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11-11-2016 дата публикации

포토레지스트 패턴의 형성 방법

Номер: KR0101675066B1
Автор: 마야 수브라만야, 야스에 타카히로, 오석환, 강율
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명은 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 기판 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상시켜 예비 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 예비 패턴의 표면을 코팅 폴리머를 포함하는 처리제로 표면 처리하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 이용하면 LWR이 현저하게 개선되는 효과가 있다.

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Номер записи: 1
20-01-2016 дата публикации

METHOD OF ARRANGING ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер: KR0101583517B1
Автор: 조병옥, 이문숙, 정석우, 야스에 타카히로, 전상훈, 조은희
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 1차원 나노 구조물 배열 방법에서, 일정한 패턴을 갖는 몰드를 복수 개의 1차원 나노 구조물들이 형성된 제1 기판 상으로 제1 기판에 평행한 방향을 따라 이동시켜, 1차원 나노 구조물들을 몰드 상에 접착시킨다. 몰드를 제2 기판 상에 접촉시킴으로써, 몰드 상에 접착된 1차원 나노 구조물들을 제2 기판 상으로 전사시킨다. 이에 따라, 간단하고 효율적으로 1차원 나노 구조물들을 제2 기판 상에 원하는 방향으로 배열하거나 혹은 미리 디자인된 패턴대로 배열할 수 있다.

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Номер записи: 2