Способ лазерной маркировки поверхности изделия из алюминия или его сплава с оксидным внешним слоем

Изобретение относится к способу лазерной маркировки изделия из алюминия или его сплава с оксидным внешним слоем и может быть использовано, преимущественно, при изготовлении конструкционных, оптических и электронных элементов, электрических утюгов, бритв, кнопок, в том числе дверных, и т.п. Осуществляют формирование визуально наблюдаемой человеческим зрением маркировки, отличной от смежных с маркировкой областей поверхности изделия, за счет изменения структуры по сравнению с материалом в смежных с маркировкой областях путем воздействия лазерным излучением и последующего охлаждения. Воздействуют лазерным излучением с длиной волны, которую выбирают из условия обеспечения поглощения излучения оксидом алюминия без повреждения поверхности алюминия или его сплава. Осуществляют упрочнение оксидного внешнего слоя с обеспечением закрытия пор в модифицированной и немодифицированной областях оксидного внешнего слоя. Формируют структуру оксидного слоя, отличную от материала в смежных с маркировкой областях ...

МОЩНАЯ МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

Полезная модель относится к технике СВЧ. Цель полезной модели -увеличение допустимой рассеиваемой мощности. Микрополосковая нагрузка содержит пластину из поликристаллического алмаза (ПА) 1, на нижнюю сторону которого напылена сплошная медная пленка, необходимая для пайки ПА к медному основанию 2. На верхней стороне ПА располагается резистив-ная структура 3, в которой рассеивается мощность подаваемого СВЧ сигнала. Эта структура, изготовленная по тонкопленочной технологии, состоит из микрополосковой линии 4, по которой поступает СВЧ-сигнал, и 4-х П-образных металлизации 5, между которыми размещаются прямоугольные на-пыленные резисторы малых размеров 3. Последняя П-образная металлизация перемычками из медной фольги 6 соединяется с основанием 2 микрополосковой нагрузки. Одновременное применение пластины из поликристаллического алмаза 1 с минимальной толщиной 0.5 мм и высокой теплопроводностью в качестве теплоотвода, а также структуры 3 с большим количеством резисторов, размещенных так, что ...

Устройство для измерения энергии лазерных импульсов

Изобретение относится к оптическому приборостроению, области измерительной техники, к технике и средствам измерения энергии импульсов лазерного излучения. Устройство для измерения энергии лазерных импульсов содержит источник лазерного излучения, формирующую оптику в виде оптически сопряженных и последовательно установленных затвора, первой и второй кварцевых пластин, обеспечивающих разделение излучения от лазерного источника и измерительной головки излучения, отраженного от первой пластины и проходящего через вторую пластину, и измерительно-вычислительный блок, включающий операционный усилитель и микропроцессор в виде микроконтроллера с аналогово-цифровым преобразователем, аппаратуру связи и канал связи, пироэлектрический датчик принимает излучение, проходящее через первую пластину, и соединен с измерителем излучения, соединенным с микроконтроллером, фотодиод принимает излучение, отраженное от второй пластины, и соединен с микроконтроллером, измерительная головка соединена через блок преобразования ...

Способ двухкоординатного отклонения оптического излучения

Использование: изобретение относится к акустооптике и лазерной технике, а именно к технике взаимодействия импульсного лазерного излучения с веществом, в частности к способам управления акустооптическими устройствами, предназначенными для управления направлением распространения и амплитудой оптических пучков с возможностью разделения длины волн, их мощностью, и может найти применение для отклонения оптического излучения в разных приборах и устройствах, использующих лазеры, например, в лазерных локаторах, дальномерах, в лазерных хирургических инструментах, в устройствах лазерной гравировки, маркировки, обработки и раскройки материалов и др. Технический результат: повышение эффективности и равномерности обработки поверхности материала за счет обеспечения возможности программированного сканирования по обрабатываемой поверхности материала отдельных лазерных импульсов, контроля уровня энергии в каждом импульсе и повышения эффективности дифракции акустооптического дефлектора. Сущность: в способе ...

Способ определения оптической однородности в прозрачных материалах

... 1. Способ оптической томографии прозрачных оптических материалов, включающий зондирование материала лазерным излучением, проходящим через весь материал, и визуальную регистрацию приемной системой рассеянного неоднородностями в материале излучения, отличающийся тем, что зондирование неоднородностей осуществляют в прозрачных оптических кристаллах импульсным или частотно-импульсным лазерным излучением с длиной волны 9-11 мкм до обеспечения температуры локального нагрева облучаемых неоднородностей, визуально регистрируемой приемной системой, после визуальной регистрации приемной системой рассеянного неоднородностями в кристаллах излучения формируют посредством вращения оси наблюдения приемной системы и компьютерной обработки получаемых визуальных изображений, по которым анализируют индикатрисы рассеяния и осуществляют количественную оценку неоднородностей.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что приемная система выполнена в виде тепловизора.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что зондирование ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

СИСТЕМА ОБНАРУЖЕНИЯ СВЕТЯЩИХСЯ ОБЪЕКТОВ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области лазерной локации. Устройство для определения местоположения источника электромагнитного излучения содержит системы нацеливания и ослабления, регистратор, выходное устройство обработки. Система нацеливания выполнена в виде диафрагмы с отверстием D×D, с размещенным внутри нее уголковым отражателем с габаритным размером d (dD) друг от друга. Технический результат заключается в определении местоположения источника когерентного электромагнитного излучения с одновременным увеличением точности измерения. 2 ил.

Устройство для измерения параметров и характеристик источников излучения

Устройство содержит приемник лазерного излучения, подключенный к компьютеру и оптически сопряженный входным окном с выходом лазерного излучения через первую и вторую полупрозрачные кварцевые пластины, первая из которых разделяет излучение на два пучка, один из которых отражается на вторую пластину, а проходящий пучок фокусируется оптической системой фокусировки на поверхности исследуемого образца, вторая пластина разделяет излучение на два пучка, один из которых отражается на фотодиод, подключенный к компьютеру, а проходящий пучок проходит во входное окно приемника лазерного излучения, трехкоординатное устройство перемещения и устройство крепления для закрепления исследуемого образца и эталона сравнения. Компьютер обеспечивает возможность обработки информации и управления в соответствии с компьютерной программой трехкоординатным устройством перемещения и затвором, пропускающим определенное количество задаваемых компьютерной программой импульсов. Технический результат - исключение влияния ...

Способ обработки поверхности цветного металла путем формирования микрорельефа

Изобретение относится к способу обработки поверхности цветного металла путем формирования микрорельефа и может найти применение в разных секторах металловедения и металлообработки. Осуществляют механическую обработку выбранной зоны поверхности с чистотой поверхности Rz не более 1 мкм, а затем обработку выбранной зоны облучением лазерным излучением. Облучение выполняют на лазерной длине волны используемого лазерного источника при плотности энергии в импульсе 0,1-1 Дж/см2 по растровой траектории с обеспечением перекрытия пятен лазерного пучка не менее 95%. Каждую зону обработки облучают серией из нескольких десятков лазерных импульсов с длительностью 10-12- 3⋅10-8 с, обеспечивающей проявление регулярного микрорельефа на приповерхностном слое меди или ее сплава без их плавления. После проявления регулярного микрорельефа на приповерхностном слое меди или ее сплава перемещают пятно от лазерного луча по зоне и повторяют лазерную обработку. Технический результат заключается в обеспечении возможности ...

Мощный лазер

Изобретение относится к лазерной технике. Лазер содержит кювету с оптическим резонатором, ограниченным на противоположных его концах алмазным окном и оптическим элементом, причем алмазное окно и оптический элемент установлены в соответствующих кольцевых оправах, изготовленных из материала с высокими теплопроводящими свойствами и содержащих каналы для циркуляции хладагента, и уплотнитель, размещенный между соответствующими зеркалами и кольцевыми оправами. При этом алмазное окно выполнено комбинированным в едином технологическом процессе с центральной областью, испытывающей максимальные лучевые нагрузки, из монокристаллического алмаза и периферийной областью из поликристаллического алмаза. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения максимальной мощности генерируемого излучения при снижении его расходимости. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Устройство управления ориентацией изображения

Способ экспресс-анализа объективной идентификации изотопически чистого монокристалла германия

Изобретение относится к электронике, фотонике, полупроводниковой технике, получению высокочистых веществ, а также изотопно обогащенного германия, и может быть использовано при изготовлении высокочувствительных низкофоновых приемников инфракрасного излучения, матрицы элементов квантовых компьютеров, фотоприемников, высокочувствительных детекторов ионизирующих излучений, в частности, для исследований процессов двойного бета-распада. Сначала регистрируют фононное поглощение образцов изотопически чистых монокристаллов германия из ряда70Ge,72Ge,73Ge,74Ge,76Ge с использованием метода ИК спектроскопии. Пики фононного поглощения образцов германия фиксируют в области длин волн 11,8-33,3 мкм, соответствующих волновым числам - 300-850 см-1. По волновому числу любого из пиков фононного поглощения в указанной области длин волн вычисляют значение М по формуле , где ϑn - волновое число n-го пика фононного поглощения идентифицируемого изотопически чистого монокристалла германия в области 11,8 - 33,3 мкм ...

Способ лазерной ударной обработки металлической заготовки

Изобретение относится к области термической металлообработки и может быть использовано для упрочнения поверхности и повышения износостойкости металлических деталей машин и инструментов посредством лазерной обработки. Способ включает размещение заготовки на подложке и плоского элемента над заготовкой с образованием промежутка между ним и подложкой, формирование на поверхности заготовки слоя светопоглощающего материала, имеющего возможность поглощения лазерного излучения, создание потока светопропускающей прозрачной жидкости, текущей по рабочей поверхности подложки, включая обрабатываемую поверхность заготовки, и заполняющей весь промежуток между подложкой и плоским элементом, облучение слоя светопоглощающего материала, покрывающего поверхность заготовки, через слой светопропускающей прозрачной жидкости импульсным лазерным излучением с заданной энергией и заданным диаметром лазерного пятна. При этом заготовку размещают на заземленной подложке в углублении, соответствующем размерам заготовки ...

Способ диффузионной сварки заготовок из керамики

Изобретение может быть использовано для диффузионной сварки сложных керамических изделий, состоящих из двух и более узлов. Выполняют глухие отверстия на свариваемой поверхности по крайней мере одной из свариваемых керамических заготовок. Размещают в зоне их контакта промежуточную прокладку из металла более пластичного, чем материал свариваемых заготовок. Предварительно осуществляют перфорацию промежуточной прокладки лазерным лучом с получением сквозных микроотверстий с заданным расстоянием между ними. Проводят сварку заготовок в вакууме. Глухие отверстия на свариваемой поверхности керамических заготовок получают путем плавления и перемещения и/или испарения материала под действием лазерного луча импульсного высокопроизводительного лазера в каждом его положении на контактной керамической поверхности. Технический результат заключается в повышении прочности сварного соединения при снижении времени, давления и температуры процесса диффузионной сварки. 12 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 пр.

Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в технологических целях для оценки плотности дислокаций при работе с монокристаллическим германием. Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника согласно изобретению включает облучение поверхности полупроводника на лазерной длине волны, при этом для облучения каждой зоны используют серию лазерных импульсов с частотой следования лазерных импульсов, плотностью энергии лазерного пучка в облучаемой зоне и длительностью импульса, обеспечивающих изменение микроструктуры поверхности приповерхностного слоя полупроводника без его плавления, при этом полупроводник выполняют в виде монокристаллического германия с кристаллографической ориентацией <111> и отполированной подвергаемой облучению поверхностью, облучение поверхности монокристаллического германия осуществляют лазерным пучком при плотности энергии в импульсе 0,1-1,15 Дж/см2 по растровой траектории с возможностью обеспечения перекрытия пятен лазерного ...

СИСТЕМА ОБНАРУЖЕНИЯ СВЕТЯЩИХСЯ ОБЪЕКТОВ

Изобретение относится к области лазерной локации, физической оптике и может быть использовано в системах пассивной локации для определения местоположения светящихся объектов в различных диапазонах электромагнитных волн. Заявленное устройство обнаружения светящихся объектов содержит систему нацеливания и ослабления, регистратор, выходное устройство обработки. Причем система нацеливания выполнена в форме светонепроницаемой оболочки, выполненной в виде экрана с квадратным отверстием (D×D) и размещенным соосно с экраном на расстоянии L(L>h) уголковым отражателем в форме четырехгранной правильной пирамиды с гранями-пластинами с основаниями длиной l(l>D) и скосом у основания под углом, а система ослабления выполнена в виде совокупности краев отверстия экрана и его внутренней диффузно отражающей поверхности. Регистратор состоит из двух каналов, содержащих по два фотоприемника со сменным комплектом оптических фильтров и собирающей линзой, установленной перед ними, причем фотоприемники, передающие ...

Детектор лазерного излучения ИК-диапазона

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается детектора лазерного излучения в ИК-диапазоне. Детектор содержит размещенный в корпусе и закреплённый в кристаллодержателе приемный элемент на основе полупроводникового монокристалла р-типа, электрически соединённые омические контакты, расположенные на противоположных концах приемного элемента, высокочастотный разъём, электрически соединенный с регистрирующим прибором, и переключатель изменения рабочей длины приемного элемента, электрически соединенный с высокочастотным разъёмом. Приемный элемент имеет длину более одного сантиметра и выполнен с возможностью размещения на нём с заданным интервалом дополнительных омических контактов. Переключатель выполнен с возможностью электрического соединения с любой парой омических контактов. Технический результат заключается в увеличении временного разрешения, обеспечении возможности детектирования лазерных импульсов в субнаносекундной области и упрощении измерительной системы ...

Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника

Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в технологических целях для оценки плотности дислокаций при работе с монокристаллическим германием. Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника согласно изобретению включает облучение поверхности полупроводника на лазерной длине волны, при этом для облучения каждой зоны используют серию лазерных импульсов с частотой следования лазерных импульсов, плотностью энергии лазерного пучка в облучаемой зоне и длительностью импульса, обеспечивающих изменение микроструктуры поверхности приповерхностного слоя полупроводника без его плавления, при этом полупроводник выполняют в виде монокристаллического германия с кристаллографической ориентацией <111> и отполированной подвергаемой облучению поверхностью, облучение поверхности монокристаллического германия осуществляют лазерным пучком при плотности энергии в импульсе 0,1-1,15 Дж/см2по растровой траектории с возможностью обеспечения перекрытия пятен лазерного ...

Устройство для обработки материалов

Изобретение относится к акустооптике и лазерной технике, в частности к технике взаимодействия импульсного лазерного излучения с веществом. В устройстве для обработки материалов посредством управления оптическим пучком, содержащем двухкоординатное устройство для управления мощностью пучка и длиной волны излучения и направлением распространения излучения по координатам X, Y, первый и второй акустооптические дефлекторы, в которых последовательно размещены две ортогональные относительно оси пучка излучения акустооптические ячейки, каждая из которых выполнена в виде светопровода из акустооптического материала с просветленными оптическими гранями, на второй грани которого, противоположной первой, размещен звукопоглотитель, и пьезопреобразователь. Источник импульсного излучения выполнен в виде высокочастотного лазера на парах меди, генерирующего одновременно на двух длинах волн. Технический результат - повышение эффективности и равномерности обработки поверхности материала. 9 з.п. ф-лы, 5 ил.

Устройство для лазерной ударной обработки металлической детали

Изобретение относится к области термической металлообработки и может быть использовано для упрочнения поверхности и повышения износостойкости металлических деталей машин и инструментов посредством лазерной обработки. Устройство содержит импульсный лазер, подложку для закрепления обрабатываемой детали, плоский элемент, установленный над подложкой с образованием промежутка между ним и подложкой, и источник проточной жидкости, выполненный с возможностью полного заполнения упомянутого промежутка слоем изолирующей проточной жидкости. При этом устройство снабжено источником высокого напряжения постоянного тока, импульсным генератором высокого напряжения и блоком синхронизации, подложка выполнена заземленной, а плоский элемент выполнен в виде высоковольтного электрода с отверстием, причем упомянутый лазер установлен таким образом, что его оптическая ось размещена соосно с отверстием в упомянутом электроде с возможностью инициирования первоначального канала плазменного разряда в упомянутом слое ...

Способ измерения параметров и характеристик источников излучения

Способ включает размещение приемника лазерного излучения в облучаемой зоне исследуемого источника, затем калибруют эталонную пластину, создавая на ее рабочей поверхности серию пятен с разной энергией в импульсе лазерного излучения и одинаковым числом импульсов лазерного излучения и одновременным перемещением эталонной пластины в горизонтальной плоскости так, чтобы между пятнами на ее поверхности было одинаковое расстояние и они не накладывались друг на друга, измеряют на поверхности эталонной пластины площадь пятен при соответствующих заданных значениях плотностей энергии импульсов лазерного излучения, облучают заданными плотностями энергии импульсов источника рабочую поверхность исследуемого образца, пространственное положение которой соответствует положению плоскости эталонной пластины, сравнивают энергию лазерного излучения от источника, измеренную приемником лазерного излучения, и площадь соответствующих пятен, находят реальную площадь лазерного пучка и определяют плотность энергии ...

Способ оптической томографии прозрачных материалов

Изобретение относится к измерительной технике и области оптического приборостроения, а именно к неразрушающему контролю качества материалов, в частности к бесконтактным способам дефектоскопии прозрачных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что в способе оптической томографии прозрачных оптических материалов заготовку оптической детали из прозрачного оптического кристалла, предназначенного для изготовления инфракрасной оптики, облучают пучком импульсно-периодического лазерного излучения, луч лазера проходит через всю заготовку оптической детали, при этом дефекты (неоднородности) в заготовке оптической детали для нее визуализируют с помощью по крайней мере одного тепловизора, а по полученным картинам анализируют как индикатрисы рассеяния, так и индикатрисы теплового излучения дефектов. Технический результат – повышение точности определения оптической однородности заготовки оптической детали из прозрачного для используемого лазерного излучения оптического кристалла, возможность ...

Лазер с устройствами юстировки

Изобретение относится к области квантовой электроники и лазерной техники, в частности к твердотельным ВКР-лазерам, и может быть применено в нелинейной оптике, аналитической спектроскопии, оптическом приборостроении, медицине, экологии, фотодинамической терапии. Лазер с источником накачки, устройствами юстировки, резонатором с активным элементом, обладающим ВКР эффектом и установленным посредством узла крепления с возможностью обеспечения его вращения относительно оптической оси лазерного источника, между оптически сопряженными первым и вторым резонаторными зеркалами, размещенными посредством соответствующих держателей с юстировочными устройствами первого и второго резонаторных зеркал на торцевых фланцах резонатора, платформой с третьим юстировочным устройством для перемещения резонатора по высоте и нормально к оптической оси лазерного источника и устройством сведения и преобразования излучения лазерного источника, размещенным между лазерным источником и резонатором с возможностью перемещения ...

Способ сварки деталей из жаропрочных сплавов на никелевой основе с использованием лазерного излучения

Изобретение относится к способу сварки деталей из жаропрочных сплавов на никелевой основе и может найти применение в разных секторах машиностроения и металлургии. Технический результат изобретения состоит в повышении качества соединения свариваемых деталей. Способ включает обработку лазерным излучением наносекундного импульсного лазера со скоростью охлаждения наноструктурируемой поверхности, обеспечивающей формирование на ней рельефных структур с размером менее 100 нм. Коэффициент перекрытия пятен лазерного луча определяют как отношение площади, обработанной двумя лазерными импульсами, к площади одного пятна от лазерного луча. После наноструктурирования поверхностей деталей из жаропрочных сплавов на никелевой основе осуществляют их диффузионную сварку в герметичной камере воздействием давления и нагрева свариваемых деталей из жаропрочных сплавов на никелевой основе в вакууме или в среде инертного газа. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.