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12-10-2017 дата публикации

CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS OF REFRIGERANT DIRECT EVAPORATION METHOD

Номер: KR1020170112277A
Принадлежит:

Disclosed is a chiller for a semiconductor process of a refrigerant direct evaporation method in which heat of a process chamber is directly exchanged by a refrigerant circulating in the chiller and the process chamber. The chiller for a semiconductor process comprises: a refrigerant line configured by sequentially disposing a condenser, a liquid receiver, and an electronic expansion valve on the front of the process chamber around a compressor and sequentially disposing an evaporation pressure control valve and a heat exchanger on the back of the process chamber, to be connected to the compressor so that the refrigerant is circulated; a coolant line collecting a coolant supplied to the condenser from the condenser, supplying the coolant to the heat exchanger, and collecting the coolant after heat exchange at the heat exchanger; and a suction refrigerant temperature control valve which is installed on the coolant line on the back of the heat exchanger and controlled by a control part based ...

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02-02-2017 дата публикации

POWER SAVING METHOD OF CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS

Номер: KR1020170011534A
Принадлежит:

The present invention relates to a power saving method of a chiller for a semiconductor process, which comprises the steps of: measuring a load amount applied to a process facility connected to a chiller; determining whether a load is applied to the process facility from the measured load amount; driving a compressor with the minimum number of rotation, and opening a hot gas valve with the maximum open rate when the load is not applied to the process facility; and driving the compressor with a predetermined number of rotation according to the measured load amount, and opening the hot gas valve with the minimum open rate when the load is applied to the process facility. Therefore, power consumption of the compressor is reduced, and power consumption of a brine heater is reduced by using hot gas supplied from the hot gas valve as a heating source. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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12-10-2017 дата публикации

CHILLER FOR SEMICONDUCTOR PROCESS USING THERMOELEMENT

Номер: KR1020170112781A
Принадлежит:

The present invention provides a chiller for a semiconductor process to save a space and reduce maintenance costs. The chiller for a semiconductor process has a refrigerant path in which a compressor, a condenser, an electronic expansion valve, and an evaporator are installed to circulate a refrigerant, and a brine path which circulates a brine cooling semiconductor process equipment and heat-exchanging with the refrigerant in the evaporator. The compressor comprises: a thermoelement composed of a heat absorbing part and a heat generating part; heat radiation plates attached to the outer surfaces of the heat absorbing part and the heat generation part, respectively; and a cooling fan installed on the outer side of the heat radiation plates. A refrigerant supply line connected to the rear end of the compressor passes through the heat radiation plate attached to the heat absorbing part, and a refrigerant recovery line connected to the rear end of the evaporator passes through the heat radiation ...

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01-04-2024 дата публикации

피크 컷 모듈을 적용한 칠러장치

Номер: KR102652924B1
Принадлежит: 유니셈 주식회사

... 피크 부하를 빠르게 흡수 및 저장하여 온도 헌팅을 감소시킬 수 있는 칠러장치가 개시된다. 상기 칠러장치는 메인 설비로부터의 회수라인에서 증발기 전단에 설치되는 피크 컷 모듈(pick cut module)을 구비하고, 피크 컷 모듈은 회수라인을 흐르는 고온 브라인에 의한 순간적인 피크 부하를 흡수하고 저장한다.

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30-06-2017 дата публикации

반도체 공정용 칠러의 전력 절감방법

Номер: KR0101752740B1
Принадлежит: 유니셈(주)

... 칠러와 연결된 공정설비에 인가되는 부하량을 산출하고, 산출된 부하량으로부터 공정설비에 부하가 인가되는지를 판단하여 공정설비에 부하가 인가되지 않는 경우, 압축기를 최소 회전수로 운전하고 핫가스 밸브를 최대의 개도율로 개방하며, 공정설비에 부하가 인가되는 경우, 압축기를 산출된 부하량에 따라 기설정된 회전수로 운전하고 핫가스 밸브를 최소 개도율로 개방함으로써, 압축기에 의한 전력소모가 감소되고 핫가스 밸브로부터 공급되는 핫가스를 브라인의 가열 소스(source)로 사용하여 브라인 히터에 의한 전력소모가 감소되도록 한다.

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13-03-2018 дата публикации

열전소자를 적용한 반도체 공정용 칠러

Номер: KR0101837702B1
Принадлежит: 유니셈 주식회사

... 압축기와 응축기와 전자식 팽창밸브 및 증발기가 설치되어 냉매가 순환하는 냉매 경로를 구비하고, 반도체 공정설비를 냉각하고 증발기에서 냉매와 열교환하는 브라인이 순환하는 브라인 경로를 구비하며, 응축기가, 흡열부와 발열부로 구성된 열전소자; 흡열부와 발열부 각각의 외면에 부착된 방열판; 및 방열판 외측에 설치된 냉각팬으로 구성되며, 압축기 후단에 연결된 냉매 공급배관이 흡열부에 부착된 방열판을 통과하고, 증발기 후단에 연결된 냉매 회수배관이 발열부에 부착된 방열판을 통과하는 것을 특징으로 하는 열전소자를 적용한 반도체 공정용 칠러가 개시된다.

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27-12-2016 дата публикации

FIRE RETARDANT POLYSTYRENE MATERIAL COMPOSITION USING 가-GRADE BEAD PROCESS TYPE 2 STYROFOAM WASTE MATERIAL

Номер: KR101689675B1
Автор: NAM, JUNG UK
Принадлежит: NAM, JUNG UK

The present invention relates to a flame retardant polystyrene material composition using a 가-grade bead process type 2 Styrofoam waste material which is difficult to be recycled. The flame retardant polystyrene material composition is obtained by mixing and melting a pulverized 가-grade bead process type 2 Styrofoam waste material containing calcium carbonate (CaCO_3) with an additive mixture containing a non-decabromo flame retardant, antimony trioxide (Sb_2O_3), a heat stabilizer, a carbon black master batch and a polystyrene rubber master batch so as to provide both moldability and flame resistance. The composition is treated to have 4-5 wt% of residual calcium carbonate-containing foreign materials and a content of flame retardant of 14-16 wt%, based on 100 wt% of the pulverized 가-grade bead process type 2 Styrofoam waste material. The flame retardant polystyrene material composition comprises: 80-82 wt% of the pulverized 가-grade bead process type 2 Styrofoam waste material containing ...

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01-12-2017 дата публикации

냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러

Номер: KR0101803931B1
Автор: 남정욱, 서석원
Принадлежит: 유니셈(주)

... 칠러와 공정 챔버를 순환하는 냉매에 의해 상기 공정 챔버와 직접 열 교환이 이루어지는 냉매 직접증발 방식의 반도체 공정용 칠러가 개시된다. 압축기를 기준으로 응축기, 수액기, 및 전자식 팽창밸브가 상기 공정 챔버 전단에 순서대로 배치되고, 상기 공정 챔버 후단에 증발압력 제어밸브와 열교환기가 순서대로 배치되어 상기 압축기로 연결되어 상기 냉매가 순환하는 냉매 라인을 구성하고, 상기 응축기로 공급되는 냉각수가 상기 응축기에서 회수되어 상기 열교환기로 공급되고, 상기 열교환기에서 열교환 후 회수되는 냉각수 라인을 구성하며, 상기 열교환기 후단의 상기 냉각수 라인에, 상기 열교환기 후단의 냉매 라인의 흡입냉매의 온도에 기초하여 제어부에 의해 제어되는 흡입냉매 온도제어 밸브가 설치된다.

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11-05-2017 дата публикации

ALKALI TREATMENT METHOD FOR VISCOSE RAYON FABRICS USING CARBON DIOXIDE

Номер: KR1020170050341A
Принадлежит:

The present invention relates to an alkali treatment method for viscose rayon fabrics using carbon dioxide. More specifically, the present invention relates to a method for neutralizing using gaseous carbon dioxide in an attempt to treat viscose rayon fabrics with alkali. Through treatment of gaseous carbon dioxide after immersion of cellulose fabrics into caustic soda, it is possible to increase strength, gloss, crease recovery, shrink resist, and dyeing properties and also to produce linen-like fabrics whose textures are similar to yam. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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31-07-2017 дата публикации

이산화탄소를 이용한 비스코스레이온직물의 알칼리처리방법

Номер: KR0101763146B1
Принадлежит: (주)진흥염직

... 본 발명의 이산화탄소를 이용한 비스코스레이온직물의 알칼리처리방법은 비스코스레이온직물을 알칼리처리함에 있어서 이산화탄소가스를 이용하여 중화하는 방법에 관한 것으로서 셀룰로오스 직물의 가성소다 침지 후, 이산화탄소가스 처리에 의해 강력증대, 광택, 방추도, 방축성, 염색성 등을 향상시키며, 촉감을 마와 같이 낼 수 있는 린넨 라이크 직물을 제공할 수 있다.

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