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12-01-2021 дата публикации

Vapor filter

Номер: KR102201295B1
Автор: 김시습, 곽재찬
Принадлежит: 주식회사 플레이티지

... 본 발명은 증기 여과장치를 개시한다. 본 발명은 소스 가스의 출입을 위한 입구와 출구를 양단에 인라인상으로 갖는 실린더형 하우징; 이 하우징과의 사이에 소스 가스의 유동공간을 형성하도록 하우징의 내부에 동심원 상으로 구비되는 실린더형 필터 여재; 이 필터 여재를 소정온도로 가열 유지시키는 히터; 및 필터 여재의 온도를 감지하여 히터의 작동을 제어하기 위한 온도센서;를 포함한다. 필터 여재의 내부에는 히터에서 발생된 열을 필터 여재로 전달하는 열전달부재를 더 포함하여 필터 여재의 균일하고 효율적인 가열을 확보할 수 있다. 열전달부재는 일단에 하우징의 출구와 연통하는 가스통로를 가지고, 외주에 가스통로와 연통하는 다수의 통공을 갖는 알루미늄으로 이루어질 수 있다. 본 발명은, 기판상에 박막 증착을 위하여 반응챔버로 이송되는 공정가스 등으로부터 기화가 부족한 미스트나 미세한 불순물을 확실하게 제거할 수 있음은 물론 소정의 설정온도를 정확히 유지함으로써 이를 지나는 소스 가스가 온도저하로 인해 액화되는 현상을 확실하게 방지할 수 있다.

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Номер записи: 1
05-02-2015 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT DEVICE

Номер: WO2015016526A1
Автор: KWAK, Jae Chan, CHO, Byoung Ha, HWANG, Chul-Joo
Принадлежит:

The present invention provides a substrate treatment device capable of freely adjusting productivity while increasing the degree of uniformity of a thin film deposited on a substrate, and a substrate treatment device according to the present invention may comprise: a process chamber for providing a process space; a substrate support unit rotatably installed in the process space to support at least one substrate; a chamber lid covering the upper portion of the process chamber so as to face the substrate support unit; and a gas ejection unit installed on the chamber lid to spatially separate the process space into first and second reaction spaces, the gas ejection unit ejecting gases for inducing different deposition reactions in the first and second reaction spaces, respectively.

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Номер записи: 2
31-10-2022 дата публикации

기판처리장치

Номер: KR102461199B1
Автор: 김상훈, 곽재찬
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 기판처리장치를 개시하며, 챔버 내에 구성되며, 적어도 하나의 공정 대상이 상면에 로딩되고, 공정을 위하여 회전하는 서셉터(Susceptor); 상기 서셉터의 회전 중심을 기준으로 서로 마주하도록 상기 서셉터의 상부에 구성되며, 상기 서셉터의 상부를 제1 공간과 제2 공간으로 분할하는 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 분사 장치; 상기 제1 공간에 대응하는 상기 챔버의 제1 가장자리영역과 제1 중심영역의 소스가스를 각각 펌핑하는 소스가스 펌핑 장치; 및 상기 제2 공간에 대응하는 상기 챔버의 제2 가장자리영역과 제2 중심영역의 반응가스를 각각 펌핑하는 반응가스 펌핑 장치;를 포함한다.

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Номер записи: 3
19-12-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170139285A
Автор: CHO, YONG JIN, KWAK, JAE CHAN, KIM, YOO SEONG, KIM, BEOM JUN, JEON, JU SEOK
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing apparatus which includes a process chamber, a substrate supporting unit which is installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotates in a first rotation direction, a chamber lid covering the upper side of the process chamber, a source gas spray unit which is installed in the chamber lid and sprays a source gas to the substrate located in a source gas spray region, and a reducing agent spraying unit which is installed in the chamber lid in a position separated from the source gas spray unit along the first rotation direction and sprays the reducing agent reacting with the source gas on the substrate located in a reducing agent spray region via the source gas spray region. Accordingly, the present invention can increase the productivity of the substrate on which a deposition process is completed in case a thin film made of low reactant materials is deposited on the substrate. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 4
29-12-2016 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101690971B1
Автор: 곽재찬, 이상돈, 조병하
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 증착 효율을 향상시킬 수 있도록 한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 반응 공간에 설치되어 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부에 국부적으로 대향되도록 상기 챔버 리드에 설치된 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하며, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 기판과의 간격보다 상대적으로 좁은 간격을 가지도록 서로 대향되는 접지 전극과 플라즈마 전극 간에 플라즈마를 형성하고, 상기 접지 전극에 형성된 가스 분사 부재를 통해 상기 플라즈마가 형성되는 영역에 소스 가스를 경사지게 분사하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 5
03-01-2014 дата публикации

APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

Номер: WO2014003434A1
Автор: KWAK, Jae Chan, KANG, Sung Kyu, JUNG, Hun, CHO, Byoung Ha
Принадлежит:

The present invention relates to an apparatus for treating a substrate and a method for treating a substrate, wherein a thin film deposition process and a thin film surface treatment process can be carried out sequentially or repeatedly in one processing space. The apparatus for treating a substrate according to the present invention comprises: a processing chamber for providing a processing space; a substrate support portion provided inside the processing chamber for supporting at least one substrate and moving the supported substrate in a predetermined direction; a chamber lid for covering the upper portion of the process chamber so as to be opposite to the substrate support portion; and a gas injection portion provided at the chamber lid so as to be opposite to the substrate support portion and spatially separating a process gas for depositing a thin film on the substrate and a surface treatment gas for the surface treatment of the thin film so as to locally inject the gas on the substrate ...

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Номер записи: 6
12-10-2015 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND THIN FILM FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер: KR1020150114056A
Автор: KWAK, JAE CHAN, LEE, SANG MIN, CHO, BYOUNG HA, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention provides a substrate processing device, and a manufacturing method thereof. The substrate processing device includes: first and second process areas; first and second division areas for dividing the first and second process areas; and a third process area for performing plasma doping by flowing partial reaction gas of the first process area into a space between the second process area and the second division area. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 7
07-11-2016 дата публикации

APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE

Номер: KR1020160128219A
Автор: HAN, TAE SEONG, KANG, DAE BONG, KWAK, JAE CHAN, KIM, KA LAM, KIM, DOO YOUNG, SEO, DONG WON, LEE, SANG DU, LEE, SEONG KWANG, CHO, BYOUNG HA, CHUN, DONG SEOK, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention provides an apparatus and a method for processing substrate. The apparatus comprises: a chamber; a susceptor which is disposed on the lower side of the chamber and has at least one substrate mounted thereon; a chamber lead which is disposed on the upper side of the susceptor; a first source gas sprayer which is installed on the chamber lead and sprays the source gas; a second source gas sprayer which is installed on the chamber lead and sprays source gas; and a first fuzzy gas sprayer which is installed on the chamber lead and sprays fuzzy gas, wherein the first fuzzy gas sprayer is installed between the first and second source gas sprayers. Thereby, the present invention forms a uniform and fine thin film on an ultrafine pattern. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 8
06-02-2017 дата публикации

CAPACITOR DEPOSITING APPARATUS AND DIELECTRIC FILM DEPOSITING METHOD USING SAME

Номер: KR1020170013140A
Автор: SEO, DONG WON, KWAK, JAE CHAN, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a capacitor with a high dielectric constant, capable of preventing a surface of a dielectric film from being degraded due to vacuum break, and preventing the quality of the dielectric film from being deteriorated due to physical stress generated when unloading or loading a semiconductor substrate. A capacitor depositing apparatus includes a first chamber to form a first dielectric film, a second dielectric film, and a third dielectric film on a substrate on which an electrode is formed, a second chamber to form a metal film on the third dielectric film, and a third chamber which connects the first chamber to the second chamber in a vacuum state. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 9
17-02-2021 дата публикации

Substrate processing apparatus and method of forming a thin film and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер: KR102215640B1
Автор: 곽재찬, 이상민, 조병하, 황철주
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 제 1 및 제 2 처리 영역과, 제 1 및 제 2 처리 영역을 분할하는 제 1 및 제 2 분할 영역과, 제 2 처리 영역과 제 2 분할 영역 사이에 제 1 처리 영역의 반응 가스 일부를 유입하여 플라즈마 도핑을 실시하는 제 3 처리 영역을 포함하는 기판 처리 장치와 이를 이용한 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법이 제시된다.

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Номер записи: 10
03-11-2016 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD

Номер: WO2016175488A1
Автор: HAN, Tae Seong, KANG, Dae Bong, KWAK, Jae Chan, KIM, Ka Lam, KIM, Doo Young, SEO, Dong Won, LEE, Sang Du, LEE, Seong Kwang, CHO, Byoung Ha, CHUN, Dong Seok, HWANG, Chul Joo
Принадлежит:

The present invention provides a substrate treatment device and a substrate treatment method, the device comprising: a chamber; a susceptor positioned on the lower part of the chamber and having at least one substrate loaded therein; a chamber lead positioned on the upper part of the susceptor; a first source gas spray provided in the chamber lead so as to spray source gas; and a second source gas spray provided in the chamber lead so as to spray source gas, wherein a first purge gas spray provided in the chamber lead and spraying purge gas is provided between the first and second source gas sprays.

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Номер записи: 11
24-07-2018 дата публикации

공정 챔버

Номер: KR0101880897B1
Автор: 김수열, 곽재찬
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 공정 챔버에 관한 것이다. 본 발명은 소스 가스를 제공하는 가스분사부; 상기 가스분사부의 하부에 설치되는 메인 디스크; 상기 메인 디스크의 하부에 설치되는 쿼츠부; 상기 메인 디스크 및 상기 쿼츠부의 사이를 통해서 퍼지 가스가 이동되는 퍼지 가스 이동부; 및 소스 가스와 퍼지 가스를 흡입하는 제1펌핑부;를 포함하고, 상기 메인 디스크에는 하방으로 연장된 스커트부가 구비된 것을 특징으로 하는 공정 챔버를 제공한다. 본 발명에 따르면 메인 디스크 하부에 설치된 쿼츠부와 램프 히터에 필름 증착을 방지할 수 있다.

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Номер записи: 12
05-12-2013 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер: WO2013180451A1
Автор: KWAK, Jae Chan
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method capable of preventing damage of a substrate due to plasma. The substrate processing device, according to the present invention, comprises: a process chamber; a substrate support part mounted on the bottom surface of the process chamber so as to support at least one substrate; a chamber lid covering the upper part of the process chamber such that the chamber lid faces the substrate support part; and a gas spraying part which is mounted on the chamber lid for spraying a source gas onto a source gas spraying area on the substrate support part, spraying a reaction gas onto a reaction gas spraying area which is spatially separated from the source gas spraying area, and spraying a purge gas between the source gas spraying area and the reaction gas spraying area.

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Номер записи: 13
30-10-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер: KR1020180117995A
Автор: KIM, KI KANG, KWAK, JAE CHAN, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method, capable of improving uniformity by precisely controlling the injection time of process gas injected onto a substrate, and in particular, capable of depositing a desired thin film when a ruthenium (Ru) thin film is deposited on the substrate by precisely controlling the injection time of reaction gas. The substrate processing device according to the present invention includes: a process chamber providing a reaction space; a substrate support portion disposed within the process chamber to support a substrate; a temperature conversion unit disposed on a side surface of the substrate support portion and configured to change a temperature of the substrate support portion; a temperature measurement unit disposed on a side surface of the process chamber to measure a temperature change from the temperature conversion unit; and a gas injection unit that is opposed to the substrate support portion and ...

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Номер записи: 14
24-07-2018 дата публикации

PROCESS CHAMBER

Номер: KR1020180084028A
Автор: KIM SU YEOL, KWAK JAE CHAN
Принадлежит:

The present invention relates to a process chamber. The process chamber comprises: a gas injection unit for providing source gas; a main disc mounted below the gas injection unit; a quartz part mounted below the main disc; a purge gas moving unit for moving purge gas between the main disc and the quartz part; and a first pumping unit for sucking source gas and purge gas, wherein a skirt part extending downwards is disposed on the main disc. The process chamber according to the present invention can prevent a film from being deposited on the quartz part mounted below the main disc and a lamp heater. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 15
16-03-2018 дата публикации

가스 공급 장치, 가스 공급 방법 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Номер: KR0101839409B1
Автор: 곽재찬
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 방사형으로 배치된 복수의 가스 분사 수단과, 가스 분사 수단 각각에 원료 가스, 퍼지 가스 및 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급부를 포함하고, 복수의 가스 분사 수단은 챔버 내에 고정되며, 일 가스 분사 수단으로부터 일 공정 가스를 공급한 후 동일 공정 가스를 일 가스 분사 수단과 일 방향으로 인접한 타 가스 분사 수단으로 순차적으로 공급하는 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

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Номер записи: 16
02-02-2017 дата публикации

CAPACITOR DEPOSITION APPARATUS AND DEPOSITION METHOD OF DIELECTRIC FILM USING SAME

Номер: WO2017018706A1
Автор: SEO, Dong Won, KWAK, Jae Chan, CHO, Byoung Ha
Принадлежит:

The embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a capacitor having a high dielectric constant, which can prevent surface deterioration of a dielectric film due to a vacuum break and prevent the quality of the dielectric film from lowering due to physical stress generated from the case of unloading and loading a semiconductor substrate ...

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Номер записи: 17
28-05-2015 дата публикации

ELECTRODE FOR GENERATING PLASMA AND PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME

Номер: KR1020150057095A
Автор: KIM, JONG SIK, KWAK, JAE CHAN, LEE, SANG DON, LEE, JI HUN
Принадлежит:

The present invention provides an electrode for generating plasma and a plasma processing apparatus including the same, capable of uniformizing plasma density. The electrode for generating the plasma according to the present invention includes a plasma electrode which is arranged on a substrate support unit to support a substrate and is connected to a plasma source. The plasma electrode includes a first electrode part with a first volume, a second electrode part which protrudes from one side of the first electrode part in the longitudinal direction of the first electrode part to have a second volume which is smaller than the first volume, and a third electrode part which protrudes from the other side of the first electrode part in the longitudinal direction of the first electrode part to have a third volume which is smaller than the first volume. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 18
13-05-2015 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020150051834A
Автор: KWAK, JAE CHAN, SHIN, HYEONG SEOP, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the layer quality of a thin film deposited on a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber of preparing a process space; a chamber lid which covers the upper part of the process chamber; a substrate support part which is installed in the process chamber and supports at least one substrate; a thin film deposition module part which is installed to the chamber lid to face the substrate support part and deposits a thin film on the substrate; and a plasma treatment module part which is installed to the chamber lid to be spatially separated from a gas injection module, generates plasma for the plasma treatment of the thin film, and provides it to the substrate. The plasma provided to the substrate is different according to the region of the substrate. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 19