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11-08-2015 дата публикации

Light emitting device and method of fabricating light emitting device

Номер: KR0101543328B1
Автор: 김경국, 채수희, 박영수, 김택, 양문승, 정형수, 박재철, 김준연
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 웨이퍼 본딩법으로 제조된 발광 소자 및 웨이퍼 본딩법을 이용한 발광 소자의 제조 방법이 개시된다. 개시된 웨이퍼 본딩법은 반도체층에 본딩 기판을 본딩할 때, 반도체층과 본딩 기판 사이에 금속으로 이루어진 응력 이완층을 삽입한다. 응력 이완층을 사용할 경우, 금속의 연성으로 인하여 본딩 기판과 성장 기판 사이의 응력이 상쇄되기 때문에 기판의 휨이나 뒤틀림을 완화 또는 방지할 수 있다.

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Номер записи: 1
01-02-2024 дата публикации

Integrated circuit device

Номер: KR20240014383A
Автор: 허윤, 김석훈, 김정택, 박판귀, 양문승, 유수민, 정서진, 조남규, 하룡
Принадлежит:

An integrated circuit device includes a plurality of fin-type active areas extending in a first horizontal direction on a substrate, a plurality of channel regions respectively on the plurality of fin-type active areas, a plurality of gate lines surrounding the plurality of channel regions on the plurality of fin-type active areas and extending in a second horizontal direction that crosses the first horizontal direction, and a plurality of source/drain regions respectively at positions adjacent to the plurality of gate lines on the plurality of fin-type active areas and respectively in contact with the plurality of channel regions, and the plurality of source/drain regions respectively include a plurality of semiconductor layers and at least one air gap located therein.

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Номер записи: 2
01-02-2021 дата публикации

Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер: KR102210325B1
Автор: 양문승, 우딘 모하메드 라킵, 이명재, 이상문, 이성훈, 조성호
Принадлежит: 삼성전자주식회사

CMOS 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 CMOS 소자는, 실리콘 기판 상에 버퍼층이 구비되고, 상기 버퍼층 상에 n형 트랜지스터용 제1층이 구비되고, 상기 제1층과 이격되게 p형 트랜지스터용 제2층이 구비되며, 상기 p형 트랜지스터용 제2층은 상기 버퍼층 상 또는 상기 실리콘 기판 상에 배치될 수 있다.

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Номер записи: 3
04-04-2017 дата публикации

FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020170036966A
Автор: TANG POREN, KIM, SUN JUNG, YANG, MOON SEUNG, LEE, SEUNG HUN, LEE, HYUN JUNG, JEONG, GEUN HEE
Принадлежит:

Provided is a fabricating method of a semiconductor device. The fabricating method comprises: forming first and second material films for a first transistor in an epitaxial growth process; and forming third and fourth material films for a second transistor in the epitaxial growth process after forming a recess by etching at least part of the first and second material films. Impurities are supplied together during the epitaxial growth process so as to omit a predetermined ion implantation process and to prevent a damage caused by the ion implantation. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 4
03-01-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180000518A
Автор: YANG, MOON SEUNG, SUH, DONG CHAN, KIM, CHUL, SONG, WOO BIN, YOON, JI EON, LEE, SEUNG RYUL
Принадлежит:

The present invention provides a semiconductor device which includes a mandrel including a semiconductor material and an epitaxial channel pattern located at both sides of the mandrel. The semiconductor device comprises: a first multi-channel active pattern protruding from a substrate and having a first height; a second multi-channel active pattern which is formed above the substrate, separately from the substrate, and has a second height less than the first height; and a gate electrode which is formed on the substrate to cross the first multi-channel active pattern and the second multi-channel active pattern. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 5
07-08-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME

Номер: KR1020170090092A
Автор: SUH, DONG CHAN, TAK, YONG SUK, PARK, GI GWAN, PARK, MI SEON, YANG, MOON SEUNG, LEE, SEUNG HUN, TANG POREN
Принадлежит:

A semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device are provided. The semiconductor device includes a first wire pattern spaced apart from a substrate, on the substrate, a gate electrode surrounding the first wire pattern and crossing the first wire pattern, a semiconductor pattern disposed on both sides of the first wire pattern, a gate insulating film surrounding surrounds the first wire pattern between the gate electrode and the first wire pattern, a first spacer disposed between the first wire pattern and the substrate and between the gate insulating film and the semiconductor pattern. A part of the semiconductor pattern vertically overlaps first wire pattern. It is possible to process subsequent processes smoothly. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 6
08-05-2015 дата публикации

SUBSTRATE STRUCTURE, COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020150050096A
Автор: YANG, MOON SEUNG, UDDIN MOHAMMAD RAKIB, LEE, MYOUNG JAE, LEE, SANG MOON, LEE, SUNG HUN, CHO, SEONG HO
Принадлежит:

Disclosed are a substrate structure, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device including the same, and a method for manufacturing the CMOS device. The disclosed substrate structure includes a substrate, and at least one seed layer including boron or phosphorus on the substrate; and reduces the thickness of a buffer layer layered on the seed layer. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 7
02-08-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020160091173A
Автор: YANG, MOON SEUNG, CHOI, EUN HYE, KIM, SUN JUNG, LEE, SEUNG HUN, LEE, HYUN JUNG
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to provide a semiconductor substrate to reduce the density of threading dislocation by using a strain releasing layer which is reversely inclined. The semiconductor substrate comprises: a base substrate on one side; a first silicon germanium layer on the base substrate; and a second silicon germanium layer on the first silicon germanium layer. The germanium fraction of the second silicon germanium layer is reduced as becoming farther away from the base substrate. The germanium fraction of the lowermost unit of the second silicon germanium layer is higher than the germanium fraction of the uppermost unit of the first silicon germanium layer. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 8
11-06-2015 дата публикации

Method of fabricating light emitting device

Номер: KR0101527869B1
Автор: 김경국, 채수희, 박영수, 김택, 양문승, 정형수, 박재철, 김준연
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 대면적 본딩 웨이퍼를 이용한 웨이퍼 본딩 방식의 발광 소자 제조 방법이 개시된다. 개시된 발광 소자 제조 방법은 반도체 박막이 성장되어 있는 여러 장의 웨이퍼를 한 장의 대면적 본딩 웨이퍼 위에 접합한 후, 이러한 본딩 웨이퍼를 장비에 투입하여 발광 소자의 제조 공정을 진행한다. 이때, 사파이어와 같은 웨이퍼 재료와 본딩 웨이퍼 사이의 열팽창 계수의 차이로 인한 휨이나 뒤틀림 문제가 거의 발생하지 않도록 적당한 재질의 본딩 웨이퍼를 사용한다. 이 방식에 따르면 여러 장의 웨이퍼가 한 번의 공정으로 처리되기 때문에, 발광 소자의 대량 생산이 가능하다. 따라서 발광 소자의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.

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Номер записи: 9
13-12-2016 дата публикации

나노 임프린트 리소그래피 패턴 형성 방법

Номер: KR0101682582B1
Автор: 양문승, 박영수, 김택, 이상문, 김주성
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 나노 임프린트 리소그래피 패턴 형성 방법이 개시된다. 개시된 나노 임프린트 리소그래피 패턴 형성 방법은 복수 개의 마스크층을 구비하고, 에칭을 복수 번 행함으로써 임프린트에 사용되는 레진을 완전히 제거하거나 잔류량을 감소시킬 수 있다.

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Номер записи: 10
05-04-2023 дата публикации

반도체 소자 및 그의 제조 방법

Номер: KR20230045715A
Автор: 하룡, 김석훈, 고도현, 김정택, 양문승, 이상길, 정서진
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴, 상기 채널 패턴은 서로 이격되어 수직적으로 적층된 복수개의 반도체 패턴들을 포함하고; 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 소스/드레인 패턴; 및 상기 복수개의 반도체 패턴들 상의 게이트 전극을 포함한다. 상기 게이트 전극은 상기 복수개의 반도체 패턴들 사이에 각각 제공된 복수개의 부분들을 포함하고, 상기 소스/드레인 패턴은 상기 복수개의 반도체 패턴들과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며, 상기 버퍼층은 실리콘-저마늄(SiGe)을 함유하며, 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제1 리플로우 층을 포함하고, 상기 제1 리플로우 층의 저마늄(Ge) 농도는 상기 제1 반도체 층의 저마늄(Ge) 농도보다 작다.

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Номер записи: 11