Metall-Basisplatte wie Wärmesenke für eine Plastikumhüllte Halbleiteranordnung mit erhöhten Teilen zum Löten von Erdschluss-Verbindungsdrähten

Metall-Basisplatte wie Wärmesenke für eine Plastikumhüllte Halbleiteranordnung mit erhöhten Teilen zum Löten von Erdschluss-Verbindungsdrähten

METALLIC BASE PLATE FOR HEAT RADIATION FOR RESIN ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PROJECTED PART FOR GROUND CONNECTION WIRE

PURPOSE: To improve reliability of connection of base plate and the pad of a semiconductor die, by forming a projection part whose height is substantially equal to contact pad on the semiconductor die on the base plate, and connecting the contact pad with the projection part by means of connection wire. CONSTITUTION: A projection part 12 is formed in a position facing a side which is the periphery of semiconductor die 1 on a heat radiating base plate 3 and on which metallic pads 13 for ground connection are formed along it. It is advantageous that the projection part 12 has a smooth layer surface whose height is similar to those of the metallic pads 13 existing in front of the semiconductor die 1. When the metallic pads 13 and the projection part 12 are welded with a connection wire 14, the connection wire 14 connects points which are substantially or close to coplanar. Thus, the curvature radius of a size matching with the points is given. This resolves the problems of defects that can ...

Metal heat sink baseplate for a resin-encapsulated semiconductor device, having raised portions for welding ground connection wires thereon

A metal heat sink baseplate (3) of a resin-encapsulated semiconductor power device, onto which the semiconductor dice (1) is bonded, is provided with one or more raised portions (12) hear the perimeter of the bond area of the semiconductor dice, onto which ground wires (11) may be welded in order to increase the reliability of wire connections realized between ground connection pads (15) and the metallic heat sink baseplate itself. The raised portions are preferably obtained by deep drawing the metal of the baseplate. A Single-In-Line device is shown wherein the deep drawing of the metal heat sink baseplate for realizing a ridge on the assembly face, to be used for realizing wire ground connections, is formed in a separation zone between a portion (4) of the metallic baseplate which extends beyond the perimeter of the encapsulating resin body and onto which the fastening means of an external heat sink are arranged, and the remaining part of the baseplate onto which the semiconductor dice is bonded. The deep drawing performed in this zone is also instrumental in providing a mechanical decoupling between the two portions of the metallic baseplate for reducing transmission of flection stresses.

METAL PLATE FOR HEAT DISSIPATION OF A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED IN RESIN PROVIDED WITH RELIEVES FOR WELDING GROUND WIRES

Una piastrina metallica di dissipazione del calore di un dispositivo a semiconduttore di potenza incapsulato in resina sulla quale è direttamente fissata la tessera di semiconduttore, è fornita di uno o più rilievi in prossimità del perimetro dell'area di fissaggio della tessera di semiconduttore per migliorare l'affidabilità dei collegamenti a filo tra piazzuole metallizzate di connessione a massa del fronte della tessera di semiconduttore e la piastrina metallica di base, per realizzare attraverso quest'ultima i necessari collegamenti a massa. Il rilievo o i rilievi sono preferibilmente ottenuti mediante imbutitura del metallo della piastrina. E' mostrato un dispositivo del tipo Single-In-Line in cui l'imbutitura della piastrina metallica di dissipazione, per realizzare un rilievo sulla faccia di montaggio per i collegamenti a massa, è formata nella zona di separazione tra una parte della piastrina metallica che si estende oltre il perimetro del corpo di resina di incapsulamento e attraverso la quale sono predisposti i mezzi di fissaggio di un dissipatore esterno e la rimanente parte della piastrina sulla quale è montata la tessera di semiconduttore. L'imbutitura eseguita in questa zona è utile a disaccoppiare meccanicamente le due parti della piastrina metallica di base per ridurre la trasmissione di sforzi flettenti.

Piastrina metallica di dissipazione del calore di un dispositivo a semiconduttore di potenza incapsulato in resina fornita di rilievi per la saldatura dei fili di massa