Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 7. Отображено 7.
07-09-2005 дата публикации

III-V/II-VI semiconductor interface fabrication method

Номер: CN0001218409C
Автор: DEPUYDT J M, GUHA S, HAASE M A, J. M. DEPUYDT, S. GUHA, M. A. HAASE
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 1
27-09-2000 дата публикации

Light absorbing layer for II-VI semiconductor light emitting devices

Номер: CN0001268256A
Автор: HAASE M A, BAUDE P F, M. A. HAASE, P. F. BAUDE
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 2
03-01-2001 дата публикации

II-VI claser diode with facet degradation reduction structure

Номер: CN0001278961A
Автор: HAASE M A, BAUDE P F, M. A. HAASE, P. F. BAUDE
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 3
15-03-2000 дата публикации

Passivation capping layer for ohmic contact in II-VI semiconductor light transducing device

Номер: CN0001247637A
Автор: FEN-REN CHIEN, HAASE M A, MILLER T J, CHIEN FEN-REN, M. A. HAASE, T. J. MILLER
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 4
16-07-2003 дата публикации

Light absorbing layer for II-VI semiconductor light emitting device

Номер: CN0001114980C
Автор: HAASE M A, BAUDE P F, M.A. HAASE, P.F. BAUDE
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 5
24-02-1999 дата публикации

III-V/II-VI semiconductor interface fabrication method

Номер: CN0001209218A
Автор: DEPUYDT J M, GUHA S, HAASE M A, J. M. DEPUYDT, S. GUHA, M. A. HAASE
Принадлежит:

Подробнее
Номер записи: 6
19-05-2004 дата публикации

II－VI族半导体器件

Номер: CN0001150633C
Автор: FEN-REN CHIEN, HAASE M A, MILLER T J, CHIEN FEN-REN, M.A. HAASE, T.J. MILLER, 钱丰廉, 哈泽, 米勒
Принадлежит:

... 一种II-VI族半导体器件，包括半导体层的叠层(10)。设有电气耦合到叠层的欧姆接触(34)。此欧姆接触在暴露于氧化物质时具有一氧化率。钝化覆盖层(42)覆盖在此欧姆接触上，且其氧化率小于欧姆接触的氧化率。 ...

Подробнее
Номер записи: 7