막패턴층, 고분자층 및 유전체 마스크층을 건식식각마스크로 이용하여 상기 박막을 건식식각하는 단계와, 잔류된 유전체 마스크층을 제거하는 단계 및 상기 제거된 유전체 마스크층 영역 일부에 리프트오프 공정에 의해 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해, 적색 발광다이오드의 제조시 나노임프린트 공정과 건식식각을 이용하여 박막의 표면에 대면적의 균일한 표면요철을 형성하여 나노러프닝(nano-roughening)을 유도하여 광추출 효율이 향상된 적색 발광다이오드를 제공하는 이점이 있다.

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01-12-2017 дата публикации

플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈

Номер: KR0101796012B1
Автор: 정상현, 김창주, 김영조, 김강호, 박형호, 강호관, 최재혁, 박원규, 신현범
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지에 관한 것으로서, 벌크 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층 상부에 경화성 수지층을 형성하는 제2단계와, 상기 경화성 수지층을 패터닝하고 경화하여, 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 형성시키는 제3단계와, 상기 홀패턴 내부에 후면전극을 형성시키는 제4단계와, 상기 벌크 기판을 제거하는 제5단계와, 상기 반도체층 하부에 전면전극을 형성하는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 적용하여 플렉시블 기판 사용시 문제되는 전기적 및 열적 특성을 향상시켜 태양전지의 성능을 개선시킬 수 있도록 하였으며, 이러한 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 태양전지는 직렬로 연결하여 모듈 형태로 사용할 시에 후면전극 연결문제를 해결하고, 무게를 획기적으로 줄일 수 있는 초경량 플렉시블 태양전지 또는 초경량 플렉시블 태양전지 모듈을 제공할 수 있는 이점이 있다.

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16-08-2018 дата публикации

III-V족 화합물 활용층 형성용 기판 및 III-V족 화합물 활용층 제조방법

Номер: KR0101888585B1
Автор: 오세웅, 박원규, 최재혁, 신찬수, 이태영
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 III-V족 화합물 활용층 형성용 기판 및 III-V족 화합물 활용층 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 실리콘기판의 상측 면상에 III-V족 화합물로 완충층을 형성시키는 A단계; 상기 A단계에서 형성된 상기 III-V족 화합물 완충층의 상측 면에 희생층을 형성시키는 B단계; 상기 B단계에서 형성된 상기 희생층의 상측에 III-V족 화합물로 활용층을 형성시키는 C단계; 및 상기 B단계에서 형성된 상기 희생층을 제거하여 상기 C단계에서 형성시킨 상기 활용층을 분리해내는 D단계; 를 포함하므로 내부결함의 발생이 억제된 고품질의 III-V족 화합물 활용층을 대면적으로 제조할 수 있으며, 자원을 절약하고, 제조비용을 감축시킬 수 있는 기술이 개시된다.

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01-06-2016 дата публикации

Recycling Substrate Structure Including Strain Compensation Layer, Making Method Therefor and Device Manufacturing Method

Номер: KR0101626393B1
Автор: 전동환, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명의 일 측면에 의하면, 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판과 상이한 격자상수를 가진 희생층을 상기 기판 상에 성장시키는 희생층 성장 단계; 상기 기판과 상기 희생층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가진 보상층을 상기 희생층 상에 성장시키는 보상층 성장 단계;및 상기 보상층 상에 소자층을 성장시키는 소자층 형성 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조 생성방법을 제공한다. 이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, 희생층을 두텁게 성장시킬 수 있게 함 으로써, 소자를 손쉽게 제거할 수 있는 효과가 있다.

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05-07-2018 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL LIGHT-RECEIVING SOLAR CELL AND BIFACIAL LIGHT-RECEIVING SOLAR CELL THEREBY

Номер: KR101866298B1
Автор: KANG, HO KWAN, JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, SHIN, HYUN BEOM, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a manufacturing method of a bifacial light-receiving solar cell and a bifacial light-receiving solar cell thereby. The manufacturing method of a bifacial light-receiving solar cell comprises: a first step of forming a first solar cell on an upper portion of a support substrate; a second step of forming an ohmic contact layer on an upper portion of the first solar cell; a third step of forming a second solar cell on an upper portion of the ohmic contact layer; a fourth step of removing the support substrate; a fifth step of forming a first electrode on a front surface of the first solar cell after removing the support substrate; a sixth step of forming a second electrode on a lower portion of the ohmic contact layer by mesa etching after forming the first electrode; a seventh step of forming a third electrode on a front surface of the second solar cell; and an eighth step of forming a fourth electrode on the upper portion of the ohmic contact layer by mesa ...

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10-10-2016 дата публикации

변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드

Номер: KR0101663644B1
Автор: 전동환, 정해용, 신찬수, 박경호, 박원규, 김용수, 한상욱, 문성욱, 이인준, 김상인
Принадлежит: (재)한국나노기술원, 한국과학기술연구원, 아주대학교산학협력단

... 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위한 것으로서, 흡수층 및 증폭층이 각각 분리되어 형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치 포토다이오드에 있어서, 상기 흡수층은 전계가 걸린 흡수층과 도핑 및 조성변화층의 조합으로 이루어지되, 상기 도핑 및 조성변화층은, 상기 전계가 걸린 흡수층과 비흡수층 사이에 형성되며, 상기 전계가 걸린 흡수층의 도핑 농도보다 상대적으로 높은 도핑 농도를 가지면서, 상기 화합물 반도체의 조성을 기판에 대해 10% 오차범위 내에서의 격자부정합 또는 정합이 유지되도록 변형하여 형성되는 것을 특징으로 하는 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드를 기술적 요지로 한다. 이에 의해, 도핑이 되어 있으면서 조성 변화가 이루어진 도핑 및 조성변화층은 소수 캐리어의 에너지 밴드를 가변함으로써 전계를 인가하여 캐리어 이동을 돕게 되어, 캐리어가 증폭층으로 도달하는 속도를 가속할 수 있도록 하여, 효율 특성 및 응답 속도를 더욱 개선시키는 이점이 있다.

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01-10-2015 дата публикации

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER ON SOI (001) SUBSTRATE

Номер: KR101556089B1
Автор: SHIN, CHAN SOO, CHO, YOUNG DAE, JUN, DONG HWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU, KO, DAE HONG, KIM, DAE HYUN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for forming a semiconductor epitaxial layer with high quality on an SOI substrate and, more particularly, to a method for growing a semiconductor epitaxial layer on an SOI (top silicon layer/insulation material/bottom silicon layer) substrate. The method for growing the semiconductor epitaxial layer on the SOI substrate according to the embodiment of the present invention includes a first step of removing a top silicon layer, a second step of depositing a protection layer, a third step of forming an aspect ratio trapping (ART) pattern, a fourth step of forming an arrow aspect ratio trapping (AART) pattern, a fifth step of forming an undercut on the interface of a bottom silicon layer and an insulation material, and a sixth step of growing the semiconductor layer on the upper sides of the AART pattern region and the ART pattern region. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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