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02-08-2016 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101645061B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 1
23-08-2022 дата публикации

표시 장치

Номер: KR102435377B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 2
07-07-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR1020170078882A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит:

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 3
03-01-2018 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020180000737A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정적 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 큰 반도체 장치를 제공하려는 것이다. 또한, 낮은 코스트 높은 생산성으로 신뢰성이 큰 반도체 장치를 제조하려는 것이다. 산화물 반도체층을 이용한 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는, 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법에서, 수분 등과 같은 불순물을 저감시키기 위한 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)가 수행되어 산화물 반도체층의 순도를 향상시킨다.

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Номер записи: 4
25-01-2018 дата публикации

반도체 장치 제작 방법

Номер: KR0101810699B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 좋은 반도체 장치를 제작하는 것을 목적으로 한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층으로서 산화물 반도체막을 이용하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고, 수분 등의 불순물을 저감하는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한)를 행한다. 그 후, 산소 분위기하에서 서냉을 행한다. 가열 처리는, 산화물 반도체막에 존재하는 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체막과 산화물 반도체막의 상하에 접하여 설치되는 막들 사이의 계면에서의 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 5
02-06-2017 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR0101743164B1
Автор: 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 목적은 특성이 좋은 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제작 방법은 기판 위에 게이트 전극으로서 기능하는 제1 도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층과 일부가 중첩되도록 상기 제1 절연층 위에 반도체층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층에 전기적으로 접속되도록 제2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 및 상기 제2 도전층을 덮도록 제2 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2 도전층에 전기적으로 접속되도록 제3 도전층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층을 형성하는 공정 이후 그리고 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이전에 제1 열처리를 행하는 공정과; 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이후에 제2 열처리를 행하는 공정을 포함한다.

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Номер записи: 6
13-01-2021 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT

Номер: KR102202400B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 좋은 반도체 장치를 제작하는 것을 목적으로 한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층으로서 산화물 반도체막을 이용하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고, 수분 등의 불순물을 저감하는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한)를 행한다. 그 후, 산소 분위기하에서 서냉을 행한다. 가열 처리는, 산화물 반도체막에 존재하는 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체막과 산화물 반도체막의 상하에 접하여 설치되는 막들 사이의 계면에서의 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 7
14-06-2017 дата публикации

반도체 장치 제작 방법

Номер: KR0101747523B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 좋은 반도체 장치를 제작하는 것을 목적으로 한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층으로서 산화물 반도체막을 이용하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고, 수분 등의 불순물을 저감하는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한)를 행한다. 그 후, 산소 분위기하에서 서냉을 행한다. 가열 처리는, 산화물 반도체막에 존재하는 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체막과 산화물 반도체막의 상하에 접하여 설치되는 막들 사이의 계면에서의 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 8
08-10-2018 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR1020180110235A
Автор: 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리
Принадлежит:

... 본 발명의 목적은 특성이 좋은 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제작 방법은 기판 위에 게이트 전극으로서 기능하는 제1 도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층과 일부가 중첩되도록 상기 제1 절연층 위에 반도체층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층에 전기적으로 접속되도록 제2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 및 상기 제2 도전층을 덮도록 제2 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2 도전층에 전기적으로 접속되도록 제3 도전층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층을 형성하는 공정 이후 그리고 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이전에 제1 열처리를 행하는 공정과; 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이후에 제2 열처리를 행하는 공정을 포함한다.

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Номер записи: 9
18-01-2018 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR0101820176B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 호소바 미유끼, 노다 고세이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 좋은 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층인 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 높이기 위하여 수분 등의 불순물을 저감하고 산화물 반도체층을 산화시키는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)를 행한다. 산화물 반도체층의 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 위와 아래에 접해서 설치되어 있는 막들 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 10
23-09-2015 дата публикации

DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020150107646A
Автор: UETAKE NAOKI, OHARA HIROKI, SATO TOSHIHIRO
Принадлежит:

A display device includes a substrate, a light emitting layer including one or more types of organic light emitting films, a transparent electrode contacting the upper surface of the light emitting layer; and a glass plate installed on the upper end of a portion to be formed. The transparent electrode has an appearance subject to the appearance of the glass plate when viewed in a plane. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 11
02-08-2016 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101645146B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 12
15-03-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR0101716918B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 13
31-10-2018 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR1020180118818A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит:

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 14
21-02-2023 дата публикации

표시 장치

Номер: KR102501183B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 15
27-10-2017 дата публикации

반도체 장치

Номер: KR0101791370B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사까따 준이찌로, 사사끼 도시나리, 호소바 미유끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조 및 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 후에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 그 다음, 소스 전극층내, 드레인 전극층내, 게이트 절연층내, 및 산화물 반도체막내 외에도, 산화물 반도체층의 상하에 접하여 제공되는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다.

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Номер записи: 16
03-08-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: KR0101541630B1
Автор: 야마자끼 슌뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 17
15-09-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170104360A
Автор: OHARA HIROKI
Принадлежит:

The present invention provides a semiconductor device representing excellent electric properties and a method for manufacturing the semiconductor device or provides a display device having the semiconductor device and a method for manufacturing the display device. The semiconductor device comprises: a first transistor having an oxide semiconductor film; an interlayer film on the first transistor; and a second transistor positioned on the interlayer film, and having a semiconductor film including silicon. The interlayer film includes an inorganic insulator. The semiconductor film including silicon includes polycrystalline silicon. The interlayer film includes the inorganic insulator. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 18
08-08-2016 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020160093736A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит:

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 19
28-11-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180127293A
Автор: OHARA HIROKI
Принадлежит:

Provided are a semiconductor device representing excellent electrical characteristics, and a method for manufacturing the semiconductor device. In addition, provided are a display device having the semiconductor device and a method for manufacturing the display device. The semiconductor device comprises: a first transistor having an oxide semiconductor film; an interlayer film over the first transistor; and a second transistor located over the interlayer film, and having a semiconductor film including silicon. The interlayer film can include an inorganic insulator. The semiconductor film including silicon can contain polycrystalline silicon. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 20
19-02-2016 дата публикации

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160019368A
Автор: OHARA HIROKI
Принадлежит:

The present invention provides a display device which prevents damage to a pixel circuit due to a process related to a sealing layer, and a manufacturing method thereof. The present invention relates to the display device where the pixel circuit and the sealing layer of multilayer structure are successively formed on a substrate. The sealing layer includes a first layer. The first layer touches the pixel circuit and is made of a silicon-containing inorganic material. The first layer is a mixed layer. At least some components of the mixed layer are continuously changed in a lamination direction. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Concentration (BB) Location (nm) ...

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Номер записи: 21
06-11-2018 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020180120804A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 22
01-09-2022 дата публикации

표시 장치

Номер: KR20220121904A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 23
03-08-2016 дата публикации

반도체 장치, 표시 장치, 및 전자 장비

Номер: KR1020160092054A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 24
04-01-2019 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR0101935752B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 호소바 미유끼, 노다 고세이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 좋은 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층인 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 높이기 위하여 수분 등의 불순물을 저감하고 산화물 반도체층을 산화시키는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)를 행한다. 산화물 반도체층의 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 위와 아래에 접해서 설치되어 있는 막들 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 25
25-07-2016 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101642620B1
Автор: 야마자끼 슌뻬이, 오하라 히로끼, 사까따 준이찌로, 사사끼 도시나리, 호소바 미유끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조 및 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 후에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 그 다음, 소스 전극층내, 드레인 전극층내, 게이트 절연층내, 및 산화물 반도체막내 외에도, 산화물 반도체층의 상하에 접하여 제공되는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다.

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04-05-2017 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101732859B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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20-03-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер: KR1020180029221A
Автор: SASAKI TOSHINARI, SAKATA JUNICHIRO, OHARA HIROKI, YAMAZAKI SHUNPEI
Принадлежит:

The present invention is to provide a semiconductor device having high reliability including a thin film transistor having a stable electrical feature. A manufacturing method of a semiconductor device includes a thin film transistor which uses an oxide semiconductor film as a semiconductor layer including a channel forming area. The manufacturing method performs a heating process for dehydration or dehydrogenation to increase purity of the oxide semiconductor film and reduce impurities such as moisture or the like and then performs slow cooling. The heating process reduces impurities such as moisture or the like existing in a gate insulation layer as well as impurities such as moisture or the like existing in the oxide semiconductor film and reduces impurities such as moisture or the like in the oxide semiconductor film and an interface of films installed to contact upper and lower portions of the oxide semiconductor film. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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19-01-2023 дата публикации

표시 장치

Номер: KR102490468B1
Автор: 야마자끼 슌뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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31-10-2018 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR0101913995B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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29-08-2017 дата публикации

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170098151A
Автор: KAMIYA AKINORI, OHARA HIROKI
Принадлежит:

A display device comprises a light emitting element layer which emits light to control luminance at each of a plurality of unit pixels constituting an image, a sealing layer formed on the light emitting element layer, an ultraviolet absorbing layer formed on the sealing layer, and a planarization layer formed on the ultraviolet absorbing layer and containing an organic resin having ultraviolet curing property. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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08-01-2019 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR1020190002745A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 호소바 미유끼, 노다 고세이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로
Принадлежит:

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 좋은 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층인 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 높이기 위하여 수분 등의 불순물을 저감하고 산화물 반도체층을 산화시키는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)를 행한다. 산화물 반도체층의 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 위와 아래에 접해서 설치되어 있는 막들 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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17-01-2018 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR1020180006514A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 호소바 미유끼, 노다 고세이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로
Принадлежит:

... 안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 좋은 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공한다. 채널 형성 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층인 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 높이기 위하여 수분 등의 불순물을 저감하고 산화물 반도체층을 산화시키는 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)를 행한다. 산화물 반도체층의 수분 등의 불순물뿐만 아니라, 게이트 절연층 내에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감하고, 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 위와 아래에 접해서 설치되어 있는 막들 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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20-12-2016 дата публикации

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Номер: KR0101688311B1
Автор: 우에따께 나오끼, 오하라 히로끼, 사또 도시히로
Принадлежит: 가부시키가이샤 재팬 디스프레이

... 표시 장치는, 기판과, 1종류 이상의 유기 발광막을 포함하는 발광층과, 상기 발광층의 상면에 접하는 투명 전극과, 당해 피형성부의 상단부에 설치되는 유리판을 포함하고, 상기 투명 전극은, 평면적으로 보아 상기 유리판의 외형에 따른 외형을 갖는다.

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08-10-2018 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020180110174A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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29-01-2019 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR1020190009841A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼
Принадлежит:

... 높은 양산성을 갖는 신규한 반도체 재료가 제공되는 고전력 응용을 위한 반도체 장치가 제공된다. 산화물 반도체막이 형성된 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 저감하기 위하여 노출된 산화물 반도체막에 제1 열 처리가 실시된다. 그 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 더욱 저감하기 위하여, 이온 주입법, 이온 도핑법 등에 의해 산화물 반도체막에 산소가 첨가되고, 그 후, 노출된 산화물 반도체막에 제2 열 처리가 실시된다.

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Номер записи: 36
13-11-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101797253B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 높은 양산성을 갖는 신규한 반도체 재료가 제공되는 고전력 응용을 위한 반도체 장치가 제공된다. 산화물 반도체막이 형성된 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 저감하기 위하여 노출된 산화물 반도체막에 제1 열 처리가 실시된다. 그 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 더욱 저감하기 위하여, 이온 주입법, 이온 도핑법 등에 의해 산화물 반도체막에 산소가 첨가되고, 그 후, 노출된 산화물 반도체막에 제2 열 처리가 실시된다.

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Номер записи: 37
17-03-2016 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR0101604577B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 38
12-10-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170113058A
Автор: OHARA HIROKI
Принадлежит:

Provided are a semiconductor device representing excellent electric properties, and a method for manufacturing the semiconductor device. In addition, provided are a display device having the semiconductor device, and a method for manufacturing the display device. The semiconductor device comprises: a first transistor positioned on a substrate, and having a gate electrode, an oxide semiconductor film, and a gate insulating film between the gate electrode and the oxide semiconductor film; an insulating film positioned on the first transistor, and having a first film and a second film on the first film; and a terminal electrically connected to the oxide semiconductor film through an opening portion in the insulating film. The insulating film has a first region being in contact with the terminal, and the first region has an oxygen composition larger than that of the other region in the insulating film. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 39
17-11-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR0101799252B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 40
02-06-2017 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR1020170061190A
Автор: 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리
Принадлежит:

... 본 발명의 목적은 특성이 좋은 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제작 방법은 기판 위에 게이트 전극으로서 기능하는 제1 도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층과 일부가 중첩되도록 상기 제1 절연층 위에 반도체층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층에 전기적으로 접속되도록 제2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 및 상기 제2 도전층을 덮도록 제2 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2 도전층에 전기적으로 접속되도록 제3 도전층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층을 형성하는 공정 이후 그리고 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이전에 제1 열처리를 행하는 공정과; 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이후에 제2 열처리를 행하는 공정을 포함한다.

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Номер записи: 41
08-12-2017 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020170135992A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 42
16-02-2021 дата публикации

DISPLAY DEVICE

Номер: KR102215941B1
Автор: 야마자끼 슌뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 43
10-03-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR1020170027881A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит:

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 44
24-12-2020 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR102195170B1
Автор: 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 목적은 특성이 좋은 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제작 방법은 기판 위에 게이트 전극으로서 기능하는 제1 도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층과 일부가 중첩되도록 상기 제1 절연층 위에 반도체층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층에 전기적으로 접속되도록 제2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 및 상기 제2 도전층을 덮도록 제2 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2 도전층에 전기적으로 접속되도록 제3 도전층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층을 형성하는 공정 이후 그리고 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이전에 제1 열처리를 행하는 공정과; 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이후에 제2 열처리를 행하는 공정을 포함한다.

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Номер записи: 45
28-01-2019 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101943109B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 높은 양산성을 갖는 신규한 반도체 재료가 제공되는 고전력 응용을 위한 반도체 장치가 제공된다. 산화물 반도체막이 형성된 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 저감하기 위하여 노출된 산화물 반도체막에 제1 열 처리가 실시된다. 그 다음, 산화물 반도체막 내의 수분이나 수소 등의 불순물을 더욱 저감하기 위하여, 이온 주입법, 이온 도핑법 등에 의해 산화물 반도체막에 산소가 첨가되고, 그 후, 노출된 산화물 반도체막에 제2 열 처리가 실시된다.

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Номер записи: 46
08-05-2017 дата публикации

표시 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101733293B1
Автор: 오하라 히로끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 재팬 디스프레이

... 본 발명은, 밀봉막에 관계되는 공정에 기인하는 화소 회로에의 악영향이 억제되는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 기판 상에, 화소 회로와, 다층 구조를 갖는 밀봉막이 순서대로 형성되는, 표시 장치로서, 상기 밀봉막은, 제1층 - 상기 제1층은, 상기 화소 회로에 접하여 형성되고, 실리콘 함유 무기 재료로 이루어짐 - 을 포함하고, 상기 제1층은, 적어도 일부의 성분이 적층 방향을 따라 연속적으로 변화하는, 혼합 성막이다.

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Номер записи: 47
08-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020150079529A
Автор: SASAKI TOSHINARI, SAKATA JUNICHIRO, OHARA HIROKI, YAMAZAKI SHUNPEI
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to manufacture a semiconductor device having excellent reliability, comprising a thin film transistor having stable electrical properties. A method for manufacturing the semiconductor device including the thin film transistor using an oxide semiconductor film increases purity of the oxide semiconductor film, performs heat treatment (for dehydration or dehydrogenation) to reduce impurities such as moisture or the like, and then performs annealing in the presence of oxygen. The heat treatment reduces impurities such as moisture or the like existed in the oxide semiconductor film, an gate insulation film, and the interface between the oxide semiconductor film and films which are installed to be adjacent to the oxide semiconductor film. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 48
08-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020150079528A
Автор: SASAKI TOSHINARI, SAKATA JUNICHIRO, OHARA HIROKI, YAMAZAKI SHUNPEI
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to manufacture a semiconductor device having excellent reliability, comprising a thin film transistor having stable electrical properties. A method for manufacturing the semiconductor device including the thin film transistor using an oxide semiconductor film increases purity of the oxide semiconductor film, performs heat treatment (for dehydration or dehydrogenation) to reduce impurities such as moisture or the like, and then performs annealing in the presence of oxygen. The heat treatment reduces impurities such as moisture or the like existed in the oxide semiconductor film, an gate insulation film, and the interface between the oxide semiconductor film and films which are installed to be adjacent to the oxide semiconductor film. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 49
05-12-2017 дата публикации

반도체 장치, 표시 장치, 및 전자 장비

Номер: KR0101805335B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 50
04-08-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR0101762101B1
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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Номер записи: 51
17-08-2015 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020150093173A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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29-07-2016 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101644249B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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01-11-2017 дата публикации

반도체 장치 및 그 제작 방법

Номер: KR1020170121326A
Автор: 야마자끼 ?뻬이, 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리, 노다 고세이, 구와바라 히데아끼
Принадлежит:

... 본 발명의 일 목적은 배선간의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있는 구조의 반도체 장치를 제공하는 것이다. 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층의 일부 위에 채널 보호층으로서 기능하는 산화물 절연층이 형성된다. 상기 산화물 절연층의 형성과 동일한 공정에서, 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층을 형성한다. 상기 산화물 반도체층의 주연부를 덮는 산화물 절연층은, 게이트 전극층과 이 게이트 전극층의 상방 또는 주변에 형성된 배선층 사이의 거리를 증가시키도록 제공되고, 이에 의해 기생 용량이 저감된다.

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10-05-2017 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020170049621A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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30-06-2015 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020150073226A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит:

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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08-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020150079530A
Автор: SASAKI TOSHINARI, SAKATA JUNICHIRO, OHARA HIROKI, YAMAZAKI SHUNPEI
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to manufacture a semiconductor device having excellent reliability, comprising a thin film transistor having stable electrical properties. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the thin film transistor by using an oxide semiconductor film as a semiconductor layer including a channel forming area performs heat treatment (for dehydration or dehydrogenation) of increasing purity of the oxide semiconductor film and reducing impurities such as moisture or the like, and then performs annealing in the presence of oxygen. The heat treatment reduces impurities such as moisture or the like existed in the oxide semiconductor film, a gate insulation film, and the interface between the oxide semiconductor film and films which are installed to be adjacent to the oxide semiconductor film. COPYRIGHT KIPO 2015 (AA) (D) of Fig. 1 ...

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02-10-2018 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101903930B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.

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Номер записи: 58
10-10-2018 дата публикации

반도체 장치의 제작 방법

Номер: KR0101906751B1
Автор: 오하라 히로끼, 사사끼 도시나리
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 본 발명의 목적은 특성이 좋은 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제작 방법은 기판 위에 게이트 전극으로서 기능하는 제1 도전층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1 도전층과 일부가 중첩되도록 상기 제1 절연층 위에 반도체층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층에 전기적으로 접속되도록 제2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층 및 상기 제2 도전층을 덮도록 제2 절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2 도전층에 전기적으로 접속되도록 제3 도전층을 형성하는 공정과; 상기 반도체층을 형성하는 공정 이후 그리고 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이전에 제1 열처리를 행하는 공정과; 상기 제2 절연층을 형성하는 공정 이후에 제2 열처리를 행하는 공정을 포함한다.

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Номер записи: 59
22-07-2016 дата публикации

반도체 장치

Номер: KR1020160087916A
Автор: 야마자끼 슌뻬이, 오하라 히로끼, 사까따 준이찌로, 사사끼 도시나리, 호소바 미유끼
Принадлежит:

... 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조 및 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 후에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 그 다음, 소스 전극층내, 드레인 전극층내, 게이트 절연층내, 및 산화물 반도체막내 외에도, 산화물 반도체층의 상하에 접하여 제공되는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다.

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Номер записи: 60
20-12-2017 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR1020170140444A
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 ?뻬이
Принадлежит:

... 안정적 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 큰 반도체 장치를 제공하려는 것이다. 또한, 낮은 코스트 높은 생산성으로 신뢰성이 큰 반도체 장치를 제조하려는 것이다. 산화물 반도체층을 이용한 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는, 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법에서, 수분 등과 같은 불순물을 저감시키기 위한 가열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 가열 처리)가 수행되어 산화물 반도체층의 순도를 향상시킨다.

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24-10-2022 дата публикации

반도체 장치 제조 방법

Номер: KR102458127B1
Автор: 사사끼 도시나리, 사까따 준이찌로, 오하라 히로끼, 야마자끼 슌뻬이
Принадлежит: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

... 안정적인 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 위해 산화물 반도체막이 사용되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 개선하고 수분 등의 불순물을 저감하도록 열처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 열처리는, 산화물 반도체막내에 존재하는 수분 등의 불순물 외에도, 게이트 절연층내에 존재하는 수분 등의 불순물과, 산화물 반도체막 상하에 접하여 제공되는 막과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다.

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Номер записи: 62