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29-01-2024 дата публикации

복수의 서브 피막으로 이루어지는 경질 피막을 가지는절삭공구

Номер: KR102629996B1
Автор: 권진한, 안승수, 박제훈, 조영주, 김형진
Принадлежит: 한국야금 주식회사

... 본 발명은 내열 합금 가공 시에도 우수한 내마모성 및 내용착성의 경질 피막을 가지는 절삭공구를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 절삭공구는 경질 모재와 상기 경질 모재 상에 형성되는 경질 피막을 포함하고, 상기 경질 피막은 교대 적층되는 복수의 서브 피막을 포함하고, 상기 서브 피막은 입방정 결정구조를 가지면서 Zr, Nb, Hf, Ta 중 적어도 한가지 이상의 금속원소를 포함하고 C, N, O 중 적어도 하나 이상을 포함하며, (111)면간거리는 2.49Å 이상이고, (200)면간거리는 2.16Å 이상일 수 있다.

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Номер записи: 1
02-02-2017 дата публикации

POWER SAVING METHOD OF CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер: KR1020170011534A
Автор: PARK, SUNG IL, KWON, JIN HAN, SONG, IN HWAN, BAN, YUN SIK, NAM, JUNG WOOK, KIM, HAK GOO
Принадлежит:

The present invention relates to a power saving method of a chiller for a semiconductor process, which comprises the steps of: measuring a load amount applied to a process facility connected to a chiller; determining whether a load is applied to the process facility from the measured load amount; driving a compressor with the minimum number of rotation, and opening a hot gas valve with the maximum open rate when the load is not applied to the process facility; and driving the compressor with a predetermined number of rotation according to the measured load amount, and opening the hot gas valve with the minimum open rate when the load is applied to the process facility. Therefore, power consumption of the compressor is reduced, and power consumption of a brine heater is reduced by using hot gas supplied from the hot gas valve as a heating source. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 2
12-10-2017 дата публикации

CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS USING THERMOELEMENT

Номер: KR1020170112781A
Автор: PARK, SUNG IL, KWON, JIN HAN, SONG, IN HWAN, BAN, YUN SIK, NAM, JUNG WOOK
Принадлежит:

The present invention provides a chiller for a semiconductor process to save a space and reduce maintenance costs. The chiller for a semiconductor process has a refrigerant path in which a compressor, a condenser, an electronic expansion valve, and an evaporator are installed to circulate a refrigerant, and a brine path which circulates a brine cooling semiconductor process equipment and heat-exchanging with the refrigerant in the evaporator. The compressor comprises: a thermoelement composed of a heat absorbing part and a heat generating part; heat radiation plates attached to the outer surfaces of the heat absorbing part and the heat generation part, respectively; and a cooling fan installed on the outer side of the heat radiation plates. A refrigerant supply line connected to the rear end of the compressor passes through the heat radiation plate attached to the heat absorbing part, and a refrigerant recovery line connected to the rear end of the evaporator passes through the heat radiation ...

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Номер записи: 3
14-10-2022 дата публикации

내박리성이 향상된 경질피막을 구비한 절삭공구

Номер: KR102454038B1
Автор: 조영주, 김경일, 권진한, 김형진, 박제훈, 안승수
Принадлежит: 한국야금 주식회사

... 본 발명은 절삭공구를 구성하는 모재의 표면에 코팅되는 경질피복층의 밀착성을 현저하게 향상시킴으로써, 절삭공구의 수명을 연장시킬 수 있는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따른 절삭공구는, 모재와 상기 모재 상에 경질피막이 형성된 것으로, 상기 모재와 경질피막 사이의 경계면에 있어서, 상기 모재의 표면에는 다수의 미세돌기가 형성되어 있고, 상기 미세돌기는 대략 반구형으로 돌출된 형상으로 이루어지며, 상기 미세돌기 중 적어도 일부의 표면에는, 주기율표의 4족, 5족, 6족 및 Al, Si, B 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 다량 포함하는 층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 4
04-06-2020 дата публикации

HARD COATING FOR CUTTING TOOL

Номер: WO2020111657A1
Автор: PARK, Je-hun, GWON, Jin-han, AHN, Seung-su
Принадлежит:

A hard coating for cutting tools according to the present invention is a hard coating for cutting tools which is formed adjacent to a hard matrix by a PVD method, and is characterized in that: the hard coating has a thickness of 0.5-10㎛ in total and one or more nitride layers and one or more oxide layers wherein the one or more nitride layers are each 0.1-5.0㎛ in thickness and composed of AlaTibMecN (Me is at least one selected from Si, W, Nb, Mo, Ta, Hf, Zr, and Y, 0.55≤a≤0.7, 0.2＜b≤0.45, 0≤c＜0.1) or AlaCrbMecN (Me is at least one selected from Si, W, Nb, Mo, Ta, Hf, Zr, and Y, 0.55≤a≤0.7, 0.2＜b≤0.45, 0≤c＜0.1) in a cubic phase, and the one or more oxide layers are each 0.1-3.0㎛ in thickness and composed of γ-Al2O3 in a cubic phase; when the number of compositionally discontinuous interfaces across the entirety of the hard coating including the hard matrix is n, 4≤n≤9; the ratio of the microhardness of the nitride layer (H1) to the microhardness (H2) of the oxide layer satisfies 1.03 < ...

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Номер записи: 5
30-06-2017 дата публикации

반도체 공정용 칠러의 전력 절감방법

Номер: KR0101752740B1
Автор: 박성일, 권진한, 송인환, 반윤식, 남정욱, 김학구
Принадлежит: 유니셈(주)

... 칠러와 연결된 공정설비에 인가되는 부하량을 산출하고, 산출된 부하량으로부터 공정설비에 부하가 인가되는지를 판단하여 공정설비에 부하가 인가되지 않는 경우, 압축기를 최소 회전수로 운전하고 핫가스 밸브를 최대의 개도율로 개방하며, 공정설비에 부하가 인가되는 경우, 압축기를 산출된 부하량에 따라 기설정된 회전수로 운전하고 핫가스 밸브를 최소 개도율로 개방함으로써, 압축기에 의한 전력소모가 감소되고 핫가스 밸브로부터 공급되는 핫가스를 브라인의 가열 소스(source)로 사용하여 브라인 히터에 의한 전력소모가 감소되도록 한다.

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Номер записи: 6
13-03-2018 дата публикации

열전소자를 적용한 반도체 공정용 칠러

Номер: KR0101837702B1
Автор: 박성일, 권진한, 송인환, 반윤식, 남정욱
Принадлежит: 유니셈 주식회사

... 압축기와 응축기와 전자식 팽창밸브 및 증발기가 설치되어 냉매가 순환하는 냉매 경로를 구비하고, 반도체 공정설비를 냉각하고 증발기에서 냉매와 열교환하는 브라인이 순환하는 브라인 경로를 구비하며, 응축기가, 흡열부와 발열부로 구성된 열전소자; 흡열부와 발열부 각각의 외면에 부착된 방열판; 및 방열판 외측에 설치된 냉각팬으로 구성되며, 압축기 후단에 연결된 냉매 공급배관이 흡열부에 부착된 방열판을 통과하고, 증발기 후단에 연결된 냉매 회수배관이 발열부에 부착된 방열판을 통과하는 것을 특징으로 하는 열전소자를 적용한 반도체 공정용 칠러가 개시된다.

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Номер записи: 7
05-10-2022 дата публикации

절삭공구용 경질 피막

Номер: KR102450097B1
Автор: 권진한, 안승수, 박제훈
Принадлежит: 한국야금 주식회사

... 본 발명은 초경합금, 써멧, 세라믹, 입방정 질화붕소와 같은 경질모재와 이 경질모재 상에 형성되는 경질피막으로 이루어진 절삭공구에 관한 것이다. 본 발명에 따른 절삭공구용 경질 피막은, 절삭공구의 모재 상에 다층 구조로 형성되고, 상기 경질피막은 산화물로 이루어진 피막 1층 이상과, 질화물로 이루어진 피막 1층 이상을 포함하고, 상기 경질피막 전체에 있어서, 상기 절삭공구의 인선(edge) 중심에서의 O/(O+N)의 비율이 상기 인선 중심으로부터 100㎛ 이상 떨어진 영역의 O/(O+N)의 비율에 비해 낮은 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 8
05-04-2024 дата публикации

절삭공구용 경질 피막

Номер: KR20240044987A
Автор: 권진한, 안승수, 박제훈, 조영주, 김형진
Принадлежит:

... 본 발명은 내용착성 및 내마모성이 우수한 경질피막 절삭공구를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서 제공하는 절삭공구는 경질 피막을 가지고, 상기 경질 피막은, 상기 경질 피막의 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛이내 범위에서 표면 거칠기를 측정할 때 거시적인 표면 조도인 제1 거시조도(macro_SaR1)는 상기 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛밖에서 표면 거칠기를 측정할 때 거시적인 표면 조도인 제2 거시조도(macro_SaR2) 보다 작고, 상기 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛이내 범위에서 표면 거칠기를 측정할 때 미시적인 표면 조도인 제1 미시조도(micro_SaR1)는 상기 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛밖에서 표면 거칠기를 측정할 때 미시적인 표면 조도인 제2 미시조도(micro_SaR2) 보다 작고, 상기 인선으로부터 플랭크면 방향으로 100㎛이내 범위에서 표면 거칠기를 측정할 때 거시적인 표면 조도인 제3 거시조도(macro_SaF1)는 상기 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛밖에서 표면 거칠기를 측정할 때 거시적인 표면 조도인 제4 거시조도(macro_SaF2) 보다 작고, 상기 인선으로부터 플랭크면 방향으로 100㎛이내 범위에서 표면 거칠기를 측정할 때 미시적인 표면 조도인 제3 미시조도(micro_SaF1)는 상기 인선으로부터 레이크면 방향으로 100㎛밖에서 표면 거칠기를 측정할 때 미시적인 표면 조도인 제4 미시조도(micro_SaF2) 보다 작을 수 있다.

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Номер записи: 9
18-10-2017 дата публикации

HEAT-EXCHANGING CHILLER DEVICE

Номер: KR101786564B1
Автор: KWON, JIN HAN, KIM, DONG WOOK, SONG, IN HWAN, BAN, YUN SIK
Принадлежит: UNISEM CO., LTD.

The present invention discloses a heat-exchanging chiller device capable of not damaging a heat exchanger due to a coolant and minimizing power consumption of a heater. According to the present invention, a refrigerant recovered by a process chamber is divided to flow in a first passage passing through a heater and a second passage passing through a heat exchanger and a refrigerant flow rate control valve, and in a process where the refrigerants having passed through the first and second passages are mixed, an aperture of the refrigerant flow rate control valve is adjusted based on temperature sensed by temperature sensors installed, respectively, on a supply side and a recovery side of the process chamber such that the temperature of the mixed refrigerant is adjusted to predetermined temperature. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Supply coolant (BB) Collect the coolant ...

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Номер записи: 10
07-03-2019 дата публикации

HARD COATING HAVING EXCELLENT ABRASION RESISTANCE AND TOUGHNESS

Номер: WO2019045235A1
Автор: PAKR, Je-hun, AHN, Seung-su, PARK, Seong-mo, GWON, Jin-han, KIM, Kyoung-il, KIM, Beom-sik, AHN, Sun-yong
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to provide a hard coating having improved abrasion resistance and toughness, formed by a PVD method, and comprising a first hard layer and a second layer, wherein: the first hard layer has a thickness of 0.1-3.0 μm, is made of Til-aAlaN (0.3≤a≤0.7) and has a single phase structure; the second hard layer has a thickness of 0.5-10 μm and is made of Til-a-bAlaMebN (0.3≤a≤0.7, 0≤b≤0.05; Me is one or more selected from V, Zr, Si, Nb, Cr, Mo, Hf, Ta and W); the ratio ([200]/[111]) of the intensity of [200] peak to the intensity of [111] peak is 1.5 or more in XRD phase analysis and preferred growth occurs in the direction [200]; the [200] peak is located at 42.7-44.6°and is simultaneously composed of three phases; the [111] peak is located at 37.0-38.5° and is simultaneously composed of three phases; and, when a peak having the highest intensity among peaks relating to the three phases is a main peak and the remaining peaks are side peaks, the ratio (main ...

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Номер записи: 11
08-05-2024 дата публикации

경질피막이 형성된 절삭공구

Номер: KR102663475B1
Автор: 조영주, 안승수, 박제훈, 권진한, 김형진, 이재문
Принадлежит: 한국야금 주식회사

... 본 발명은 초경합금, 서멧(cermet), CBN과 같은 경질모재 상에 경질피막이 형성된 절삭공구에 관한 것이다. 본 발명에 따른 절삭공구는 경질모재와, 상기 경질모재 상에 형성된 경질피막을 포함하고, 상기 경질피막은 Ti(1-x)SixN(x는 원자비)로 이루어진 제 1 피막을 포함하고, 상기 절삭공구의 여유면과 경사면이 만나는 지점을 인선부 R이라고 하고, 인선부 R에서 상기 경사면과 여유면 방향으로 50㎛ 범위 이내에 있어서 상기 제 1 피막의 Si 원자비를 Rx라 할 때, 0 Подробнее

Номер записи: 12