포토레지스트 제거제 조성물

... 본 발명은 캄포 술폰산, 및 R이 H 또는 C-1 내지 C-18 n-알킬인 하기 구조(I)의 벤젠술폰산으로 구성되는 군으로부터 선택된 술폰산 성분; 하기 구조(II)를 갖는 옥살산 성분; 및 유기 용매 성분, 또는 유기 용매 성분과 물의 혼합물로 필수적으로 구성되는 용매 성분으로서, 여기서 상기 유기 용매 성분은 상기 용매 성분의 약 100 중량% 내지 약 85 중량%로 구성되며, 또한 상기 유기 용매 성분은 하기 용매 (III), (IV), (V), (VI)(식 중 R은 -(-O-CH2-CH2-)n'-OH, -OH, 및 -O-C(=O)-CH3로 구성되는 군으로부터 선택되며, n'는 1, 2, 3, 또는 4이다), (VII)(식 중 Ra는 H 또는 C-1 내지 C-4 알킬 모이어티이다), (VIII), (IX)(식 중 Rb는 C-1 내지 C-18 알킬 모이어티이다), (X), 및 (XI)로부터 선택되거나 또는 그 군으로부터 선택된 적어도 2종의 유기 용매의 혼합물인 용매 성분으로 필수적으로 구성되는 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은계면활성제 성분도 함유하는 상기 조성물에 관한 것이며, 그리고 또한 이들 조성물 중 어느 하나를 레지스트 제거제로서 사용하는 방법에 관한 것이다. . , 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(III), , , , 및 .