Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 44. Отображено 44.
29-06-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED FILM, SILICA-BASED FILM, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер: KR1020160075148A
Автор: JANG, JUN YOUNG, KWAK, TAEK SOO, KIM, WOO HAN, YUN, HUI CHAN, BAE, JIN HEE, KIM, BO SUN, NA, YOONG HEE, PARK, SAE MI, LEE, HAN SONG, LIM, WAN HEE
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica-based film which includes a silica-containing polymer having polydispersity of 3.0-30 and a solvent and of which viscosity at 25°C is 1.30-1.80 cps. The present invention further relates to a silica-based film obtained by using the same, and to an electronic device including the silica-based film. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 1
01-06-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SILICA FILM, SILICA FILM, AND ELECTRONIC ELEMENT

Номер: KR1020170060394A
Автор: HAN, KWEN WOO, LIM, WAN HEE, KWAK, TAEK SOO, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, LEE, JI HO
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a silica film, the silica film, and an electronic element. The method for manufacturing a silica film comprises the steps of: applying a liquid material for pre-wetting including one or more carbon compounds expressed by formula 1 on a substrate; applying composition for forming a silica film on the substrate coated with the liquid material for pre-wetting; and hardening the substrate coated with the composition for forming the silica film. Formula 1 is as described in the specification. The method for manufacturing a silica film has excellent process efficiency and can form a silica film with excellent thickness uniformity. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 2
18-04-2019 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA MEMBRANE, MANUFACTURING METHOD FOR SILICA MEMBRANE, AND SILICA MEMBRANE

Номер: WO2019074167A1
Автор: NOH, Kunbae, KWAK, Taeksoo, JANG, Junyoung, KOO, Yoonyoung, KIM, Yonggoog, KIM, Jingyo, BAE, Jin-Hee, SAKONG, Jun, SEO, Jinwoo, SIM, Sooyeon, YUN, Huichan, LEE, Jiho, HAN, Kwen-Woo, HWANG, Byeong Gyu
Принадлежит:

Provided is a composition for forming a silica membrane, the composition containing a silicon-containing polymer and a solvent, wherein a silica membrane formed of the composition for forming a silica membrane satisfies relational expression 1. The definition of relation formula 1 is as described in the specification.

Подробнее
Номер записи: 3
27-07-2018 дата публикации

PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020180085575A
Автор: YUN, HUI CHAN, KWAK, TAEK SOO, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, NOH, KUN BAE, JANG, JUN YOUNG
Принадлежит:

Provided is a pattern forming method comprising: a step of forming an etching target layer on a substrate; a step of forming a first layer having a convex pattern on the etching target layer; a step of forming a second layer to completely cover the convex pattern of the first layer; a step of partially removing the second layer to expose an upper part of the convex pattern while leaving the second layer located on a side of the convex pattern; a step of removing the first layer to expose an upper part of the etching target layer; and a step of etching the etching target layer by using the second layer located on a side of a convex part of the removed first layer as an etching mask, wherein one of the first layer and the second layer is a carbon-containing layer and the other is a silicon-containing layer, and the silicon-containing layer is formed through a heat treatment process after coated with a silicon-containing composition. If the first layer is the carbon-containing layer, the pattern ...

Подробнее
Номер записи: 4
05-09-2017 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020170100987A
Автор: HAN, KWEN WOO, KWAK, TAEK SOO, NOH, KUN BAE, SEO, JIN WOO, SIM, SOO YEON, YUN, HUI CHAN, LEE, JI HO, JANG, JUN YOUNG, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer comprising a silica-containing polymer and a compound represented by chemical formula 1 as a solvent. In the chemical formula 1, L^1, L^2, m, n, X^1 and X^2 are the same as defined in the specification. Accordingly, a silica layer prepared by using the composition may have uniform membrane quality. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 5
14-04-2017 дата публикации

NOVEL SILAZANE COPOLYMER, COMPOSITION FOR FORMING SILICA MEMBRANE, PRODUCTION METHOD OF SILICA MEMBRANE, AND SILICA MEMBRANE

Номер: KR1020170041051A
Автор: KWAK, TAEK SOO, LEE, EUN SEON, YUN, HUI CHAN, KIM, HA NEUL, JUNG, IL
Принадлежит:

The present invention provides a silazane copolymer comprising: a structural unit represented by chemical formula 1; and a structural unit represented by chemical formula 2. In addition, the present invention provides a composition for forming a silica membrane, comprising the copolymer, a method for producing a silica membrane, and a silica membrane produced therefrom. The definition of the chemical formulas 1 and 2 is the same as described in the specification. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 6
07-01-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER COMPRISING SAME, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101583225B1
Автор: 홍승희, 송현지, 김미영, 곽택수, 김고은, 김봉환, 나융희, 박은수, 배진희, 윤희찬, 이한송, 임상학, 한권우, 황병규
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 열에 의해 분해될 수 있는 보호기로 보호되어 있는 열염기 발생제를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. 상기 실리카계 절연층 형성용 조성물은 고온에서 산화반응에 의해 치밀한 실리카 글래스로 전환되었을 때, 기재의 수축률 및 실리카계 절연층의 수축률을 감소시키고, 보관안정성을 개선시킬 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 7
29-05-2018 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020180056606A
Автор: JANG, JUN YOUNG, YUN, HUI CHAN, KIM, WOO HAN, NOH, KUN BAE, LEE, EUN SEON, KWAK, TAEK SOO, KIM, JIN GYO, KIM, HA NEUL, NA, YOONG HEE, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer, a method for manufacturing a silica layer, and a silica layer. According to an embodiment of the present invention, the composition for forming the silica layer comprises a silicon-containing polymer and a mixed solvent. According to the present invention, the composition for forming a silica layer, the method for manufacturing a silica layer, and the silica layer can form the silica layer having a uniform thickness. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 8
01-10-2015 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101556672B1
Автор: 윤희찬, 곽택수, 김미영, 임상학, 한권우, 김고은, 김봉환, 김상균, 나융희, 박은수, 배진희, 송현지, 이한송, 홍승희
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 수소화폴리실라잔 또는 수소화폴리실록사잔을 포함하며, 중량 평균 분자량 400 이하의 환형 화합물의 농도가 1200ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. 상기 실리카계 절연층 형성용 조성물은 실리카계 절연층 형성 시 두께 산포를 감소시킬 수 있으며, 이로써 반도체 제조 공정시 화학적 연마(CMP) 공정 후 막 결함을 줄일 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 9
07-12-2017 дата публикации

실리카계 막 형성용　조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스

Номер: KR0101806328B1
Автор: 윤희찬, 김우한, 고상란, 곽택수, 김보선, 김진교, 나융희, 노건배, 박새미, 배진희, 사공준, 이은선, 임완희, 장준영, 정일, 황병규
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 중량평균분자량이 20,000 내지 70,000 이고 다분산도가 5.0 내지 17.0 인 규소 함유 중합체, 및 용매를 포함하는 실리카계 막 형성용 조성물; 이를 사용하여 얻어지는 실리카계 막; 그리고 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 10
18-06-2018 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA FILM, METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SILICA FILM

Номер: KR1020180065651A
Автор: SIM, SOO YEON, BAE, JIN HEE, KWAK, TAEK SOO, KIM, YONG GOOG, KIM, JIN GYO, NOH, KUN BAE, YUN, HUI CHAN, LEE, JI HO, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica film, containing a silica-containing polymer and a solvent. The weight average molecular weight of the silica-containing polymer is 2,000 to 100,000, and a branching rate (a) of the silica-containing polymer calculated by an equation 1 is 0.25 to 0.50, wherein the equation 1 is represented by η=k·M^a. In the equation 1, η refers to an intrinsic viscosity of the silicon-containing polymer, M is the absolute molecular weight of the silicon-containing polymer, a is the branching rate, and k is a unique constant. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

Подробнее
Номер записи: 11
28-12-2022 дата публикации

실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Номер: KR20220169776A
Автор: 곽택수, 김의현, 배진희, 사공준, 이충헌, 이한송, 임완희, 장승우, 조현수, 황병규
Принадлежит:

... 규소 함유 중합체 및 용매를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물로서, 하기 관계식 1에 의해 산출되는, RI(Refractive Index) 감소율이 3% 이하인 실리카 막 형성용 조성물, 이로부터 제조된 실리카 막, 그리고 상기 실리카 막을 포함하는 전자소자에 관한 것이다. RI(Refractive Index) 감소율(%) = {(RI100 - RI250) / RI100} * 100 (상기 관계식 1에서, RI100: 상기 실리카 막 형성용 조성물을 7200Å의 두께로 8인치 배어 웨이퍼(bare wafer) 상에 코팅하고, 100℃의 온도에서 3분 베이크를 진행한 후, 633 nm의 파장에서 측정한 굴절율, RI250: 상기 실리카 막 형성용 조성물을 7200Å의 두께로 8인치 배어 웨이퍼(bare wafer) 상에 코팅하고, 250℃의 온도에서 3분 베이크를 진행한 후, 633 nm의 파장에서 측정한 굴절율) ...

Подробнее
Номер записи: 12
15-10-2015 дата публикации

COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER, THIN FILM STRUCTURE COMPRISING SAME, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер: KR1020150116122A
Автор: PARK, EUN SU, CHO, YOUN JIN, HAN, KWEN WOO, KWAK, TAEK SOO, KIM, BO SUN, KIM, SANG KYUN, PARK, SAE MI, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, LEE, HAN SONG, LIM, WAN HEE, JANG, JUN YOUNG
Принадлежит:

Provided is a composition for a resist underlayer, which comprises an organic silane-based polymer containing a repeating unit represented as the chemical formula 1, and a solvent, wherein the mass of a carbon (C) element inside the organic silane-based polymer is 0.1-30% with respect to the total mass of the element of the silane-based polymer. In the chemical formula 1, R^1, R^2, and R^3 are the same as defined in the specification. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 13
04-03-2016 дата публикации

METHODS OF PRODUCING POLYMERS AND COMPOSITIONS FOR FORMING SILICA INSULATION FILMS

Номер: KR0101599952B1
Автор: 송현지, 홍승희, 김보선, 서진우, 황병규, 곽택수, 김상균, 임상학
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을 가지는 폴리실라잔 중합체의 제조 방법으로서, 하기 화학식 1로 나타내어지는 아미노 실란 단량체를, 상기 아미노 실란 단량체의 Si원자를 배위할 수 있는 친핵성 화합물의 존재 하에, 하기 화학식 2로 나타내어지는 질소 함유 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 중합체 제조 방법 및 이로부터 제조된 중합체를 포함하는 중합체 제조 방법이 제공된다: [화학식 1] NR1R2R3 상기 화학식 1에서, R1, R2, 및 R3 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, -Si(R4)3, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, C1 내지 C20의 아실기, 또는 C1 내지 C20의 아실옥시기이되, R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 -Si(R4)3이고, 여기서 R4 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 C6 내지 C20의 아릴옥시기이되, R4중 하나 이상은 수소이고; [화학식 2] NH2R5 상기 화학식 2에서, R5는 R5는 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, -NH2, C1 내지 C20의 아실기, C1 내지 C20의 아실옥시기, 히드록시기, 또는 아민기임.

Подробнее
Номер записи: 14
04-01-2017 дата публикации

절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법

Номер: KR0101692757B1
Автор: 배진희, 이한송, 임완희, 김고은, 곽택수, 김보선, 김상균, 나융희, 박은수, 서진우, 송현지, 조연진, 한권우, 황병규
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함하는 절연막용 린스액, 상기 린스액을 사용한 절연막의 린스 방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1 및 Ra 내지 Re는 명세서에서 정의된 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 15
29-06-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED FILM, MANUFACTURING METHOD OF SILICA-BASED FILM, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SILICA-BASED FILM

Номер: KR1020160075147A
Автор: LIM, WAN HEE, KWAK, TAEK SOO, LEE, HAN SONG, PARK, EUN SU, KANG, SUN HAE, KIM, BO SUN, KIM, SANG KYUN, PARK, SAE MI, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, JANG, JUN YOUNG, CHO, YOUN JIN, HAN, KWEN WOO, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica-based film which comprises a silicon-containing compound having hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, or a combination thereof, and one or two types of solvents and has less than or equal to 0.13 of a speed of turbidity increased. According to an embodiment, provided is the composition for forming a silica-based film, which minimizes the defect generation in the film. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 16
13-03-2018 дата публикации

실리카계 막 형성용　조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스

Номер: KR0101837971B1
Автор: 장준영, 곽택수, 김우한, 윤희찬, 배진희, 김보선, 나융희, 박새미, 이한송, 임완희
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 다분산도가 3.0 내지 30인 규소 함유 중합체, 및 용매를 포함하고, 25 ℃에서의 점도가 1.30 cps 내지 1.80 cps 인 실리카계 막 형성용 조성물; 이를 사용하여 얻어지는 실리카계 막; 그리고 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 17
04-03-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101599953B1
Автор: 박은수, 곽택수, 나융희, 송현지, 이한송, 홍승희
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 유기 실란계 축중합체; 그리고 용매를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1내지 R4, m, x, y 및 z의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 18
13-12-2018 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020180133154A
Автор: LEE, JI HO, SIM, SOO YEON, KWAK, TAEK SOO, SAKONG, JUN, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer, which contains a silicon-containing polymer, a radical inhibitor, and a solvent, wherein the total amount of the radical inhibitor component within the composition for forming a silica layer is 10 to 1,000 ppm. The present invention provides a composition which can form a uniform film quality by having a low content of carbon impurities. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

Подробнее
Номер записи: 19
18-04-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED FILM, SILICA-BASED FILM, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер: KR1020160041728A
Автор: YUN, HUI CHAN, KIM, WOO HAN, KOH, SANG RAN, KWAK, TAEK SOO, KIM, BO SUN, KIM, JIN GYO, NA, YOONG HEE, NOH, KUN BAE, PARK, SAE MI, BAE, JIN HEE, SAKONG, JUN, LEE, EUN SEON, LIM, WAN HEE, JANG, JUN YOUNG, JUNG, IL, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica-based film, comprising a silicon-containing polymer having weight average molecular weight of 20,000-70,000 and polydispersity index of 5.0-17.0, and a solvent; a silica-based film obtained by using the same; and an electronic device comprising the silica-based film. Provided in an embodiment is the composition for forming a silica-based film simultaneously having gap-fill properties and gap etch properties. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 20
09-03-2016 дата публикации

LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160026476A
Автор: NA, YOONG HEE, KWAK, TAEK SOO, LEE, HAN SONG, CHO, YOUN JIN, HWANG, BYEONG GYU, KIM, BO SUN, PARK, EUN SU, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, LIM, WAN HEE, HAN, KWEN WOO
Принадлежит:

The present invention relates to a light emitting diode device with excellent light transmission and a method for manufacturing the same. The light emitting diode device includes a substrate, 3D structures which are separated from each other by a preset distance on the substrate, and a Si-containing polymer layer which is formed between the 3D structures. The Si-containing polymer includes hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, or their combination. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 21
13-02-2023 дата публикации

실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Номер: KR20230020810A
Автор: 이한송, 곽택수, 김의현, 배진희, 사공준, 이충헌, 임완희, 장승우, 조현수, 황병규
Принадлежит:

... 규소 함유 중합체 및 용매를 포함하고, 70% 농축 고형분의 점도 및 50% 농축 고형분의 점도 차이가 400 cps 내지 2,200 cps인 실리카 막 형성용 조성물, 이로부터 제조된 실리카 막, 그리고 상기 실리카 막을 포함하는 전자소자에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 22
03-07-2014 дата публикации

GAS BARRIER FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: WO2014104669A1
Автор: KANG, Se Yeong, LEE, Dae Gyu, KIM, Byung Soo, LEE, Eun Hwa, KWAK, Taek Soo, KIM, Sung Kook
Принадлежит:

The present invention relates to a gas barrier film including: an inorganic layer which contains oxygen atoms; and an organic-inorganic mixed layer which contains silica (SiO2) formed on one surface of the inorganic layer. The inorganic layer has a first area that is adjacent to the organic-inorganic mixed layer; and a second area that is present below the first area in the thickness direction of the inorganic layer. The number of the oxygen (O) atoms in the first area is greater than the number of the oxygen atoms in the second area which is equal in volume to the first area. The gas barrier film is excellent in terms of gas barrier properties, flexibility, transparency, and crack prevention. In addition, the gas barrier film enables non-vacuum wet coating and is thus advantageous in shortening the manufacturing time.

Подробнее
Номер записи: 23
09-08-2018 дата публикации

신규한 실라잔 공중합체, 실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막의 제조방법, 및 실리카 막

Номер: KR0101887212B1
Автор: 곽택수, 이은선, 윤희찬, 김하늘, 정일
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 화학식 1로 표현되는 구조 단위 및 화학식 2로 표현되는 구조 단위를 포함하는 실라잔 공중합체를 제공한다. 또한, 상기 공중합체를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막을 제조하는 방법, 이로부터 제조된 실리카 막을 제공한다. 상기 화학식 1 및 2의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 24
21-07-2017 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020170084843A
Автор: SEO, JIN WOO, HWANG, BYEONG GYU, KWAK, TAEK SOO, SONG, HYUN JI, YUN, HUI CHAN, LEE, HAN SONG, LIM, WAN HEE
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer comprising a silica-containing polymer formed by polymerizing compounds represented by chemical formula 1: N[SiR^1R^2R^3]_3, and a solvent. In the chemical formula 1, R^1, R^2 and R^3 are independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted vinyl group, a substituted or unsubstituted phenyl group or combinations thereof. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 25
08-02-2017 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020170014946A
Автор: JANG, JUN YOUNG, YUN, HUI CHAN, KIM, WOO HAN, NOH, KUN BAE, LEE, EUN SEON, KWAK, TAEK SOO, KIM, JIN GYO, KIM, HA NEUL, NA, YOONG HEE, BAE, JIN HEE, SEO, JIN WOO, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer capable of forming a layer having the uniform thickness and being less likely to generate defects. The composition comprises: a silica-containing polymer; and a mixed solvent including at least two types of solvent. The mixed solvent has the surface tension of 5 to 35 N/m at 25°C. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 26
16-05-2013 дата публикации

POLYSILOXAZANE HYDROXIDE THIN-FILM RINSE SOLUTION, AND POLYSILOXAZANE HYDROXIDE THIN-FILM PATTERN-FORMING METHOD USING SAME

Номер: WO2013069921A1
Автор: KIM, Bong-Hwan, KWAK, Taek-Soo, BAE, Jin-Hee, YUN, Hui-Chan, LIM, Sang-Hak, KIM, Sang-Kyun, LEE, Jin-Wook
Принадлежит:

Provided is a polysiloxazane hydroxide thin-film rinse solution comprising, with respect to the rinse solution as a whole, between 0.01 wt.% and 7 wt.% of an additive selected from the group consisting of alcohol-based solvents, ester-based solvents, silanol-based solvents, alkoxysilane-based solvents and alkyl silazane based solvents and combinations thereof.

Подробнее
Номер записи: 27
02-03-2018 дата публикации

실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자

Номер: KR0101833800B1
Автор: 임완희, 곽택수, 이한송, 박은수, 강선혜, 김보선, 김상균, 박새미, 배진희, 서진우, 장준영, 조연진, 한권우, 황병규
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는 이들의 조합을 포함하는 규소 함유 화합물, 그리고 1종 또는 2종 이상의 용매를 포함하고, 탁도 증가속도가 0.13 이하인 실리카계 막 형성용 조성물에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 28
04-03-2016 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер: KR0101599954B1
Автор: 박은수, 곽택수, 나융희, 송현지, 이한송, 홍승희
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 실란계 축중합체; 그리고 용매를 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물. [화학식 1] (R1)3SiXSi(R1)3 [화학식 2] R2n(Si)(OR3)4-n 상기 화학식 1 및 2에서, R1내지 R3, X 및 n의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 29
11-07-2018 дата публикации

METHOD FOR FORMING PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020180079972A
Автор: JANG, JUN YOUNG, NOH, KUN BAE, SEO, JIN WOO, YUN, HUI CHAN, KWAK, TAEK SOO, KOO, YOON YOUNG, KIM, JIN GYO, HAN, KWEN WOO
Принадлежит:

The present invention relates to a pattern forming method which comprises the following steps: providing a material layer on a substrate; forming an organic planarization layer on the material layer; forming a silicon-containing thin film layer on the organic planarization layer; forming an inductive self-assembly thin film layer by a directed self-assembly (DSA) process on the silicon-containing thin film layer; removing a portion of the inductive self-assembly thin film layer to form a pattern layer including a plurality of first patterns; selectively removing the organic planarization layer and the silicon-containing thin film layer using the pattern layer as a mask to form a trench; filling the trench with a filler including a silicon-containing polymer and a solvent, and curing the same; removing the organic planarization layer and the silicon-containing thin film layer while remaining a region filled with the filler; and selectively removing the material layer using the region filled ...

Подробнее
Номер записи: 30
18-06-2018 дата публикации

실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막

Номер: KR0101868430B1
Автор: 김하늘, 김우한, 윤희찬, 곽택수, 이은선, 정일, 황병규
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 폴리실라잔, 폴리실록사잔, 또는 이들의 조합(a), 구조단위 내에 2개 이상의 산소 원자를 포함하는 폴리실록산(b), 그리고 용매(c)를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 31
04-12-2015 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA-BASED FILM

Номер: KR1020150135976A
Автор: BAE, JIN HEE, KWAK, TAEK SOO, LEE, HAN SONG, CHO, YOUN JIN, HWANG, BYEONG GYU, KIM, BO SUN, PARK, SAE MI, PARK, EUN SU, SEO, JIN WOO, LIM, WAN HEE, JANG, JUN YOUNG, HAN, KWEN WOO
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica-based film, comprising: a silica-based compound comprising hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane or a combination thereof; and an solvent, wherein the composition for forming a silica-based film comprises less than or equal to 10 particles per one milliliter, wherein the particles have diameters of 0.2 to 1 μm. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 32
08-02-2017 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICA LAYER, AND SILICA LAYER

Номер: KR1020170014947A
Автор: KIM, HA NEUL, KIM, WOO HAN, YUN, HUI CHAN, KWAK, TAEK SOO, LEE, EUN SEON, JUNG, IL, HWANG, BYEONG GYU
Принадлежит:

The present invention relates to a composition for forming a silica layer, comprising: (a) polysilazane, polysiloxazane or a combination thereof; (B) polysiloxane including two or more oxygen atoms in a structural unit; and (C) a solvent. According to the present invention, stress, which is generated when a silazane structure of Si-N is oxidized and converted into a siloxane structure of Si-O, is minimized so formation of a film, a level of stress and a membrane shrinkage rate can be minimized. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 33
10-08-2017 дата публикации

개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법

Номер: KR0101767083B1
Автор: 송현지, 박은수, 임상학, 곽택수, 김고은, 김미영, 김보선, 김봉환, 나융희, 배진희, 서진우, 윤희찬, 이한송, 전종대, 한권우, 홍승희, 황병규
Принадлежит: 제일모직주식회사

... 수소화 폴리실록사잔에 폴리실란, 폴리사이클로실란 및 실란올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 실란 화합물을 반응시켜 제조되는 개질 수소화 폴리실록사잔을 제공한다. 상기 개질 수소화 폴리실록사잔은, 실리콘 원자에 대한 질소 원자의 몰비가 작기 때문에 실리카계 절연층 형성용 조성물에 적용되어 실리카계 절연층 형성시 막 수축률을 현저히 감소시킬 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 34
03-07-2014 дата публикации

MODIFIED HYDROGENATED POLYSILOXAZANE, COMPOSITION COMPRISING SAME FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, METHOD FOR PREPARING COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, SILICA-BASED INSULATION LAYER, AND METHOD FOR PREPARING SILICA-BASED INSULATION LAYER

Номер: WO2014104510A1
Автор: SONG, Hyun-Ji, PARK, Eun-Su, LIM, Sang-Hak, KWAK, Taek-Soo, KIM, Go-Un, KIM, Mi-Young, KIM, Bo-Sun, KIM, Bong-Hwan, NA, Yoong-Hee, BAE, Jin-Hee, SEO, Jin-Woo, YUN, Hui-Chan, LEE, Han-Song, JEON, Jong-Dae, HAN, Kwen-Woo, HONG, Seung-Hee, HWANG, Byeong-Gyu
Принадлежит:

Provided is modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from a group consisting of polysilane, polycyclosilane, and silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane is configured such that the mole ratio of nitrogen atom to silicon atom is small, and therefore, the modified hydrogenated polysiloxazane can be applied to a composition for forming a silica-based insulation layer so as to significantly reduce film shrinkage when the silica-based insulation layer is formed.

Подробнее
Номер записи: 35
03-07-2014 дата публикации

COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATING LAYER, METHOD FOR PREPARING COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATING LAYER, SILICA-BASED INSULATING LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA-BASED INSULATING LAYER

Номер: WO2014104528A1
Автор: YUN, Hui-Chan, KWAK, Taek-Soo, KIM, Mi-Young, LIM, Sang-Hak, HAN, Kwen-Woo, KIM, Go-Un, KIM, Bong-Hwan, KIM, Sang-Kyun, NA, Yoong-Hee, PARK, Eun-Su, BAE, Jin-Hee, SONG, Hyun-Ji, LEE, Han-Song, HONG, Seung-Hee
Принадлежит:

Provided is a composition for forming a silica-based insulating layer comprising hydrogenated polysilazane or hydrogenated polysiloxazane, and having a concentration of 1,200 ppm or less of a cyclic compound having a weight average molecular weight of 400 or less. The composition for forming a silica-based insulating layer may decrease thickness distribution during the formation of a silica-based insulating layer, thereby decreasing defects in layers after chemical mechanical polishing (CMP) process during the process of manufacturing a semiconductor.

Подробнее
Номер записи: 36
05-02-2018 дата публикации

실리카계 막 형성용 조성물, 및 실리카계 막의 제조방법

Номер: KR0101825546B1
Автор: 배진희, 곽택수, 이한송, 조연진, 황병규, 김보선, 박새미, 박은수, 서진우, 임완희, 장준영, 한권우
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는 이들의 조합을 포함하는 실리카계 화합물, 그리고 용매를 포함하는 실리카계 막 형성용 조성물로서, 입경이 0.2 ㎛ 내지 1 ㎛인 파티클을 10 개/㎖ 이하로 포함하는 실리카계 막 형성용 조성물에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 37
04-04-2016 дата публикации

RINSE SOLUTION FOR SILICA THIN FILM AND SILICA THIN FILM PRODUCED USING SAME

Номер: KR1020160036328A
Автор: BAE, JIN HEE, KIM, WOO HAN, YUN, HUI CHAN, LIM, WAN HEE, KWAK, TAEK SOO, NA, YOONG HEE, LEE, HAN SONG
Принадлежит:

Provided is a rinse solution for a silica thin film, which contains a solvent and zeolite particles, wherein the content of the zeolite particles is greater than 0 and less than or equal to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the solvent. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Film thickness : 500 nm (BB) Observing a residual film (CC) About 3 mm (DD) About 10 mm ...

Подробнее
Номер записи: 38
28-11-2013 дата публикации

DISPLAY MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: WO2013176459A1
Автор: LEE, Dae Gyu, KANG, Se Yeong, LEE, Eun Hwa, KIM, Byung Soo, KIM, Sung Kook, KWAK, Taek Soo, CHO, Jae Cheol
Принадлежит:

A display member of the present invention comprises: a base film; and a barrier layer formed on at least one surface of the base film, wherein the barrier layer comprises a first inorganic layer, and the first inorganic layer comprises SiOx (1.5≤x≤2.5) as a hardening agent of a coating solution including polysiloxazane hydroxide.

Подробнее
Номер записи: 39
07-01-2016 дата публикации

METHODS OF PRODUCING POLYMERS AND COMPOSITIONS FOR FORMING SILICA INSULATION FILMS

Номер: KR0101583232B1
Автор: 송현지, 홍승희, 김보선, 서진우, 황병규, 곽택수, 김상균, 임상학
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을 가지는 폴리실라잔 중합체의 제조 방법으로서, 하기 화학식 1로 나타내어지는 아미노 실란 단량체를, 상기 아미노 실란의 Si원자를 배위할 수 있는 친핵성 화합물의 존재 하에 활성화시켜 불균등화 반응 및 재배열 반응을 통해 중합시키는 단계를 포함하는 중합체 제조 방법 및 이렇게 제조된 중합체를 포함하는 절연막 형성용 조성물이 제공된다: [화학식 1]NR1R2R3 상기 화학식 1에서, R1, R2, 및 R3 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, -Si(R4)3, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, C6 내지 C20의 아릴옥시기, C1 내지 C20의 알킬 또는 아릴 옥시카르보닐기, C1 내지 C20의 아실기, 또는 C1 내지 C20의 아실옥시기이되, R1, R2, 및 R3 중 하나 이상은 -Si(R4)3이고, 여기서 R4 는 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기, C1 내지 C10의 알콕시기, 또는 C6 내지 C20의 아릴옥시기이되, R4중 하나 이상은 수소이다.

Подробнее
Номер записи: 40
22-09-2022 дата публикации

실리카 막 형성용 조성물 및 실리카 막

Номер: KR102446983B1
Автор: 배진희, 곽택수, 황병규, 노건배, 사공준, 장준영
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 규소 함유 중합체, 그리고 용매를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물로서, 상기 규소 함유 중합체의 중량평균분자량은 4,000 내지 10,000 g/mol이고, 상기 규소 함유 중합체의 α값은 0 초과 1.5 이하인 실리카 막 형성용 조성물에 관한 것이다. 상기 α값은 하기 식 1에 의해 정의된다. [식 1] α = B/A * 100 상기 식 1에서, A는1H-NMR 스펙트럼에서 4.5ppm 이상 5.5ppm 미만인 범위의 피크 면적이고, B는1H-NMR 스펙트럼에서 3.3ppm 이상 3.5ppm 미만인 범위의 피크 면적이다. 단, 상기1H-NMR 스펙트럼의 측정조건은 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 41
03-03-2017 дата публикации

절연막용 조성물, 절연막 및 전자 소자

Номер: KR0101711923B1
Автор: 송현지, 곽택수, 김보선, 서진우, 황병규, 김고은, 김윤준, 박은수, 배진희
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체 및 용매를 포함하는 절연막용 조성물, 상기 절연막용 조성물로부터 형성된 절연막 및 상기 절연막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Подробнее
Номер записи: 42
21-12-2016 дата публикации

레지스트 하층막용 조성물, 이를 포함하는 박막 구조물 및 반도체 집적회로 디바이스

Номер: KR0101688012B1
Автор: 박은수, 조연진, 한권우, 곽택수, 김보선, 김상균, 박새미, 배진희, 서진우, 이한송, 임완희, 장준영
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... 하기 화학식 1로 표현되는 반복단위를 포함하는 유기실란계 중합체, 및 용매를 포함하고, 상기 유기실란계 중합체 내의 탄소(C) 원소의 질량은 상기 유기실란계 중합체의 전체 원소의 질량에 대하여 0.1% 내지 30%인 것인 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3의 정의는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Подробнее
Номер записи: 43
25-06-2015 дата публикации

PROCESS OF PRODUCING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE THEREOF

Номер: KR0101531611B1
Автор: 김미영, 홍승희, 이한송, 한권우, 황병규, 곽택수, 김고은, 김봉환, 김상균, 박은수, 배진희, 송현지, 윤희찬, 임상학
Принадлежит: 제일모직 주식회사

... (a) 기판 위에 재료층을 제공하는 단계; (b) 상기 재료층 위에 유기물로 이루어진 제1 레지스트 하층막을 형성하는 단계; (c) 상기 제1 레지스트 하층막 위에 실리콘계 레지스트 하층막용 조성물을 스핀-온-코팅하여 제2 레지스트 하층막을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 레지스트 하층막 위에 캡핑 층(capping layer)을 형성하는 단계; (e) 상기 캡핑 층 위에 방사선-민감성 이미지화 층을 형성하는 단계; (f) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 패턴 방식으로 방사선에 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계; (g) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 제 2 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 레지스트 하층막의 부분을 노출시키는 단계; (h) 패턴화된 제 2 레지스트 하층막 및 상기 제 1 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 재료층의 부분을 노출시키는 단계; (i) 제 1 레지스트 하층막을 마스크로 하여 재료층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계; 및 (j) 잔존하는 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공한다.

Подробнее
Номер записи: 44