ЛАЗЕР С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ И ВЫВОДОМ ИЗЛУЧЕНИЯ ЧЕРЕЗ ПОВЕРХНОСТЬ, НАБОР ЛАЗЕРОВ И СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КПД ЛАЗЕРНОГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к лазерной технике. В устройстве и способе генерирования мощного лазерного излучения геометрия лазерного резонатора определяет основную пространственную или поперечную резонаторную моду. Внутри резонатора расположена усиливающая среда, и источник энергии активизирует усиливающую среду в пределах первого объема. Это вызывает спонтанное и вынужденное испускание энергии, распространяющееся в усиливающей среде в направлении, поперечном основной резонаторной моде. Это поперечное испускание энергии, в свою очередь, накачивает второй объем усиливающей среды, расположенный вокруг первого объема. Когда интенсивность испускания достаточно высока, во втором объеме создаются инверсия и усиление. За счет оптимизации геометрии резонатора таким образом, чтобы основная резонаторная мода проходила как через первый, так и через второй объемы, окружая первый накачиваемый объем, поперечно направленная энергия первого объема, которая иначе была бы потеряна, захватывается основным лучом ...

ЛАЗЕРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ, СПОСОБ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ И АТОМНЫЙ ОСЦИЛЛЯТОР

Лазерный элемент поверхностного испускания включает в себя полупроводниковую подложку и множество лазеров поверхностного испускания, сконфигурированных с возможностью испускания света со взаимно различными длинами волн. Каждый лазер поверхностного испускания включает в себя нижний брэгговский отражатель, обеспеченный на полупроводниковой подложке, резонатор, обеспеченный на нижнем брэгговском отражателе, верхний брэгговский отражатель, обеспеченный на резонаторе, и слой регулирования длины волны, обеспеченный внутри верхнего брэгговского отражателя или нижнего брэгговского отражателя. Слои регулирования длины волны, включенные в лазеры поверхностного испускания, имеют взаимно различные толщины, причем, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны включает в себя слои регулирования, образованные из двух видов материалов, и числа слоев регулирования, включенных в слои регулирования длины волны, взаимно различаются. Технический результат заключается в возможности обеспечения регулирования ...

ДЛИННОВОЛНОВЫЙ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ

Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную оптическую апертуру. Также лазер содержит нелегированный оптический резонатор, содержащий активную среду на основе по меньшей мере трех рядов квантовых точек InAs/InGaAs, композиционную решетку p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру, внутрирезонаторный контактный слой p-типа, контактный слой p-типа с модовой селекцией и верхний диэлектрический РБО. Технический результат заключается в снижении порогового тока и электрического сопротивления и в обеспечении работы в режиме одномодовой генерации в спектральном диапазоне 1,3 мкм. 17 з.п. ф-лы, 2 ил.

ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ С ПЕРЕСТРОЙКОЙ ДЛИНЫ ВОЛНЫ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Полупроводниковый лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны, содержащий a) подложку; b) нижнее зеркало, сформированное над подложкой отражателем Брегга; c) активный элемент, который содержит i) слой генерирования света, излучающий свет при воздействии на него инжекционного тока при приложении прямого смещения, ii) первую легированную n-область растекания тока над подложкой и под слоем генерирования света, iii) первую легированную p-область растекания тока над слоем генерирования света, iv) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и v) устройство управления активным элементом посредством напряжения смещения, прикладываемого между легированной n-областью растекания тока и легированной p-областью растекания тока с возможностью инжектирования тока в слой, генерирующий свет, для генерирования света; d) элемент регулировки фазы, который содержит i) слой модуляции, расположенный над первой легированной p–областью растекания тока ...

ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ

Изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL) содержит первый электрический контакт (105), подложку (110), первый распределенный брэгговский отражатель (115), активный слой (120), второй распределенный брэгговский отражатель (130) и второй электрический контакт (135). Также содержит по меньшей мере один слой AlGaAs с 0,95≤y≤1 толщиной по меньшей мере 40 нм. Слой AlGaAs разделен посредством по меньшей мере одного слоя (119, 125b) контроля окисления. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения надёжности лазера. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 16 ил.

ЛАЗЕРНЫЙ ПРИБОР С ВНУТРЕННЕ ПРИСУЩЕЙ БЕЗОПАСНОСТЬЮ, СОДЕРЖАЩИЙ ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ

Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит матрицу лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), расположенных на одной и той же полупроводниковой подложке (101). Лазеры содержат первый электрод (100), первый распределенный брэгговский отражатель (110), активный слой (115), второй распределенный брэгговский отражатель (120) и второй электрод (125). Активный слой (115) находится между указанными брэгговскими отражателеми (110, 120). Электроды (100 и 125) выполнены с возможностью подачи электрического тока через активный слой (115) для генерирования лазерного излучения (150). Лазеры являются нижними излучателями, которые выполнены с возможностью испускания лазерного излучения (150) сквозь полупроводниковую подложку (101). Лазерный прибор содержит оптическую структуру (140), выполненную с возможностью увеличения угла (156) испускания лазерного излучения (150) для повышения безопасности лазерного прибора для глаз. Указанная структура (140) является ...

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Полупроводниковый лазер, содержащий: а) нижний отражатель, б) верхний отражатель; и в) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в указанном резонаторе; при этом резонатор и активная область выполнены с возможностью того, чтобы световое излучение распространялось в резонаторе в направлении, наклоненном и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости. 2. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит подложку под нижним отражателем. 3. Полупроводниковый лазер по п. 2, в котором а) активная область излучает свет под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; и б) резонатор также содержит: i) первую ограничивающую область под активной областью; ii) вторую ограничивающую область над активной областью; iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью; iv) первую ...

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit verbesserter optischer Begrenzung

Halbleiterlaser und Modulationsverfahren

Unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator (VCSEL)

Ein unterseitenemittierender Oberflächenemissionslaser mit Vertikalresonator, bei dem das emittierte Licht ohne Behinderung überwacht werden kann. Es sind keine zusätzlichen Befestigungen, wie beispielsweise ein Sockel, erforderlich, um eine Ausgabe zu beobachten, wobei in herkömmlichen Anordnungen Befestigungen erforderlich sind.

OBERFLÄCHENEMITTIERENDE LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR UND DARIN ENTHALTENEN STRUKTUREN

Elektrophotonische Vorrichtung mit Übertragung vertikal zur Oberfläche

ORGANISCHES LUMINESZENTES ELEMENT UND SEIN SUBSTRAT

ORGANISCHES LUMINESZENTES ELEMENT UND SEIN SUBSTRAT

II-VI/III-V-Schichtenaufbau auf InP-Träger

Schichtenaufbau, umfassend: einen InP-Träger; und alternierende Schichten von II-VI- und III-V-Materialien.

LICHTEMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNG.

LICHTEMITTIERENDES ELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG

Dieses lichtemittierende Element ist mit einer laminierten Struktur 20, die aus einem GaN-basierten Verbundhalbleiter gebildet ist, ausgestattet, wobei die laminierte Struktur darin laminiert Folgendes aufweist: eine erste Verbundhalbleiterschicht 21, die eine erste Oberfläche 21a und eine zweite Oberfläche 21b auf der Rückseite der ersten Oberfläche 21a enthält; eine aktive Schicht 23, die zu der zweiten Oberfläche 21b der ersten Verbundhalbleiterschicht 21 weist; und eine zweite Verbundhalbleiterschicht 22, die eine erste Oberfläche 22a, die zu der aktiven Schicht 23 weist, und eine zweite Oberfläche 22b auf der Rückseite der ersten Oberfläche 22a enthält. Das lichtemittierende Element ist außerdem mit Folgendem ausgestattet: einer ersten Lichtreflexionsschicht 41, die auf der Seite der ersten Oberfläche 21a der ersten Verbundhalbleiterschicht 21 vorgesehen ist; und einer zweiten Lichtreflexionsschicht 42, die auf der Seite der zweiten Oberfläche 22b der zweiten Verbundhalbleiterschicht ...

Defektbasierte Silizium-Laserstruktur

Halbleiterlaserdiode vom VCSEL-Typ mit einem SilizSilizium-Germanium, die sich, von einer Haupt-Oberfläche des Siliziumsubstrats ausgehend, ins Substratinnere hinein erstreckt und als Resonator-Endflächen eine erste Spiegelschicht an der für die Lichtemission vorgesehenen Substratoberfläche und eine vergrabene zweite Spiegelschicht im Siliziumsubstrat aufweist; einem in der Laserkavität angeordneten Verstärkungsgebiet aus kristallinem Silizium oder Silizium-Germanium, welches struktuelle Defekte seines Kristallgitters und an diesen lokalisiert eine Vielzahl elektronischer Mehrniveau-Systeme enthält, die durch Ladungsträgerinjektion jeweils geeigneter Ladungsträgerdichte in das aktive Gebiet anregbar sind, zur spontanen Emission von Licht und als Gesamtheit in einen zur optischen Verstärkung des Lichts durch stimulierte Emission geeigneten Besetzungsinversionszustand; und mit lateral dem Verstärkungsgebiet an einander gegenüberliegenden Seiten benachbarten und entgegengesetzt leitfähigen ...

Optisch pumpbare oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung

Oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit einem mittels einer Pumpstrahlungsquelle optisch pumpbaren Vertikalemitter (20), der eine strahlungserzeugende Schicht (14) und einen externen Resonator aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Modulationsstrahlungsquelle (30) zur Modulation der Ausgangsleistung der oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung vorgesehen ist, die eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (15) mit einer strahlungserzeugenden aktiven Schicht umfaßt, und die so angeordnet ist, daß sie im Betrieb Strahlung emittiert, die in die strahlungserzeugende aktive Schicht (14) des Vertikalemitters (20) eingekoppelt wird und dort eine mittels der Pumpstrahlungsquelle erzeugte Besetzungsinversion zumindest teilweise abbaut.

Radiation-emitting semiconductor component used as a VCSEL comprises an active layer emitting photons and an epitaxial p-doped covering layer of higher cross-conductivity for the homogeneous current injection into the active layer

Radiation-emitting semiconductor component comprises an active layer emitting photons and an epitaxial p-doped AlGaAs covering layer of higher cross-conductivity for the homogeneous current injection into the active layer. The covering layer is doped with two different p-dopants.

LASERVORRICHTUNGEN

Optisches Modul

Herstellungsverfahren eines organischen Vielfachlasers mit vertikalem Resonator und dielektrischem Stapel mit geätzter Zone

Bereitstellen einer organischen Vertival-Cavity-Laser-Array-Vorrichtung mit geätztem Bereich im dielektrischen Stapel

LICHTEMITTIERENDE VORRICHTUNG AUS SILIZIUM UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Optoelektronisches Bauelement in II-VI-Halbleitermaterial

The component has an active layer (4), barrier layers (3, 5) and optionally a buffer layer (2) at least one of which contains a beryllium-containing chalcogenide. The active layer comprises several strata, for example a super-lattice of BeTe/ZnSe or BeTe/ZnCdSe. Where an active ZnSe layer on a GaAs substrate (1) is used, matching of the III-V materials and II-VI materials is achieved with low electrical resistance by a pseudo-graduated buffer layer (2) by incorporation of a beryllium-containing chalcogenide.

OBERFLÄCHENEMITTIERENDER LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR

Halbleiterlaser mit codotierten verteilten Bragg-Reflektoren

Oberflächenemittierender Laser mit senkrechtem Resonator und integrierter Mikrolinse

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser

OPTISCH GEPUMPTER PASSIV MODENGEKOPPELTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT EXTERNEM RESONATOR

Verfahren zur Herstellung eines InGaAsN Halbleiters mit hoher Qualität

Optisches Gerät

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser und Verfahren zu dessen Herstellung

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit – einem Halbleiterchip (1), der ein Substrat (2) und eine auf dem Substrat (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (19), die eine strahlungsemittierende aktive Zone (12) umfasst, enthält, und – einem externen Resonatorspiegel (5), dadurch gekennzeichnet, dass – das Substrat (2) eine Ausnehmung (3) aufweist und die emittierte Strahlung (6) durch die Ausnehmung (3) ausgekoppelt wird, und – zum optischen Pumpen des oberflächenemittierenden Halbleiterlasers eine außerhalb des Halbleiterchips (1) angeordnete Pumpstrahlungsquelle (8) vorgesehen ist, wobei die von der Pumpstrahlungsquelle (8) emittierte Pumpstrahlung (9) durch die Ausnehmung (3) des Substrats (9) in die aktive Zone (12) eingestrahlt wird.

Heterostrukturanordnung aus Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien und Substrat dafür

Heterostrukturanordnung aus Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien und Substrat dafür

Sender/Empfänger-Anordnung für ein optisches Duplexsystem

Sender-receiver arrays, with transmitting lasers (T) and receiving diodes (R) made from group III-V elements and arranged optically in series, must be easy to adjust and manufacture, have a high wafer surface yield, and facilitate on-wafer testing and completely polarisation-independent operation. The transceivers according to the invention have the form of two complementary types and have a vertical integration structure, i.e. transmitting lasers (T lambda 1, T lambda 2) and receiving diodes (R lambda 2, R lambda 1) constituted of layers of material which are aligned substantially vertically relative to the common optical axis, are located preferably on opposite faces of a common substrate (S) and have only one fibre/chip interface each. Splitting of the two operating wavelengths ( lambda 1, lambda 2) is achieved by exploiting the different transmission and absorption characteristics of the group III-V materials with respect to the two operating wavelengths. Both types are identical in ...

Indexgeführter VCSEL und ein Verfahren zur Herstellung

Ein zuverlässiger Hochfrequenz-VCSEL (10) weist einen unteren verteilten Bragg-Reflektor [DBR] (16), einen aktiven Bereich (18) und einen oberen DBR (20) auf. Ein zylindrisches Volumen (24) ist aus dem oberen DBR (20) geätzt, um eine Mesastruktur (25) mit einer unteren Oberfläche des zylindrischen Volumens (24) zu definieren, welche mit einer Seitenwand der Mesastruktur (25) einen Winkel ausbildet, welcher größer als 90° ist. Ein Isolationsgraben (28) ist in die untere Oberfläche des zylindrischen Volumens (24) geätzt, welcher konzentrisch mit der Mesastruktur (25) angeordnet ist und sich durch den aktiven Bereich (18) erstreckt. Ein Abschnitt der Seitenwand der Mesastruktur (25) und der unteren Oberfläche des zylindrischen Volumens (24) sind mit Protonen implantiert. Der obere DBR (20) ist geglättet, indem dielektrische Materialien (32) mit geringem k-Wert verwendet werden und elektrisch n- und p-Kontakte (34, 35) sind mit gegenüberliegenden Seiten des aktiven Bereichs (18) gekoppelt, ...

Halbleiterlaservorrichtung , optisches Kommunikationssystem unter Verwendung desselben und Herstellungsverfahren

Vertikalresonator-Laserdiode mit koplanaren elektrischen Anschlußkontakten und Verfahren zu ihrer Herstellung

Semiconductor laser used as a VCEL comprises a laser-active layer formed between barrier layers, contacts for connecting to a voltage source and for introducing charge carriers via the barrier layers into the laser-active layers

Semiconductor laser comprises a laser-active layer (4) formed between a first and second barrier layer (2, 5), connecting contacts (1, 6) for connecting to a voltage source and for introducing charge carriers via the barrier layers into the laser-active layers. The laser-active layer or an intermediate layer (3) formed on the laser-active layer is ferromagnetic to form a spin orientation of the charge carrier spin of a charge carrier type.

An optical pickup comprising an integrated laser diode and detector

PURPOSE: To produce two elements in a single collective step by manufacturing the structure of a vertical resonator surface light emission type oscillation laser diode in the form of a single integrated chip to use as a light source and a light detector. CONSTITUTION: A laser beam issued from a surface light emission type light source 11 is entered into an objective lens 2 via a hologram element 3. A light beam entered to a track is reflected according to information recorded in the track, entered into the hologram element 3 through the objective lens 2, and then diffracted thereby. That is, reflected light carrying the information is diffracted by the hologram element 3 and then entered into a light detector 10. The light detector 10 detects the information of the disk, a focusing error and a tracking error from the diffracted light, thus performing its intended purpose.

VCSEL with photodetector

A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) device and an optical pickup apparatus adopting the same are provided. The VCSEL device includes: a semiconductor substrate (30); a photodetector (40) having an intrinsic buffer layer (41) formed on the semiconductor substrate (30) for receiving light incident thereto and a first electrode layer (43) formed on the intrinsic buffer layer (41); and an optical source (50) having a first distributed Bragg reflecting (DBR) stack (51) formed on the first electrode layer (43) for reflecting most of light incident thereto and transmitting the remainder thereof, an active layer (53) formed on the first DBR stack for generating light, a second distributed Bragg reflecting (DBR) stack (55) formed on the active layer (53) for reflecting most of light incident thereto and transmitting the remainder thereof, and a second electrode layer (57) formed on the second DBR stack (55) formed with a cavity (58) via which light passed through the second DBR stack ...

Semiconductor light emitting devices

The device has a window layer 8, a current spreading layer 7 below the window layer and a cladding layer 6 below the current spreading layer. The band gap energy of the spreading layer is higher than that of the window layer and lower than that of the cladding layer and the carrier concentration of the spreading layer is lower than that of the window layer and higher than that of the cladding layer. The active layer 5 may be a double hetero-junction or multi-quantum well layer and the device may be a light emitting diode or a laser diode.

Optical source with monitor

CURRENT CONFINING SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION DIVICE

A semiconductor light emission device 200 is provided in a stacked layer arrangement with an substrate 101; an n-type layer 102; a diffusion accommodation layer 110; an active region 111, comprising a p-n (intrinsic) material and a p-type layer 112; the device further comprises a first and second diffusion region 130A, 130B which are formed in the p-type and active region layers through further p-type doping, terminating in the diffusion accommodation layer; whereby the diffusion regions 130 act to confine current to the central region 132. The p-type doping in the diffusion regions 130 produce p+/n junctions in the active region which may have higher threshold voltages than the p-n regions. The semiconductor light emission device 200 may also be in the form of a light emitting diode (LED) or a laser diode, more specifically a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL).

Semiconductor contact layer structure

Oxide vertical cavity surface-emitting laser

Distributed-feedback semiconductor laser device

Disclosed is a distributed feedback semiconductor laser provided with a grating which effects optical feedback by means of periodic corrugation disposed inside an optical resonator. The optical resonator has at least two regions having different bragg wavelength, and these regions are arranged longitudinally in the direction of an optical axis. The laser device can realize stable single longitudinal mode oscillation.

A phonton source and method of operating a photon source

Vertical cavity surface emitting semiconductor lasers

The laser is formed by fusing together two substrates, one of which includes a multi-quantum well layer 16 and the other of which has channels 18 formed in its surface in order to enable the formation of an oxide layer with an aperture 22. The laser includes a GaAs/AlGaAs Bragg mirror stack 20 on a GaAs substrate 24 and a dielectric mirror 12.

Vertical cavity surface emitting lasers

Optic fibre aperiodic Bragg grating

A raman amplifier having an aperiodic grating structure

The invention provides a Raman amplifier or laser comprising a Fabry-Perot cavity, said cavity comprising at least one end mirror comprising a grating having an aperiodic structure. The grating has a selected response characteristic and any repeated unit cell in the structure is significantly longer than a characteristic length associated with the selected response characteristic. Such an arrangement allows the creation of a composite cavity for all Stokes wavelengths.

Vertical cavity surface emitting laser

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Vertical cavity surface emitting laser

DISTRIBUTED-FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

DISTRIBUTED-FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Semiconductor device

Semiconductors devices

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

SURFACE-EMITTING DIODE LASER WITH STRUCTURED TRANSVERSE ELECTROMAGNETIC WAVE

OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ELECTRICALLY MODULATE-CASH TRANSFER FUNCTION

IMPROVEMENTS OF OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES WITH VERTICAL RESONATOR

SURFACE-EMITTING LICHTEMITTIERENDES SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION UNIT AND PROCEDURE FOR ITS PRODUCTION, OPTICAL MODULE AND LIGHT TRANSMISSION DEVICE

RESONANCE CAVITY DIODE, WHICH BECOMES WITH RESEMBLING WAVELENGTH FOR LIGHT EMISSION AND LIGHT DETECTION ENTERPRISES

SURFACE-EMITTING LASER APPARATUS WITH EXTERNAL RESONATOR

PROCEDURE FOR THE PRODUCTION OF A SURFACE EMISSION LASER, PROCEDURE FOR THE PRODUCTION OF A SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OBERFLÄCHENEMIS ION LASERS, SURFACE EMISSION LASER ARRAY AND OPTICAL DEVICE WITH THE SURFACE EMISSION LASER ARRAY

PROCEDURE AND LASER DEVICE FOR THE OPTICAL TRANSMISSION OF NEWS

EPITAKTI OHM'S CONTACT FOR INTEGRATED HETEROSTRUCTURE FROM II-VI-SEMICONDUCTOR MATERIALS AND PROCEDURES TO ITS PRODUCTION

RESONANCE REFLECTOR FOR USE WITH OPTO-ELECTRONIC MECHANISMS

SURFACE-EMITTING DIODE LASER

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

QUANTUM CASCADE LASER ALSO BY PERIODIC DOPING FORMED LATTICE

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER

Semi conducteur laser with temperature independant performances

Current-controlled polarization switching vertical cavity surface emitting laser

Optical polarizing device and laser polarisation device

VCSEL WITH ANTIGUIDE CURRENT CONFINEMENT LAYER

Low threshold microcavity light emitter

Method of fabricating a distributed bragg reflector by controlling material composition using molecular beam epitaxy

Providing photonic control over wafer borne semiconductor devices

Measurement Method of MEMS In-plane Vibration Characteristics Based on Polarization Imaging

The invention relates to the field of Micro-Electro-Mechanical System(MEMS) in plane dynamic characteristics measurement. It aims to achieve high-precision measurement of in-plane dynamic displacement characteristics of MEMS device, break through the limitation of the prior art, obtain the clearer images, accurately measure the in-plane vibration of MEMS, and detect the optical characteristics of MEMS device. Therefore, the technical scheme adopted by the invention is as follows. In the measurement method of MEMS in-plane vibration characteristics based on polarization imaging, by stroboscopic complementary light to improve the brightness of the images, obtain the clearer video images, and polarization noise reduction on collected video images is used to enhance the contrast of the images. Then, the in-plane vibration displacement of MEMS device is calculated by using the stroboscopic imaging in-plane displacement algorithm, and finally the polarization characteristics of MEMS device is ...

Indium-phosphide VCSEL with dielectric DBR

An optoelectronic device includes a carrier substrate (22), with a lower distributed Bragg reflector (DBR) stack (24) disposed on an area of the substrate and including alternating first 5 dielectric and semiconductor layers. A set of epitaxial layers (26, 28, 30, 31, 34) is disposed over the lower DBR, wherein the set of epitaxial layers includes one or more Il-V semiconductor materials and defines a quantum well structure (28) and a confinement layer (31). An upper DBR stack (38) is disposed over the set of epitaxial layers and includes alternating second dielectric and semiconductor layers. Electrodes (40, 42) are coupled to apply an excitation current to the 10 quantum well structure. n -36 ...

Method of manufacturing a semiconductor surface emitting laser

Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump

Thin-film large-area coherent light source, filter and amplifier apparatus and method

Current leveling layer integrated with aperture for intracavity device

Extended wavelength strained layer lasers