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16-05-2017 дата публикации

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Номер: KR0101735833B1
Автор: 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치 제조방법은, 기판 상에 제 1 금속막, 버퍼층 및 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 1 금속막, 버퍼층 및 반도체층이 형성된 기판 상에 포토리소그라피 공정에 따라 제 1 스토리지 전극 및 액티브층을 동시에 형성하는 단계; 상기 제 1 스토리지 전극 및 액티브층이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 제 2 금속막을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 진행하여 상기 액티브층과 대응되는 게이트 절연막 상에 게이트 전극과 상기 제 1 스토리지 전극과 대응되는 게이트 절연막 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 이온 주입 공정을 진행하여 상기 액티브층의 양측 가장자리 영역에 오믹콘택층을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성한 다음, 상기 오믹콘택층과 대응되는 영역에 제 1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 제 3 금속막을 형성한 다음 포토리소그라피 공정 및 식각 공정을 진행하여 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행하여 상기 드레인 전극 상부의 보호막 상에 제 2 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명성 도전물질을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정 및 식각 공정을 진행하여 화소 영역에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

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20-09-2017 дата публикации

유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법

Номер: KR0101776044B1
Автор: 최희동, 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은, 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 화소영역이 정의되고, 상기 화소영역 내에 박막트랜지스터가 형성되는 소자영역과, 스토리지 커패시터가 형성되는 스토리지 영역이 정의된 기판 상의 상기 소자영역에 폴리실리콘의 반도체층을 형성하고, 상기 스토리지 영역에 폴리실리콘의 반도체 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 및 반도체 패턴 위로 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로, 상기 반도체층의 중앙부에 대응하여 다중층 구조의 게이트 전극을 형성하고 상기 반도체 패턴에 대응하여 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 불순물 도핑을 실시하여, 상기 반도체층 중 상기 게이트 전극 외측으로 노출된 부분에 대응하여 오믹콘택층을 이루도록 하며 상기 반도체 패턴의 도전성을 향상시켜 제 2 스토리지 전극을 이루도록 하는 단계와; 상기 게이트 전극 및 제 1 스토리지 전극 위로 상기 오믹콘택층을 노출시키는 층간절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간절연막 위로 상기 오믹콘택층과 각각 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하고, 동시에 상기 제 1 스토리지 전극에 대응하여 제 3 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 제 3 스토리지 전극 위로 상기 드레인 전극을 노출시키는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극을 형성하고, 동시에 상기 제 3 스토리지 전극에 대응하여 제 4 스토리지 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 위로 각 화소영역에 경계에 제 1 높이를 갖는 뱅크를 형성하고, 동시에 상기 각 화소영역의 경계에 선택적으로 상기 제 1 높이보다 높은 제 2 높이를 갖는 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 제조 방법과 이를 통해 제조된 유기전계 발광소자용 어레이 기판을 제공한다.

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07-03-2023 дата публикации

산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치

Номер: KR20230032187A
Принадлежит:

... 본 발명은 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 디스플레이 장치는 소자 기판 상에 위치하는 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 구동 박막 트랜지스터는 산화물 반도체로 이루어진 구동 반도체 패턴을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판과 상기 구동 반도체 패턴 사이에는 차광 패턴이 위치할 수 있다. 상기 차광 패턴은 상기 구동 반도체 패턴에 가까이 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 특성 변화 없이, 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 게이트 전극에 인가되는 전압에 따른 전류 변동율이 감소될 수 있다. 따라서, 상기 디스플레이 장치에서는 저계조에서 얼룩의 발생이 방지될 수 있다.

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12-02-2016 дата публикации

ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE

Номер: KR1020160014815A
Принадлежит:

An organic light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first insulating layer which is arranged on the substrate, an organic light emitting layer arranged on the first insulating layer, a second insulating layer arranged on the organic light emitting layer, a switching element which is arranged on one side of the second insulating layer and receives a data voltage, and a driving circuit including a driving element which supplies a driving signal according to a charge voltage charged by an on/off signal of the switching device. A source terminal of the driving element is arranged in a region which is closer to the switching element than a drain terminal of the driving element. In an embodiment, the quantity of induced charge generated by an electric field between the drain terminal of the driving element and a scan line can be reduced, by allowing the source terminal of the driving source to be closely arranged in a region adjacent to the scan line. COPYRIGHT ...

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25-07-2017 дата публикации

박막트랜지스터 어레이기판 제조방법

Номер: KR0101760946B1
Автор: 조기술
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조방법은, 기판 상에 버퍼층, 제 1 금속막, 절연막 및 액티브층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 하프톤 마스크 또는 회절 마스크를 이용하여 액티브패턴 및 상기 액티브패턴 하측에 절연막패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브패턴이 형성된 기판 상에 제 2 금속막을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 진행하여 패드, 게이트 라인, 게이트 전극 및 스토리지 전극을 동시에 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 제 3 금속막을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 진행하여 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 및 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 4 금속막을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 진행하여 상기 드레인 전극과 면접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 에치스톱퍼 형성 시 패터닝된 감광막을 이용하여 이온 도핑 공정을 진행하여 도핑 특성을 향상시키면서 공정을 단순화한 효과가 있다.

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08-10-2015 дата публикации

ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020150113530A
Принадлежит:

An embodiment of the present invention provides an organic light emitting display (OLED) device. The OLED device includes multiple sub-pixels. Each of the sub-pixels has an element region having a driving thin-film transistor formed therein as well as multiple light emitting areas respectively having organic light emitting elements including an anode, organic light emitting layer, and a cathode. A connection pattern electrically connects the anodes of identical sub-pixels among the sub-pixels. A dummy pattern overlaps the anode of an adjacent sub-pixel among the sub-pixels. When a failure in the driving thin-film transistor of the OLED device occurs, the dummy pattern for providing a normal electrical connection for an anode of the organic light emitting element is arranged to overlap the anode, thereby enabling the normal operation of the organic light emitting element even with the driving thin-film transistor failure. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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07-01-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR OF DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020160002351A
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor of a display device which can reduce screen defects by reducing a leakage current due to a hump. The thin film transistor of the display device according to the embodiment of the present invention includes a gate insulating layer between an active layer and a first gate electrode. The active layer and the first gate electrode are overlapped with each other to form one or more channel regions. And, the edge part of the channel region includes a dummy region extended from the edge part. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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24-05-2018 дата публикации

이중 게이트 구조를 갖는 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Номер: KR0101848501B1
Автор: 전진채, 조기술
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 이중 게이트 구조를 갖는 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판은, 기판; 상기 기판 위에 형성된 보조 용량 전극 및 제2 게이트 전극; 상기 제2 게이트 전극 위에 형성된 반도체 층; 상기 반도체 층을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 반도체 층의 중앙부와 중첩하는 제1 게이트 전극; 상기 게이트 절연막 위에서 상기 제1 게이트 전극을 연결하며 상기 보조 용량 전극과 중첩하는 게이트 배선; 상기 제1 게이트 배선 및 상기 게이트 배선을 덮는 절연층; 상기 절연층 위에 형성된 소스-드레인 요소; 상기 절연층 위에서 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극을 연결하는 게이트 전극 연결 단자; 상기 기판 위에서 상기 보조 용량 전극 및 상기 소스-드레인 요소와 연결된 애노드 전극; 그리고 상기 소스-드레인 요소를 덮는 보호막을 포함한다. 본 발명은 이중 게이트 구조로 인해, 기판의 상부 및 하부에서 반도체 채널층으로 유입되는 빛을 차단하여 광 누설 전류를 방지하며, 출력 전류 특성 및 출력 전류 포화 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.

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26-06-2017 дата публикации

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Номер: KR0101750562B1
Автор: 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치 제조방법은, 기판 상에 제 1 금속막, 버퍼층 및 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 1 금속막, 버퍼층 및 반도체층이 형성된 기판 상에 포토리소그라피 공정과 식각 공정에 따라 제 1 스토리지 전극, 액티브층 및 화소 전극을 동시에 형성하는 단계; 상기 제 1 스토리지 전극, 액티브층 및 화소 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 제 2 금속막을 형성한 다음, 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 진행하여 상기 액티브층과 대응되는 게이트 절연막 상에 게이트 전극과 상기 제 1 스토리지 전극과 대응되는 게이트 절연막 상에 제 2 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 이온 주입 공정을 진행하여 상기 액티브층의 양측 가장자리 영역에 오믹콘택층을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 층간절연막을 형성한 다음, 상기 오믹콘택층과 대응되는 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 기판 상에 제 3 금속막을 형성한 다음 포토리소그라피 공정 및 식각 공정을 진행하여 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성한 다음, 콘택홀 공정을 진행하여 상기 화소 전극 상부의 보호막을 제거하여 노출하는 단계를 포함한다.

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18-04-2018 дата публикации

유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Номер: KR0101849579B1
Автор: 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 고해상도 및 대면적화 적용이 가능한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 일 예로, 적색, 녹색 및 청색의 서브 화소 패턴들을 가지며, 제 1 면에 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브 화소 패턴들 중 어느 하나와 대응되는 금속 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 금속 패턴을 덮도록 상기 베이스 기판의 제 1 면 위에 발광 물질을 증착하는 단계; 상기 발광 물질의 상부에 패턴 형성용 기판을 배치하는 단계; 및 상기 베이스 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에서 적외선 레이저를 조사하여 상기 금속 패턴과 대응되는 발광 물질을 상기 패턴 형성용 기판에 증착시킴으로써 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법이 개시된다.

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07-01-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR OF DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020160002352A
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor of a display device, which can decrease screen failure by reducing leakage of current due to a hump. The thin film transistor of a display device according to an embodiment of the present invention comprises an active layer and a gate electrode by having a gate insulating film disposed therebetween. The gate electrode is disposed so that the gate electrode is divided into multiple wires to be overlapped with the active layer. The active layer comprises one or multiple channel regions disposed between a source electrode and a drain electrode; a dummy region whose length is elongated at an edge part of the channel region; and multiple link regions which are formed between the multiple channel regions to connect the multiple channel regions as one pattern. The multiple link regions are disposed to be overlapped with a part corresponding to a space between the multiple wires. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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02-06-2016 дата публикации

METHOD OF FABRICATING SUBSTRATE FOR THIN FILM TRANSISTOR

Номер: KR0101626362B1
Автор: 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon)을 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용한 하부 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터에 있어서, 에치 스타퍼(etch stopper) 구조를 채택하는 동시에 하부 게이트 구조를 사용하여 백 채널을 노출되지 않게 함으로써 소자의 신뢰성을 확보하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 에치 스타퍼와 액티브층 및 패드부 콘택홀을 한번의 마스크공정으로 형성함으로써 마스크 수를 감소시켜 제조공정을 단순화하는 것을 특징으로 한다.

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03-06-2015 дата публикации

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND REPAIR METHOD THEREOF

Номер: KR1020150059949A
Принадлежит:

The present invention provides an organic electroluminescent device which includes a substrate on which a plurality of pixel regions with light emission regions and device regions are defined, a plurality of thin film transistors which include at least one switching thin film transistor on each device region of the substrate and one driving thin film transistor which is connected to the switching thin film transistor, a planarization layer which is formed on the thin film transistors, a first electrode which is formed on the planarization layer, includes a first part, a second part and a third part which are connected, an organic light emitting layer which is formed on the first electrode, and a second electrode which is formed on the organic light emitting layer, and a repairing method thereof. Wherein, the first and second parts are located on each pixel region. The third part is formed in the pixel region near each pixel region. One end of the third part overlaps the driving thin film ...

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07-07-2015 дата публикации

ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020150077270A
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting display device capable of improving image quality, comprising: a gate line formed in a direction in a display section on a substrate; a shading pattern which is formed to correspond to at least one part of the boundary of each pixel section on the substrate and is spaced apart from the gate line; at least one insulation film which is formed on a front surface of the substrate and covers the gate line and the shading pattern; a data line which is formed in another direction which crosses over the gate line in the display section on the insulation film to define the multiple pixel sections; a passivation film which is formed on the front surface on the at least one insulation film to cover the data line; a color filter formed on each pixel section on the passivation film; an overcoat film which is flatly formed on a front surface on the passivation film to cover the color filter; and an organic light emitting device ...

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01-06-2015 дата публикации

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер: KR1020150059478A
Принадлежит:

Provided is an organic electroluminescent device comprising a substrate in which a pixel area having a light emitting area and an element area is defined; switching and driving thin film transistors formed in the element area on the substrate; and a first electrode electrically connected with a drain electrode of the driving thin film transistor, and formed at the top of a flattening layer of the light emitting area. The driving thin film transistor comprises an oxide semiconductor layer, and forms a dual gate structure having a first and a second gate electrode at the bottom and the top of the oxide semiconductor layer. The second gate electrode is formed at the top of the flattening layer having the first electrode with the same material forming the first electrode. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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18-04-2018 дата публикации

유기 발광 표시장치의 제조방법

Номер: KR0101849580B1
Автор: 조기술, 서성모
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치의 제조방법은, 제1 기판 상에 자외선 파장의 레이저를 반사시키는 금속층을 형성하고, 상기 금속층에 화소 패턴에 대응하는 개구영역을 형성하는 단계와, 상기 금속층 상에 상기 레이저를 흡수하는 무기 물질층을 전면 형성하는 단계와, 상기 무기 물질층 상에 유기발광 물질층을 전면 형성하는 단계와, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 상기 유기발광 물질층 상에 정렬하는 단계와, 상기 제1 기판에서 상기 제2 기판 방향으로 상기 레이저를 조사하여, 상기 무기 물질층의 가열된 패턴대로 유기발광 물질을 상기 제2 기판에 증착하는 단계를 포함한다.

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