Полупроводниковый лазер с квантово-размерным эффектом

Использование: приборы квантовой электроники, в качестве источника когерентного излучения. Сущность изобретения: на широкозонные полупроводниковые слои р- и п-типа нанесены слои из материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), причем ширина запрещенных зон материалов слоев активной области не превышает удвоенного значения ширины сверхпроводнико вой энергетической щели в материалах слоев с ВТСП при температуре Т То, где Т - температура широкозонных, полупроводниковых слоев, То - критическая температура ВТСП слоев лазера. 3 ил.