ИЗЛУЧАТЕЛЬ ЛАЗЕРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ

Изобретение относится к лазерной технике. Предложен излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку лазерных диодов, установленных на плоскости корпуса, перпендикулярной к оси излучения. Решетка лазерных диодов выполнена в виде одинаковых блоков лазерных диодов, минимальное число которых определено соотношением где θ∥ - типовая расходимость излучения блока лазерных диодов в плоскости, параллельной р-n-переходам по уровню 0,5; θи- расходимость излучения излучателя по заданному уровню силы излучения, а все n блоков лазерных диодов развернуты друг относительно друга в плоскости, перпендикулярной к оси излучения, причем углы между направлениями их р-n-переходов и направлением начала отсчета углов в плоскости зеркал образуют ряд 0,α,2α,...,(n-1)α градусов, где α = 180•n-1 градусов. Все n блоков лазерных диодов расположены по окружности с угловым шагом 2α относительно ее центра, причем диаметр ...

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение предлагает лазерное устройство, способное выполнять колебания в устойчивой поперечной моде и выдавать лазерный луч с превосходной диаграммой направленности в дальней зоне. Первое полупроводниковое лазерное устройство содержит многослойную структуру, в которой полупроводниковый слой проводимости первого типа, активный слой и полупроводниковый слой проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, расположены последовательно, и волноводную зону для направления луча света в направлении, перпендикулярном направлению ширины, посредством ограничения расхождения луча в направлении ширины. Волноводная зона включает зону первого волновода и зону второго волновода. В зоне первого волновода луч локализован внутри активного слоя вследствие разницы в показателе преломления между активным слоем и зонами на обеих сторонах посредством ограничения ширины активного слоя, и в зоне второго волновода луч локализован посредством обеспечения эффективной разницы в показателе ...

МНОГОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ВОЛС

Изобретение относится к области лазерной техники, а именно, к системам волоконно-оптической связи. Предложенный источник, в частности, содержит активный элемент с частотным селектором, выполненным в виде интегрально-оптического эшелона Майкельсона, работающего на отражение. При этом входной торец селектора выполнен в виде цилиндрической микролинзы, а выходной - в виде плоского высокоотражающего зеркала. В результате предложенный источник многочастотного излучения имеет высокую точность расположения генерируемых частот с низкими оптическими потерями внутрирезонаторного селектирующего элемента и обладает высокой воспроизводимостью выходных параметров. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ

... 1. Полупроводниковый излучатель, содержащий по крайней мере две диодные линейки на основе лазерной гетероструктуры с р-n переходом, совмещенные поверхностями р- и n-типа проводимости, имеющие каждая чередующуюся последовательность из активной и пассивной секций, причем каждая пассивная секция находится между активными секциями, изолирующие покрытия и контактные слои, а также содержащий контактную пластину, являющуюся теплоотводом, на котором находится одна из крайних диодных линеек стороной р-типа проводимости, и электрические контактные выводы, отличающийся тем, что каждая пассивная секция последовательности имеет среднюю часть из той же лазерной гетероструктуры, две области, продолжающие соседние активные секции вдоль р-n перехода, каждая длиной не менее 2-3 диффузионных длин электронов, инжектированных в р-n переход током накачки при работе излучателя, а также два углубления между каждой боковой стороной средней части и соседней с ней упомянутой областью, причем толщины средней части ...

ФАЗОВОЕ РЕШЕТЧАТОЕ ЗЕРКАЛО ДЛЯ СИНХРОНИЗАЦИИ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

Фазовое решеточное зеркало для синхронизации линейки лазерных диодов, содержащее прозрачную подложку с гофрированной поверхностью прямоугольного сечения и диэлектрическое зеркало, где период прямоугольного гофра , где D - расстояние между центрами соседних лазерных диодов линейки лазерных диодов, f2 - фокусное расстояние Фурье-объектива, расположенного между упомянутой линейкой лазерных диодов и упомянутым зеркалом, при этом глубина канавок упомянутой гофрированной поверхности равна четверти рабочей длины волны λ в вакууме, на которую нанесено диэлектрическое зеркало.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ШИРОКИМ ПЕРИОДИЧЕСКИ СЕКЦИОНИРОВАННЫМ ПОЛОСКОВЫМ КОНТАКТОМ

Изобретение относится к области лазерной техники, в частности к системам диодной накачки, к медицинским лазерам, а также к лазерным системам, используемым в информатике, оргтехнике и индустрии развлечений. Полупроводниковый лазер содержит высокоотражающее зеркало, активный элемент, снабженный периодически секционированным электродом, коллимирующую линзу и волноводно-решеточное зеркало, установленное под углом θ к оси активного элемента. Высокоотражающее зеркало выполнено в виде многослойного диэлектрического покрытия, нанесенного на торец активного элемента. Волноводно-решеточное зеркало выполнено либо в виде пленочного волновода, нанесенного на гофрированную подложку, либо в виде гофрированного волноводного слоя, нанесенного на плоскую подложку, либо в виде слоя диэлектрика с периодической модуляцией показателя преломления, нанесенного на плоскую диэлектрическую подложку. Различные модификации полупроводниковых лазеров содержат активный элемент в виде линейки диодных лазеров, либо в виде ...

Способ управления фазовым составом неорганических галоидных перовскитов и термоуправляемый источник света, полученный указанным способом

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники. Способ управления фазовым составом неорганических галоидных перовскитов заключается в том, чтоберут термоплазмонную метаповерхность, которая представляет собой подложку из кремния с плазмонными наноструктурами из нитрида титана TiN. На термоплазмонную метаповерхность помещают микрокристалл неорганического галоидного перовскита CsPbX3,где X - Cl, Br, I, при этом линейные размеры микрокристалла выбраны из диапазона 100 нм-10 мкм. Далее микрокристалл подвергают воздействию непрерывного лазерного излучения с изменением мощности. Внутри микрокристалла перовскита возникает распределение температуры, которое управляет его фазовым составом. Измеряют спектры комбинационного рассеяния света микрокристалла при каждом значении мощности лазерного излучения, по которым определяют температуру нагрева микрокристалла, и строят зависимость интенсивности линий комбинационного рассеяния света перовскита от температуры. По появлению локальных ...

БОЕВАЯ ИНДИВИДУАЛЬНАЯ ЭКИПИРОВКА

Изобретение относится к средствам индивидуального оснащения личного состава силовых структур. Предложена боевая индивидуальная экипировка, содержащая обмундирование, средства борьбы с противником в ближнем бою, бронежилет, защитный шлем и системы радиоэлектронного обеспечения и жизнеобеспечения. Она дополнительно содержит портативные оптические устройства (ПОУ), сгруппированные в комплект для функционального подавления на время боевого контакта органов зрения одиночной или групповой цели, комплект для подачи условных оптических сигналов и комплект для оказания медицинской помощи. Передние части обмундирования, бронежилета и шлема дополнительно оснащены опорными средствами для размещения ПОУ, комплекта подавления органов зрения. Каждое ПОУ состоит из последовательно установленных в корпусе блока питания, блока управления, источника направленного оптического излучения и системы формирования излучения, при этом выход блока питания через блок управления электрически соединен со входом источника ...

СПОСОБ ОТБОРА АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ИЗЛУЧАТЕЛЯ ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при отборе активных элементов для излучателя лазерного полупроводникового инжекционного с диаграммой направленности излучения, близкой к круглосимметричной. Способ содержит операции измерения тока накачки при фиксированном значении оптической мощности, излучаемой в заданном телесном угле. Перед измерением тока накачки выбирают количество активных элементов. Определяют угол разворота активных элементов друг относительно друга в плоскости, перпендикулярной оси излучателя. Измеряют силу излучения активного элемента в нормируемых направлениях относительно оси излучателя по кругу для ряда углов. Определяют сумму сил излучения активного элемента по всем углам по кругу для каждого нормируемого направления. Определяют отношение требуемого нормируемого значения силы излучения излучателя к полученной сумме для каждого нормируемого направления. Если это отношение больше единицы, увеличивают число активных элементов в излучателе. Повторяют ...

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИСКОВЫЙ ЛАЗЕР

... 1. Полупроводниковый дисковый лазер, содержащий активную пластину с зеркальным покрытием на первой поверхности, закрепленной на первой хладопроводящей подложке, внешнее зеркало обратной связи и лазер накачки, причем активная пластина находится между зеркальным покрытием и внешним зеркалом обратной связи которые являются элементами оптического резонатора дискового лазера, а лазер накачки, имеет свой устойчивый оптический резонатор и длина волны его излучения короче длины волны излучения дискового лазера, отличающийся тем, что активная пластина дискового лазера является одним из отражающих элементов устойчивого оптического резонатора лазера накачки, причем при отражении генерируемого в лазере накачки излучения от активной пластины часть излучения частично поглощается в активной пластине, тем самым возбуждая дисковый лазер. ! 2. Полупроводниковый дисковый лазер по п.1, отличающийся тем, что активная пластина обращена к первой хладопроводящей подложке своей первой стороной с зеркальным покрытием ...

ДЛИННОВОЛНОВЫЙ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С МНОГОВОЛНОВЫМ МОДУЛИРОВАННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

Использование: для управления лазерным излучением. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением на основе гетероструктуры содержит первый оптический Фабри-Перо резонатор, ограниченный с одной стороны первым отражателем, с другой стороны первым распределенным Брэгговским зеркалом, формирующим второй отражатель, второй оптический Фабри-Перо резонатор, ограниченный с одной стороны первым отражателем, с другой стороны третьим отражателем, секцию усиления, общую область усиления, секцию управления, область поглощения, первый омический контакт, второй омический контакт, третий омический контакт, элемент, обеспечивающий электрическую изоляцию, первый оптический Фабри-Перо резонатор оптически связан со вторым оптическим Фабри-Перо резонатором через часть волноводного слоя, при этом отражатели формируют такие спектры оптических потерь на выход, при которых выполняется заданное условие. Гетероструктура инжекционного лазера с многоволновым ...

БОЕВАЯ ИНДИВИДУАЛЬНАЯ ЭКИПИРОВКА

... 1. Боевая индивидуальная экипировка, содержащая обмундирование, средства борьбы с противником в ближнем бою, бронежилет, защитный шлем и системы радиоэлектронного и жизнеобеспечения, отличающаяся тем, что в состав экипировки дополнительно введены портативные оптические устройства (ПОУ), сгруппированные соответственно в комплекты N1, N2 и N3 и подсумок с отсеками для их размещения, выполненный с возможностью крепления к элементам экипировки, а передние части обмундирования и бронежилета и лицевая часть шлема дополнительно оснащены опорными средствами для ПОУ, входящих в комплект N1, при этом каждое из ПОУ состоит из последовательно установленных в корпусе блока питания, блока управления, источника направленного оптического излучения и системы формирования излучения, при этом выход блока питания через блок управления электрически соединен с входом источника направленного оптического излучения, выход которого оптически связан с системой формирования излучения, а каждое из ПОУ комплектов N1 ...

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ВНУТРЕННЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN

... 1. Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN, включающий облучение гетероструктуры пучком электронов и возбуждение католюминесценции, отличающийся тем, что возбуждение катодолюминесценции осуществляют путем облучения светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 100 мкс.2. Способ контроля внутреннего квантового выхода по п.1, отличающийся тем, что энергию электронов задают 18 кэВ и выше.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Полупроводниковый лазер, содержащий: а) нижний отражатель, б) верхний отражатель; и в) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в указанном резонаторе; при этом резонатор и активная область выполнены с возможностью того, чтобы световое излучение распространялось в резонаторе в направлении, наклоненном и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости. 2. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит подложку под нижним отражателем. 3. Полупроводниковый лазер по п. 2, в котором а) активная область излучает свет под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; и б) резонатор также содержит: i) первую ограничивающую область под активной областью; ii) вторую ограничивающую область над активной областью; iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью; iv) первую ...

Полупроводниковый лазер

Способ управления частотой излучения инжекционного полупроводникового лазера

... 1. СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЧАСТОТОЙ ИЗЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКЦИОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА, включающий накачку его импульсами тока и регулирование режима тепловвделения в активной области лазера, о т л ичающий с я тем, что, с целью повьппения быстродействия управления частотой, величину тепяовьщеления регулируют , изменяя ток накачки в течение каждого импульса тока. 2.Способ по п. 1, о т л и ч аю щ и и с я тем, что, с целыо снижения минимального значения скорости изменения частоты излучения лазера при фиксированной длительности импульса накачки, величину тока накачки после окончания переднего фрон та импульса монотонно уменьвшют в течение импульса по линейному зако;НУ . :. 3.Способ ПО п. 1 о т л и ч а9 ю щ и и с я , с целью повышения линейности изменения частоты излучения лазера в течение интервала времени, на котором скорость это .го изменения достигает минимального по абсолютной величине значения, величину тока накачки после о1сончания переднего, фронта импульса уменьшают по экспоненциальному закону ...

Генератор оптических импульсов

Оптический транзистор

Изобретение относится к оптической обработке информации, в частности к устройствам оптической логики, коммутации и усиления оптических сигналов с помощью полупроводниковых структур. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей оптического транзистора за счет получения характеристик бистабильности и дифференциального усиления повышенной крутизны. Новым в оптическом транзисторе является сочетание по крайней мере двух совместно работающих бистабильных ячеек, одна из которых выполнена в крайней мере двух полупроводниковых лазеров в общем нелинейном кольцевом резонаторе, а другая ячейка - в виде оптически связанных .полоскового световода и указанного нетя- нейного кольцевого резонатора. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Полупроводниковый лазер с квантово-размерным эффектом

Использование: приборы квантовой электроники, в качестве источника когерентного излучения. Сущность изобретения: на широкозонные полупроводниковые слои р- и п-типа нанесены слои из материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), причем ширина запрещенных зон материалов слоев активной области не превышает удвоенного значения ширины сверхпроводнико вой энергетической щели в материалах слоев с ВТСП при температуре Т То, где Т - температура широкозонных, полупроводниковых слоев, То - критическая температура ВТСП слоев лазера. 3 ил.

Lichtaussendende Vorrichtung fähig zur Auswahl der Polarisationsrichtung, optisches Übertragungssystem und Steuerungsverfahren von Polarisationsmodulation

Verfahren zur Herstellung einer Anordnung von rein optischen Quantum-Well-Vorrichtungen mit vertikaler Struktur

Vorrichtung zum Ankoppeln einer Lichtquelle an eine optische Faser

Light-emitting semiconductor array, has pumping lasers directing beams parallel to common plane, to excite surface-emitting semiconductor lasers

The array comprises surface-emitting semiconductor lasers (1) arranged in a plane, with an external resonator. Each pumping laser (2) emits a beam directed laterally, for optical pumping of the surface-emitting semiconductor lasers. Each beam is directed parallel to the common plane.

HALBLEITERLASERPLAETTCHEN UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DIODENLASERS MIT DOPPEL-HETEROSTRUKTUR

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit verbesserter optischer Begrenzung

Gewinngekoppelter Halbleiterlaser mit verteilter Rückkoppelung und Herstellungsverfahren

Polarisationsmodenselektiver Halbleiterlaser, Lichtquelle und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers

Halbleiterlaser und Modulationsverfahren

Optische Halbleitervorrichtung mit verbesserter Positionierung des optischen Strahls

Verfahren zur Herstellung einer akusto-optischen Zelle für gütegeschaltete Laser sowie Verfahren zur Serienherstellung für gütegeschaltete Mikrolaser

Verfahren zur Erzeugung ultrakurzer optischer Impulse

Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Integriertes optisches Regelelement und Verfahren zu seiner Herstellung und integriertoptisches Element und es verwendende integriertoptische Schaltkreisanordnung

OPTISCHE BAUTEILANORDNUNG

Optoelektronische integrierte Schaltung mit einem Langwellensender

Kompensierte Laserstruktur für analoge Übertragungssysteme.

Laserdiode mit verteilter Rückkopplung mit selektiv angeordneten Verlustabschnitten

Im blau-grünen Bereich emittierender Injektionslaser

SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

LASERAUFZEICHNUNGS- UND/ODER -ABTASTEINRICHTUNG MIT EINER VERSETZTEN LINSE

GLASUEBERZUG FUER OPTISCHES HALBLEITER- BAUELEMENT

Optische Verstärker, optisches Übertragungssystem und Netzwerke unter Verwendung des Verstärkers und integrierte optische Knoten, die den Verstärker enthalten.

Anordnung zur optischen Verbindung

VERFAHREN ZUR REGELUNG DER AUSGANGSLEISTUNG EINES HALBLEITERLASERS

Lichtemittierende Vorrichtung.

Ohmsche Elektrode, Verfahren für ihre Herstellung und lichtemittierende Vorrichtung

OBERFLÄCHENEMITTIERENDE LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR UND DARIN ENTHALTENEN STRUKTUREN

Elektrophotonische Vorrichtung mit Übertragung vertikal zur Oberfläche

Oberflächen emittierender Vielfachhalbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung und mit Talbot-Filterwirkung

Halbleiterlaserstrukturen.

Verfahren zum Herstellen einer rotationsinduzierten Übergitterstruktur

Verfahren zur Herstellung eines blockförmigen Trägerkörpers für eine Halbleiterkomponente

Halbleiterlaservorrichtung vom vergrabenen Typ

QUANTENSCHICHTSTRUKTUR

Laserdioden-Anordnung mit externem Resonator

Laserdioden-Anordnung (10) zur Erzeugung von einmodiger, durchstimmbarer Laserstrahlung (15), mit einer Laserdiode (11), die eine Rückfacette (16) und eine Frontfacette (17) aufweist und einen ersten Resonator (R1) bildet, und mit einem daran angekoppelten externen Resonator (R2), der wenigstens eine optische Transmissionskomponente (30) und wenigstens ein wellenlängenselektives optisches Reflexionselement (40, 50) aufweist und von der Laserdiode (11) emittiertes Laserlicht (13) in den ersten Resonator (R1) zurückkoppelt, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserstrahlung (15) über die Rückfacette (16) der Laserdiode (11) auskoppelbar ist, wobei das Verhältnis der Reflektivität der Rückfacette (16) zur Reflektivität des optischen Reflexionselements (40) sehr viel kleiner als 1 ist.

INTEGRIERTER OPTISCHER BAUTEIL ZUR KOPPLUNG

OPTISCHE HALBLEITERANORDUNG UND DEREN HERSTELLUNG.

Sichtbares Licht ausstrahlender Halbleiterlaser mit (AlxGa1-x)0.5In0.5P-Kristallschichten und Verfahren zum Züchten eines (AlxGa1-x)0.5In0.5P-Kristalls.

Verfahren zur Realisierung eines ebenen, uniformen Bildes einer Laserdioden-Anordnung.

Vielfachlaseranordnung.

Herstellungsverfahren einer optischen Halbleitervorrichtung

A METHOD OF MAKING A COMPONENT FOR A MICROELECTRONIC CIRCUIT AND A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN OPTICAL WAVEGUIDE MADE BY THAT METHOD

LICHTLEITERGYROSKOP MIT PHASENMODULATION.

LASERANORDNUNG IN EINEM OPTISCHEN VERBINDUNGSSYSTEM.

Optischer Verstärkungsmodul.

Optischer Halbleiterverstärker mit verkürzter Gewinn-Erholungszeit.

Elektrolumineszierende Anordnung von Verbindungshalbleitern.

Halbleiterlaser mit SiGe-Einkristallsubstrat.

HALBLEITERSCHEIBENGROSSE INTEGRIERTE OPTISCHE ELEMENTE

Method for determining and regulating the temperature of laser diodes, and a circuit arrangement for carrying out the method

A method for determining and regulating the temperature of laser diodes and a circuit arrangement for carrying out the method, the laser diodes being used especially in line printers and being operated in the pulsed mode. The essence of the method according to the invention is that a constant basic current, which is lower than the laser threshold current, is passed via the laser diode at the time interval at which emission of the laser radiation is suspended, during which the voltage of the laser diode is sampled at least once, and after which the sampled value is stored and evaluated, and the current supplying the laser diode is controlled as a function of the result obtained. The essence of the circuit arrangement according to the invention is that the connections of the laser diode are connected to a sample and hold unit via a voltage follower having a high input impedance, the output from which sample and hold unit is passed to an evaluation unit, while one output of the evaluation ...

Strahlungemittierende Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiteranordnung.

Laserdiodenmodul mit Glasfaserausgang.

Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Optoelektronische Sende-Empfangs-Vorrichtung

Vielfachhalbleiterlaseranordnung

Halbleiterlaser

Verwendung eines Scheibenlasers zur Kristallisation von Siliziumschichten

INJEKTIONSLASER

HALBLEITER-RINGLASERVORRICHTUNG

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

VORRICHTUNG ZUR EPITAKTISCHEN ABLAGERUNG EINER HALBLEITERMATERIALSCHICHT

OPTISCHE ANORDNUNG ZUR SYMMETRIERUNG DER STRAHLUNG EINES ODER MEHRERER ÜBEREINANDER ANGEORDNETER HOCHLEISTUNGSDIODENLASER

LASERANORDNUNG FUER HOCHDOTIERTE OPTISCHE VERSTAERKERELEMENTE, INSBESONDERE AUS ULTRAPHOSPHATBASIS

Optoelektronisches Bauelement in II-VI-Halbleitermaterial

The component has an active layer (4), barrier layers (3, 5) and optionally a buffer layer (2) at least one of which contains a beryllium-containing chalcogenide. The active layer comprises several strata, for example a super-lattice of BeTe/ZnSe or BeTe/ZnCdSe. Where an active ZnSe layer on a GaAs substrate (1) is used, matching of the III-V materials and II-VI materials is achieved with low electrical resistance by a pseudo-graduated buffer layer (2) by incorporation of a beryllium-containing chalcogenide.

HALBLEITERLASER

OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) und mehrere Halbleiterstrukturen (21, 22) mit jeweils einem aktiven Bereich (210). Die aktiven Bereiche sind jeweils zur Emission und/oder Absorption von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Die aktiven Bereiche unterschiedlicher Halbleiterstrukturen hängen nicht zusammen. Die Halbleiterstrukturen sind jeweils als Nanorod oder als Mikrorod ausgebildet. Die Halbleiterstrukturen sind in der Halbleiterschichtenfolge eingebettet.

ABSTIMMBARE LASERQUELLE MIT INTEGRIERTEM OPTISCHEN VERSTÄRKER

LICHTQUELLE MIT VARIABLER WELLENLÄNGE

OBERFLÄCHENEMITTIERENDER LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR

Laserausrichtungssystem

Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben

Es wird ein Halbleiterlaser vorgesehen, welcher umfaßt: eine erste Mantelschicht, die aus einem Verbindungshalbleiter gebildet ist, der eine Verunreinigung vom ersten Leitfähigkeitstyp aufweist und einen mesaförmigen Vorsprung hat; eine aktive Schicht, die auf dem Vorsprung wie ein Streifen gebildet ist und Seitenflächen aufweist, die unter einem Winkel von mehr als 70 Grad, jedoch weniger als 90 Grad relativ zu einer oberen Fläche der ersten Mantelschicht geneigt sind; vergrabene Schichten, die auf beiden Seiten des Vorsprungs gebildet sind und eine Verunreinigung vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen; Stromblockierschichten, die jeweils ein Ende aufweisen, das mit einer virtuellen Fläche in Kontakt steht, die durch die Verlängerung einer Seitenfläche der aktiven Schicht nach oben erhalten wird, und die eine erste Facette aufweist, welche von dem einen Ende nach unten verläuft und etwa 55 Grad relativ zur oberen Fläche der ersten Mantelschicht geneigt ist, und auf jeder vergrabenen Schicht ...

HALBLEITERLASERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

Semiconductor laser diode has a p-type gallium arsenide substrate

A semiconductor laser diode has a p-type GaAs substrate bearing a lower p-type AlGaAs cladding layer, an active layer and an upper n-type AlGaAs cladding layer formed of AlxGa1-xAs (x \-0.4) with a charge carrier concentration of <= 6\*10<17> cm<-3>. A semiconductor laser diode has (a) a p-type GaAs substrate; (b) a p-type semiconductor region including a lower p-type AlGaAs cladding layer on the substrate; and (c) an n-type semiconductor region which includes an upper n-type AlGaAs cladding layer and which is formed over an active layer on the p-type semiconductor region. The upper cladding layer has a light confinement region over the entire active layer surface and a ridge portion for current concentration and injection into a laser oscillation region of predetermined width in the active layer and is formed of AlxGa1-xAs (x = \-0.4) with a charge carrier concentration of <= 6\*10<17> cm<-3>.

Halbleiterlaser mit codotierten verteilten Bragg-Reflektoren

Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung

Die Erfindung bezieht sich auf eine neuartige optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laderdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung.

Oberflächenemittierender Laser mit senkrechtem Resonator und integrierter Mikrolinse