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26-10-2015 дата публикации

STT-MRAM DEVICE HAVING MULTI-LEVEL RESISTANCE

Номер: KR1020150119509A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

A spin transfer torque-magnetic random access memory (STT-MRAM) device having multi-level resistance comprises: a lower electrode and an upper electrode for applying voltage; at least one magnification change layer having a magnification state changed by a spin transfer torque (STT) phenomenon when the voltage is applied by the lower electrode and the upper electrode; and at least one voltage applying layer for applying control voltage separated from the voltage applied by the lower electrode and the upper electrode to the magnification change layer. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 1
21-12-2020 дата публикации

3 THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY WITH HORIZONTAL CHARGE STORAGE LAYER AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер: KR102193690B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 수평 전하 저장층을 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되며, 도전성 물질층 및 P+ 다결정 실리콘층(P+ Poly Silicon layer)으로 구성되는 이중 구조를 갖는 복수의 전극층들; 및 상기 복수의 전극층들 사이에 교번하여 개재되며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 전극층들에 인가되는 전압으로 인한 전계의 프린징 효과로 발생되는 FN 터널링을 이용하여, 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들을 포함한다.

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Номер записи: 2
05-09-2017 дата публикации

MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법 및 시스템

Номер: KR0101774671B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법은 MRAM(Magnetic Random Access Memory)에 포함되는 금속 산화물층을 미리 설정된 온도에 노출시키는 단계; 상기 금속 산화물층 중 타겟 필드에 대해 미리 설정된 시간 동안 전기장(electric field)을 인가하는 단계; 상기 전기장이 인가된 상기 타겟 필드의 저항 변화를 감지하는 단계; 및 상기 감지된 저항 변화에 기초하여 상기 타겟 필드에 불량 셀이 포함되는지 여부를 판단하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 3
18-05-2016 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY USING ELECTRODE LAYER AND/OR INTERLAYER INSULATING LAYER HAVING DIFFERENT CHARACTERISTICS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160055744A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

The present invention relates to a three-dimensional flash memory using an electrode layer and/or an interlayer insulating layer having different characteristics and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, threshold voltage distribution of a plurality of electrode layers can be improved by having a physical structure or a material of each of the plurality of electrode layers different from each other, thereby improving reliability in a process of maintaining stored data and a decoding process. The three-dimensional flash memory includes: a channel layer; the plurality of electrode layers connected to the channel layer and vertically stacked; and a plurality of interlayer insulating layers connected to the channel layer and alternately disposed with the plurality of the plurality of electrode layers. COPYRIGHT KIPO 2016 (610) Plurality of electrode layers (620) Electrode layer 1 (621) Electrode layer 2 (622) Electrode layer 3 (623) Electrode ...

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Номер записи: 4
22-11-2022 дата публикации

연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220154868A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함함-을 각각 포함하는 스택 구조체들-상기 스택 구조체들은 상기 수직 방향으로 적층됨-; 및 상기 스택 구조체들의 사이에 배치된 채, 상기 스택 구조체들 각각의 수직 채널 패턴들을 서로 연결시키는 연결부들을 포함하는 버퍼층을 포함하고. 상기 연결부들 각각은, 상기 수직 채널 패턴들 각각보다 상기 수평 방향으로 돌출된 채 모서리가 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 5
09-03-2023 дата публикации

강유전체 기반 고속 동작을 위한 3차원 플래시 메모리

Номер: KR20230033999A
Автор: 송윤흡, 심재민
Принадлежит:

... 강유전체 기반 고속 동작을 위한 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴을 둘러싸며 강유전체 물질로 형성되는 데이터 저장 패턴을 포함하여, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 수직 채널 패턴은, 상기 기판이 N 타입으로 형성됨에 따라 P 타입인 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 6
13-02-2024 дата публикации

게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102635478B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체들; 및 상기 적층 구조체들 각각을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 층간 절연막들 각각은, 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 7
19-07-2022 дата публикации

헤테로 접합이 적용된 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220101282A
Автор: 송윤흡, 정재경
Принадлежит:

... 채널층에서의 전하 이동도(Electron mobility)를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층은, 외곽의 제1 채널층 및 상기 제1 채널층의 내벽에 형성되는 제2 채널층을 포함하는 이중 구조를 가진 채, 상기 제1 채널층 및 상기 제2 채널층 사이의 접합으로 헤테로 접합(Heterojunction)을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 8
20-12-2012 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY USING FRINGING EFFECT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: WO2012173380A3
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

A flash memory having a three-dimensional structure and using a fringing effect, and a method for manufacturing same are disclosed. A through-hole, which penetrates through a plurality of gate electrodes that are perpendicularly stacked, is formed on a substrate, and the inside of the through-hole is filled with a tunneling insulation membrane or an activated region. As a result, a charge storage layer is not formed inside the through-hole but is formed outside the through-hole. The charge storage layer is formed inside an inter-cell insulation membrane that fills a separated space between the gate electrodes. When a fringing field is applied, charge in the activated region is trapped in the charge storage field by means of the inter-cell insulation membrane.

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Номер записи: 9
05-12-2018 дата публикации

METHOD FOR READING PHASE CHANGE MEMORY USING PRE-SENSING TO IMPROVE DISPERSION AND APPARATUS THEREFOR

Номер: KR1020180129297A
Автор: SONG, YUN HEUB, CHOI, SUN JOON
Принадлежит:

Disclosed are a method for reading a phase change memory using pre-sensing to improve dispersion and an apparatus therefor. According to one embodiment of the present invention, the method for reading a phase change memory comprises the following steps: applying a pre-sensing voltage for sensing whether a resistive switching element is turned on in advance; sensing a turn-on current of the resistive switching element by the application of the pre-sensing voltage; and applying a read voltage to perform a read operation of the phase change memory when the turn-on current of the resistive switching element is sensed. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 10
07-03-2025 дата публикации

백 게이트 전극을 가진 3차원 반도체 메모리 소자의 동작 방법

Номер: KR20250031398A
Автор: 강인구, 민경훈, 홍성인, 송윤흡, 심재민, 송지호
Принадлежит:

... 3차원 반도체 메모리 소자의 프로그래밍 동작 방법은 상기 워드 라인들 중 선택된 워드 라인에 제1 워드 라인 프로그래밍 전압을 인가하고, 상기 워드 라인들 중 비-선택된 워드 라인들을 플로팅시키고, 및 상기 백 게이트 전극에 백 게이트 패스 전압을 인가하는 제1 프로그래밍 단계; 상기 선택된 워드 라인에 제1 워드 라인 검증 전압을 인가하고, 상기 비-선택된 워드 라인들에 워드 라인 패스 전압을 인가하고, 및 상기 백 게이트 전극에 제1 백 게이트 검증 전압을 인가하는 제1 검증 단계; 상기 선택된 워드 라인에 제2 워드 라인 프로그래밍 전압을 인가하고, 상기 비-선택된 워드 라인들을 플로팅시키고, 및 상기 백 게이트 전극에 상기 백 게이트 패스 전압을 인가하는 제2 프로그래밍 단계; 및 상기 선택된 워드 라인에 제2 워드 라인 검증 전압을 인가하고, 상기 비-선택된 워드 라인들에 상기 워드 라인 패스 전압을 인가하고, 및 상기 백 게이트 전극에 제2 백 게이트 검증 전압을 인가하는 제2 검증 단계를 순차적으로 수행하는 것을 포함한다.

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Номер записи: 11
22-01-2024 дата публикации

3차원 반도체 메모리 장치, 이의 동작 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템

Номер: KR102626837B1
Автор: 송윤흡, 최선준, 최창환, 정재경
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 제공되며, 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체, 및 상기 적층 구조체를 관통하는 채널 홀들 내에 제공되며, 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 연장되는 수직 채널 구조체들을 포함하되, 상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 채널 홀들의 내측벽을 컨포멀하게 덮고, 강유전 물질을 포함하는 단일층 구조의 데이터 저장 패턴, 상기 데이터 저장 패턴의 측벽을 덮고, 산화물 반도체 물질을 포함하는 수직 채널 패턴, 상기 수직 채널 패턴의 상면 상의 도전 패드, 및 상기 수직 채널 패턴 및 상기 도전 패드로 둘러싸인 수직 반도체 패턴을 포함하고, 상기 수직 채널 패턴은 상기 기판의 상면과 접촉하는 제1 부분 및 상기 데이터 저장 패턴과 상기 수직 반도체 패턴 사이에 제공되는 제2 부분을 포함하고, 상기 수직 반도체 패턴은 상기 수직 채널 패턴의 상기 제1 부분을 사이에 두고 상기 기판과 서로 이격되는 3차원 반도체 메모리 장치, 이의 제조 방법, 이의 동작 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템을 개시한다.

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Номер записи: 12
06-02-2020 дата публикации

VERTICAL NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING ALUMINUM OXIDE FILM AND POLYCRYSTALLINE METAL OXIDE CHANNEL LAYER CRYSTALLIZATION-INDUCED BY TRANSITION METAL

Номер: WO2020027532A1
Автор: CHOI, Chang Hwan, SONG, Yun Heub, JEONG, Jae Kyeong, HAN, Hoon Hee
Принадлежит:

Provided are a vertical nonvolatile memory element and a thin film transistor. The vertical nonvolatile memory element comprises an insulating column extending above a substrate. Alternatingly-laminated interlayer insulating films and control gate patterns are arranged on side portions of the insulating column. A polycrystalline metal oxide channel layer extending along the insulating column is laminated on the insulating column and between the insulating column and the control gate patterns. A tunnel insulating film, a charge capture layer, and a blocking insulating film, which are aluminum oxide films, are sequentially arranged between the polycrystalline metal oxide channel layer and each of the control gate patterns.

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Номер записи: 13
05-12-2019 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY DEVICE SUPPORTING BULK ERASE OPERATION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер: WO2019231205A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

Disclosed are a three-dimensional flash memory device supporting a bulk erase operation and a manufacturing method therefor. A three-dimensional flash memory device supporting a bulk erase operation, according to one embodiment, may comprise: a string including a channel layer configured to extend in one direction and a plurality of electrode layers vertically stacked with respect to the channel layer; an upper wiring layer disposed on an upper portion of the string; at least one intermediate wiring layer which penetrates through the channel layer in an intermediate area of the string and is disposed between the plurality of electrode layers; a lower wiring layer disposed on a lower portion of the string; and at least one connection part formed in the at least one intermediate wiring layer so as to connect at least two channel layers divided by the at least one intermediate wiring layer. A three-dimensional flash memory device including a buried intermediate wiring layer, according to another ...

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Номер записи: 14
31-01-2019 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер: WO2019022369A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

The present invention relates to a three-dimensional flash memory, and suggests a technique for suppressing an interference phenomenon due to an inter-cell insulating layer in a vertical cell, and forming a stable vertical channel layer; a technique for solving the problem of degradation of chip characteristics such as operation speed and power consumption, and the difficulty of wiring technology in a manufacturing process, by reducing the length of wiring compared to a conventional three-dimensional flash memory; and a technique for improving the horizontal degree of integration of a channel layer and an ONO layer.

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Номер записи: 15
25-01-2021 дата публикации

3 THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY FOR INTEGRATING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR102207214B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 집적화를 도모하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 적어도 하나의 채널층 및 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸는 적어도 하나의 전하 저장층을 포함함-; 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링에 대해 직교하며 연결되고, 수평 방향으로 연장 형성되며 적층되는 복수의 워드라인들-상기 복수의 워드라인들은 서로 다른 길이로 연장 형성되어 단차부 및 평면부를 포함하는 계단 형상을 구성함-을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은, 상기 평면부 및 상기 단차부 모두에 형성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 16
21-04-2023 дата публикации

휘발성 기술을 기반으로 하는 채널 홀 내에 백 게이트를 형성하는 방법

Номер: KR20230053173A
Автор: 송윤흡, 최창환, 구본철, 최문석
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 구조체의 채널 홀 내에 백 게이트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따라 3차원 홀 내부에서의 seam 또는 void가 발생하는 것을 방지하고, 표면 에너지 변화, 휘발성 기술 및 플라즈마 처리를 이용하며, Mo 또는 Co ALD 금속 물질 기반의 고품질, 정밀, 빈 공간이 없는 metal filling을 제공한다.

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Номер записи: 17
20-04-2023 дата публикации

독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR20230052392A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 상기 워드 라인들에 대응하도록 이격되어 배치되는 데이터 저장 패턴들을 포함함-을 포함하고, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 상기 워드 라인들을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 18
25-04-2019 дата публикации

PCM-BASED NEURAL NETWORK DEVICE

Номер: WO2019078599A1
Автор: SONG, Yun Heub, LI, Cheng
Принадлежит:

A phase change material (PCM)-based neural network device according to an embodiment comprises: a plurality of neurons disposed for input layers and output layers, respectively; a plurality of PCMs connecting input lines of the input layers and output lines of the output layers; and at least one backward spike generator (BSG) shared by the plurality of neurons, and generating spike on the basis of an output pulse outputted from each of the neurons of the output layers.

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Номер записи: 19
15-10-2015 дата публикации

METHOD AND DEVICE FOR SENSING SELF-REFERENCE IN MAGNETORESISTIVE MEMORY

Номер: KR101559677B1
Автор: KIL, GYU HYUN, SONG, YUN HEUB
Принадлежит: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)

A method for sensing a self-reference in a magnetoresistive memory includes the steps of: applying a recording pulse to a source line from a bit line to pass through a magnetic tunnel junction cell; and sensing a change in the voltage of the bit line caused by the recording pulse. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 20
28-04-2016 дата публикации

ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR SYSTEM USING SAME

Номер: KR1020160046031A
Автор: SONG, YUN HEUB, JEONG, HONG SIK
Принадлежит:

An artificial neuron semiconductor device with a three-dimensional structure to solve the problem of power consumption includes a first electrode to which a clock signal is applied, and a second electrode in which an output signal is generated; an insulating pillar; a plurality of electrode layers which receive electric signals from at least one synapse circuit; and a phase change layer which is classified into at least two parts by the insulating pillar, touches at least two sides of the insulating pillar, and generates phase change by the plurality of electrode layers. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 21
01-12-2022 дата публикации

강유전체 성능 향상을 위한 이중 산화물층들을 갖는 V-NAND 메모리 및 그의 제조 방법

Номер: KR20220158325A
Автор: 정재경, 송윤흡, 박형진
Принадлежит:

... 다양한 실시예들은 강유전체 성능 향상을 위한 이중 산화물층들을 갖는 V-NAND 메모리 및 그 제조 방법을 제공하며, V-NAND 메모리는 일 방향으로 연장되는 강유전체층, 및 강유전체층을 사이에 두고 서로의 맞은 편에서, 일 방향으로 각각 연장되는 이중의 산화물층들을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 산화물층들이 산화물층들 사이에서의 열팽창 계수 차이를 이용하여 강유전체층에 대해 사방정상(orthorhombic phase) 형성을 유발시키고, 강유전체층에 대해 산소 빈자리 결함(oxygen vacancy) 형성을 억제시킴으로써, V-NAND 메모리에서의 강유전체 성능이 향상될 수 있다.

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Номер записи: 22
30-07-2020 дата публикации

SWITCHING DEVICE HAVING BI-DIRECTIONAL DRIVE CHARACTERISTICS AND METHOD OF OPERATING SAME

Номер: WO2020153618A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

Disclosed is a bi-directional two-terminal phase-change memory device using a tunneling thin film and a method of operating same. According to one embodiment, a phase-change memory device comprises: a first electrode; a second electrode; and a phase-change memory cell interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the phase-change memory cell comprises: a P-type intermediate layer used as a data storage as the crystalline state changes due to a voltage applied through the first electrode and the second electrode; an upper layer and a lower layer formed with an N-type semiconductor material to both ends of the intermediate layer; and at least one tunneling thin film disposed on at least one area from an area between the upper layer and the intermediate layer or an area between the lower layer and the intermediate layer, so as to reduce leakage current in the intermediate layer or prevent intermixing between a P-type dopant and an N-type dopant.

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Номер записи: 23
08-08-2018 дата публикации

PHASE-CHANGE MEMORY SENSING APPARATUS WITH DYNAMIC REFERENCE FOR COMPENSATING RESISTANCE DRIFT AND METHOD THEREFOR

Номер: KR1020180089055A
Автор: SONG, YUN HEUB, CHOI, JUN TAE
Принадлежит:

A phase-change memory sensing apparatus with a dynamic reference for compensating a resistance drift and a method therefor are disclosed. According to an aspect of the present invention, the phase-change memory sensing apparatus includes a dummy cell array for sensing the resistance drift of a phase-change memory; a sensing part for sensing the resistance drift of the dummy cell array in a reading operation; a compensation part for compensating a reference based on the sensed resistance drift of the dummy cell array; and a reading part for reading data stored in the phase-change memory based on the compensated reference. It is possible to prevent reading errors. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Start (BB) End (S410) Select a block (S420) Sense the resistance drift of a dummy cell array (S430) Compensate a reference value based on the resistance drift (S440) Read data stored in a phase change memory based on the compensated reference value ...

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Номер записи: 24
22-02-2017 дата публикации

개선된 터널 배리어 구조를 갖는 MTJ 셀 및 그 제작 방법

Номер: KR0101708548B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 개선된 터널 배리어(tunnel barrier) 구조를 갖는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀은 인가되는 전압에 기초하여 조절되는 자화 ?향을 갖는 자유층; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층; 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 금속 산화물로 형성되는 터널 배리어층을 포함하고, 상기 터널 배리어층은 상하면에 금속층이 성막된다.

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Номер записи: 25
22-12-2016 дата публикации

BIOSENSOR FOR DETECTING BIOMATERIAL USING CAPACITANCE CHANGE AND BIOSENSOR SYSTEM THEREFOR

Номер: KR1020160147178A
Автор: SONG, YUN HEUB, KIM, KYU BEOM
Принадлежит:

Disclosed are a biosensor for detecting a biomaterial using a capacitance change and a biosensor system therefor. The biosensor for detecting a biomaterial according to an embodiment of the present invention includes: an oxide film formed on a substrate; at least one source electrode and at least one drain electrode spaced apart from each other in a part of an upper surface of the oxide film; a first pad connecting the source electrode; a second pad connecting the drain electrode; a reaction material fixed on a sensing region generated based on positions of the source electrode and the drain electrode to sense a biomaterial; and a fluid tube that is formed to pass through the sensing region, wherein the fluid tube has at least one refractive portion to control the inflow speed of the biomaterial introducing into the fluid tube. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 26
31-10-2016 дата публикации

MULTIPLE ULTRASONIC SYSTEM USING CAPACITIVE MICRO-MACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS

Номер: KR101670595B1
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)

Disclosed is a multiple ultrasonic system using capacitive micro-machined ultrasonic transducers. According to an embodiment of the present invention, the multiple ultrasonic system comprises: a multiple ultrasonic sensor configured to provide a multiple ultrasonic signal having a different frequency to a target object and receive a reflection signal reflected from the target object with respect to the multiple ultrasonic signal by using capacitive micro-machined ultrasonic transducers (CMUTs); and a signal processing unit configured to signal-process the reflection signal with respect to the multiple ultrasonic signal received from the multiple ultrasonic sensor. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 27
05-02-2024 дата публикации

독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102633697B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 상기 워드 라인들에 대응하도록 이격되어 배치되는 데이터 저장 패턴들을 포함함-을 포함하고, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 상기 워드 라인들을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

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13-12-2018 дата публикации

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING REVERSED PHASE-CHANGE CHARACTERISTICS AND PHASE-CHANGE MEMORY HAVING HIGHLY INTEGRATED THREE-DIMENSIONAL ARCHITECTURE USING SAME

Номер: WO2018225993A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

According to an embodiment, a phase-change memory device comprises: an upper electrode and a lower electrode; a phase-change layer in which a crystal state thereof is changed by heat supplied by the upper electrode and the lower electrode; and a selector which selectively switches the heat supplied by the upper electrode and the lower electrode to the phase-change layer, wherein the selector is formed of a compound which includes a transition metal in the phase-change material so as to have a high resistance when the crystalline state of the selector is crystalline and so as to have a low resistance when the crystalline state of the selector is non-crystalline.

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Номер записи: 29
28-11-2019 дата публикации

SELECTION ELEMENT-INTEGRATED PHASE-CHANGE MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер: WO2019226000A1
Автор: SONG, Yun Heub, JEONG, Jae Kyeong
Принадлежит:

Disclosed is a phase-change memory comprising, in order to mitigate the problems and disadvantages of existing OTS, a selection element having improved density due to the obviated need for an intermediate electrode, and a phase-change memory element comprising the selection element, the phase-change memory element having a highly dense three-dimensional architecture. The phase-change memory element has a PN diode structure comprising a P-type phase-change material layer and an N-type metal oxide layer. Moreover, the phase-change memory element comprises a semiconductor material layer which selectively switches to the phase-change material layer by means of the Schottky diode property of the electrode interface.

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23-05-2019 дата публикации

PULSE DRIVING APPARATUS FOR MINIMISING ASYMMETRY WITH RESPECT TO WEIGHT IN SYNAPSE ELEMENT, AND METHOD THEREFOR

Номер: WO2019098659A1
Автор: SONG, Yun Heub, LI, Cheng
Принадлежит:

The present invention relates to a pulse driving apparatus for minimising an asymmetric image between long-term potentiation (LTP) and long-term depression (LTD) in a hardware neural network, and a method therefor; and can minimise asymmetry between the LTP process and the LTD process, thereby improving a match rate of actual results by separately performing a first operation that performs on the LTP process, and a second operation that performs the LTP process and the LTD process.

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10-02-2023 дата публикации

집적도를 향상시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR102497881B1
Автор: 송윤흡, 송창은
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단, 페디셈 주식회사

GSL 제거 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 상기 채널층 및 상기 전하 저장층은 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성하며, 상기 채널층은 상기 채널층에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 일 방향으로 연장 형성되는 백 게이트 및 상기 백 게이트와 상기 채널층 사이에 상기 일 방향으로 연장 형성되는 절연막을 포함함-을 포함하고, 상기 복수의 스트링들 각각이 상기 백 게이트를 포함함에 따라 GSL(Ground Selection Line)이 제거된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.

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27-01-2016 дата публикации

BIO SENSOR FOR DETECTING BIOMATERIAL AND BIO SENSOR SYSTEM FOR THE SAME

Номер: KR0101588953B1
Автор: 송윤흡, 김규범
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 생체 물질 감지 바이오 센서는 기판; 상기 기판의 전면에 형성되는 산화막; 상기 산화막이 형성된 기판 상에 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 위치에 기초하여 상기 산화막에 생성된 센싱 영역 상에 고정되어, 생체 물질을 센싱하는 반응 물질; 및 상기 센싱 영역을 통과하도록 생성되는 유체관을 포함하고, 상기 유체관은 상기 유체관에 유입되는 상기 생체 물질의 유입 속도를 조절하기 위한 적어도 하나의 굴절 부분을 포함하도록 생성된다.

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01-02-2021 дата публикации

U BICs 3 THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY WITH BIT COST SCALABLE STRUCTURE OF U-SHAPE AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер: KR102210326B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 대칭되는 U자 형태의 BICs 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판에 대한 수평 부분 및 수직 부분들을 포함하도록 U자 형태로 형성된 채, 내부가 빈 튜브 형태로 연장 형성되는 전하 저장층 및 상기 전하 저장층의 내부에 채워지는 채널층으로 구성되는 적어도 하나의 스트링; 상기 적어도 하나의 스트링의 수직 부분들에 직교하며 연결되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 적어도 하나의 스트링의 수평 부분과 평행하도록 연장 형성된 채, 상기 적어도 하나의 스트링의 양단에 연결되는 두 개의 비트 라인들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 스트링은, 상기 수평 부분을 기준으로 상기 수직 부분들이 대칭을 이루는 것을 특징으로 한다.

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24-07-2014 дата публикации

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер: WO2014112761A1
Автор: SONG, Yun Heub, YANG, Hyung Jun
Принадлежит:

A semiconductor memory element is provided. A vertical electrode is provided on a substrate, while a blocking insulating layer is provided on a side wall of the vertical electrode. A plurality of active patterns separated from the vertical electrode are provided by means of the blocking insulating layer. Data storage patterns are provided between the active patterns.

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07-07-2017 дата публикации

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND THREE-DIMENSIONAL PHASE CHANGE MEMORY WITH IMPROVED CONTACT RESISTANCE

Номер: KR1020170078222A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

The present invention relates to a phase change memory element with improved contact resistance which comprises: a conductor; a heater; and a phase change material (PCM) arranged between the conductor and the heater, and changing a determination state according to heat supplied by the heater. The phase change layer includes a step area being in contact with the heater. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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22-09-2022 дата публикации

GGNMOS 기반의 방전 회로 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자

Номер: KR102446187B1
Автор: 송윤흡, 한재덕, 김성범
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

GGNMOS 기반의 방전 회로 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자는, 글로벌 비트라인(Global Bit Line; GBL)에 대해 스위치 역할을 하는 GBL PMOS; 상기 GBL PMOS의 하단에 배치된 채 로컬 비트라인(Local Bit Line; LBL)에 대해 스위치 역할을 하는 LBL PMOS; 상기 LBL PMOS의 하단에 배치되는 OTS; 상기 OTS의 하단에 배치된 채 데이터 저장소의 기능을 하는 상변화층; 상기 상변화층의 하단에 배치된 채 로컬 워드라인(Local Word Line; LWL)에 대해 스위치 역할을 하는 LWL NMOS; 상기 LWL NMOS의 하단에 배치된 채 글로벌 워드라인(Global Word Line; GWL)에 대해 스위치 역할을 하는 GWL NMOS; 상기 GBL PMOS와 상기 LBL PMOS 사이에 연결된 채, 상기 상변화층에 대한 판독 동작이 수행됨과 동시에 활성화되어 상기 OTS로 유입될 적어도 일부 전하를 방전시키는 제1 방전 회로(First discharging circuit); 및 상기 GBL PMOS와 상기 LBL PMOS 사이에 연결된 채, 상기 상변화층에 대한 판독 동작이 시작된 이후에 활성화되어 상기 OTS로 유입될 적어도 일부 전하를 방전시키는 제2 방전 회로(Second discharging circuit)를 포함한다.

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27-01-2016 дата публикации

MTJ CELL HAVING PROTECTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160009767A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

A magnetic tunnel junction (MTJ) cell having a protective film comprises: a free layer having a magnetization direction which is adjusted based on an applied voltage; a fixation layer having a reference magnetization direction about the adjusted magnetization direction of the free layer; an insulation layer arranged between the free layer and the fixation layer and formed by an insulator; a protective film formed to surround a side of the insulation layer; and an inter-level dielectric (ILD) formed to surround a side of the free layer, a side of the fixation layer, and the protective film formed on the side of the insulation layer. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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01-07-2015 дата публикации

PRAM FOR MODELING SOMA OF NEURAL NETWORKING SYSTEM

Номер: KR101532874B1
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)

A phase-change random access memory (PRAM) for modeling a soma of a neural networking system includes a plurality of vertical wiring layers, a plurality of phase-change layers which are vertically connected to the vertical wiring layer, respectively, and a plurality of switching devices which are connected to the vertical wiring layers, are switched from an on state to an off state based on a preset critical voltage, and supply a current to the vertical wiring layers, respectively. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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19-05-2016 дата публикации

THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY USING ELECTRODE LAYER AND/OR INTER-LAYER WITH DIFFERENT CHARACTERISTIC AND MANUFACTURING METHOD

Номер: KR0101622036B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 본 발명의 실시예들은 복수의 전극층들 각각의 물리적인 구조 혹은 재료 등을 서로 다르게 함으로써, 복수의 전극층들의 문턱 전압 산포를 개선할 수 있고, 따라서, 저장된 데이터를 유지하는 과정 및 판독 과정에서의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

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08-12-2015 дата публикации

BIOSENSOR FOR DETECTING BIOMATERIAL AND BIOSENSOR SYSTEM

Номер: KR1020150136660A
Автор: SONG, YUN HEUB, KIM, KYU BEOM
Принадлежит:

A biosensor for detecting a biomaterial comprises a substrate; an oxide membrane formed on the front of the substrate; a source electrode and a drain electrode arranged on the substrate where the oxide membrane is formed to be separated from each other; a reactive material fixed on a sensing area generated on the oxide membrane based on the position of the source electrode and the drain electrode to sense a biomaterial; and a fluid pipe formed to enter the sensing area, wherein the fluid pipe includes at least one refractive part for controlling inflow rate of the biomaterial flowed into the fluid pipe. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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24-08-2022 дата публикации

개선된 스택 연결 부위를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220117690A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 개선된 스택 연결 부위를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 각각 연장 형성된 채 수직 방향으로 교번하며 적층된 복수의 워드 라인들 및 복수의 층간 절연층들을 각각 포함하는 복수의 스택 구조체들-상기 복수의 스택 구조체들은 상기 수직 방향으로 적층됨-; 및 상기 복수의 스택 구조체들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링을 포함하고, 상기 복수의 스택 구조체들 각각에 포함되는 상기 복수의 층간 절연층은, 상기 복수의 스택 구조체들 각각 내에서 상기 수직 방향으로의 높이에 따라 서로 다른 측면 에칭 비율(Lateral etch ratio)을 갖는 것을 특징으로 한다.

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30-12-2021 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY COMPRISING BACK GATE

Номер: WO2021261744A1
Автор: SONG, Yun Heub, SONG, Chang Eun
Принадлежит:

Disclosed is a three-dimensional flash memory comprising a back gate. According to an embodiment, a three-dimensional flash memory comprises: multiple word lines extending in a horizontal direction on a substrate and consecutively stacked on one another; and multiple strings extending to pass through the multiple word lines in one direction on the substrate, wherein the multiple strings each comprise a channel layer extending in the one direction and a charge storage layer extending in the one direction to surround the channel layer, and the channel layer and the charge storage layer constitute multiple memory cells corresponding to the multiple word lines. The channel layer comprises; a back gate extending in the one direction while at least a part thereof is surrounded by the channel layer; and an insulation film extending in the one direction between the back gate and the channel layer.

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08-01-2016 дата публикации

Sense Amplifying Circuit of Resistance Changing Memory

Номер: KR0101582731B1
Автор: 송윤흡, 길규현
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 저항성 메모리의 저항변화를 감지하기 위한 감지증폭회로가 개시된다. 감지증폭회로는 셀 바이어스 승압부 및 기준 바이어스 승압부를 가지고, 다이오드 연결된 트랜지스터를 통해 공통 소스 증폭기의 동작 마진을 확대시킨다. 공통 소스 증폭기는 증가된 동작 마진을 통해 안정적인 동작을 수행할 수 있다. 또한, 2단 증폭을 통해 소신호 레벨은 증폭되어 효과적인 감지증폭 동작이 수행된다.

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Номер записи: 44
08-03-2017 дата публикации

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING SWITCHING BY USING SELF-REFERENCE ADJUSTMENT IN MAGNETO-RESISTIVE MEMORY

Номер: KR1020170025912A
Автор: LI CHENG, SONG, YUN HEUB, KIL, GYU HYUN
Принадлежит:

Disclosed are an apparatus and a method for detecting switching by using self-reference adjustment in a magneto-resistive memory. A method for detecting switching in a magneto-resistive memory according to an embodiment of the present invention includes: generating a reference voltage based on a data voltage of a magnetic tunnel junction (MTJ) cell inputted to a comparator; allowing the comparator to compare the generated reference voltage with the data voltage and outputting a comparison result; and converting the comparison result into logical data by using a buffer and detecting switching of the MTJ cell based on the logical data. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 45
02-08-2022 дата публикации

피드포워드 패스 기반의 방전 회로 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자

Номер: KR20220107353A
Автор: 송윤흡, 한재덕, 김성범
Принадлежит:

... 피드포워드 패스 기반의 방전 회로 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자는 글로벌 비트라인(Global Bit Line; GBL)에 대해 스위치 역할을 하는 GBL PMOS; 상기 GBL PMOS의 하단에 배치된 채 로컬 비트라인(Local Bit Line; LBL)에 대해 스위치 역할을 하는 LBL PMOS; 상기 LBL PMOS의 하단에 배치되는 OTS; 상기 OTS의 하단에 배치된 채 데이터 저장소의 기능을 하는 상변화층; 상기 상변화층의 하단에 배치된 채 로컬 워드라인(Local Word Line; LWL)에 대해 스위치 역할을 하는 LWL NMOS; 상기 LWL NMOS의 하단에 배치된 채 글로벌 워드라인(Global Word Line; GWL)에 대해 스위치 역할을 하는 GWL NMOS; 상기 GBL PMOS와 상기 LBL PMOS 사이에 연결된 채, 상기 상변화층에 대한 판독 동작이 수행되기 이전에 활성화되어 상기 OTS로 유입될 적어도 일부 전하를 방전시키는 제1 방전 회로(First discharging circuit); 및 상기 GBL PMOS와 상기 LBL PMOS 사이에 연결된 채, 상기 상변화층에 대한 판독 동작이 시작된 이후에 활성화되어 상기 OTS로 유입될 적어도 일부 전하를 방전시키는 제2 방전 회로(Second discharging circuit)를 포함한다.

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Номер записи: 46
08-12-2022 дата публикации

강유전체 물질 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR20220162248A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 강유전체 물질 기반의 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 복수의 워드 라인들에 각각 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-; 상기 복수의 스트링들 각각에 수직으로 연결되는 상기 복수의 워드 라인들을 포함하고, 상기 복수의 워드 라인들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 음의 프로그램 전압(Negative program voltage)이 인가됨에 응답하여 상기 프로그램 동작을 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 47
17-12-2018 дата публикации

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT WITH REVERSED PHASE CHANGE CHARACTERISTICS AND PHASE CHANGE MEMORY HAVING THREE-DIMENSIONAL HIGH DENSITY ARCHITECTURE USING SAME

Номер: KR1020180133771A
Автор: SONG YUN HEUB
Принадлежит:

According to one embodiment of the present invention, a phase change memory element capable of reducing manufacturing costs comprises: upper and lower electrodes; a phase change layer in which a crystal state is changed by heat supplied by the upper and lower electrodes; and a selector selectively switching the heat supplied by the upper and lower electrodes to the phase change layer. The selector has high resistance when the crystal state of the selector is crystalline. The selector is formed of a compound containing transition metal in a phase change material to have low resistance when the crystal state of the selector is amorphous. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 48
18-01-2021 дата публикации

CROSSPOINT WITH AIR GAP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR102204386B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 크로스포인트 어레이의 신뢰성 및 성능을 개선하기 위한 기술이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 크로스포인트 어레이는, 수평 방향의 제1 방향으로 각각 연장 형성되는 복수의 비트라인들; 상기 제1 방향과 직교하는 수평 방향의 제2 방향으로 각각 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 상기 복수의 비트라인들 및 상기 복수의 워드라인들 사이에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들; 및 상기 복수의 비트라인들 사이의 공간 또는 상기 복수의 워드라인들 사이의 공간 중 적어도 하나의 공간에 형성되는 적어도 하나의 에어 갭(Air gap)을 포함한다.

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Номер записи: 49
02-03-2023 дата публикации

강유전체 기반의 임베디드 시스템

Номер: KR102504860B1
Автор: 송윤흡, 정홍식
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단, 울산과학기술원

... 강유전체 기반의 임베디드 시스템이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 임베디드 시스템은, 적어도 하나의 메모리 소자; 및 적어도 하나의 로직 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리 소자 및 상기 적어도 하나의 로직 소자는, 단일 공정을 통해 동일한 강유전체 물질로 동시에 형성된 강유전체층들을 각각 포함하며, 상기 적어도 하나의 메모리 소자 또는 상기 적어도 하나의 로직 소자 중 어느 하나의 소자는, 상기 단일 공정에 이은 후속 공정을 통해 적어도 일부분의 물질 특성이 변화된 구성요소를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 50
01-08-2016 дата публикации

양방향 스위칭 동작을 수행하는 마그네틱 메모리

Номер: KR0101642161B1
Автор: 송윤흡, 길규현, 양형준
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 양방향 스위칭 동작을 수행할 수 있는 마그네틱 메모리가 개시된다. 인가되는 전류에 의해 자화의 방향을 변경하여 저항상태의 변경이 가능한 MTJ층에는 양방향 스위칭층이 연결된다. 양방향 스위칭층은 2개의 도전성 막질 사이에 형성된 중간 반도체층을 가진다. 중간 반도체층은 p 타입으로 도핑되고, 쇼트키 접합을 형성한다. 또한, 인가되는 바이어스에 따라 중간 반도체층은 핀치-오프되고, 제너 다이오드로 모델링된다. 이를 통해 양방향 스위칭 동작을 수행할 수 있다.

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Номер записи: 51
27-06-2018 дата публикации

셀 전류를 증가시키는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR0101872108B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 일실시예에 따르면, 셀 전류를 증가시키는 3차원 플래시 메모리는 Ga, As 및 P를 포함하는 3-5족 화합물로 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 대해 수직적으로 적층되는 복수의 전극층들; 상기 복수의 전극층들과 상기 적어도 하나의 채널층 사이를 연결하도록 형성되는 복수의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층들; 및 상기 적어도 하나의 채널층과 연결되고, 상기 복수의 전극층들과 교대로 배치되며, 상기 적어도 하나의 채널층에 대해 수직적으로 적층되는 복수의 층간 절연층들을 포함하고, 상기 3-5족 화합물에 포함되는 Ga, As 및 P의 비율은 미리 설정된 온도 이상의 온도 내성 및 Poly-Si 또는 Si의 모빌리티(Mobility)보다 높은 모빌리티를 갖도록 조절된다.

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Номер записи: 52
18-07-2018 дата публикации

PHASE CHANGE MEMORY SENSING APPARATUS AND METHOD FOR COMPENSATING FOR CHANGE IN RESISTANCE VALUE

Номер: KR1020180082195A
Автор: SONG, YUN HEUB, CHOI, JUN TAE
Принадлежит:

A phase change memory sensing apparatus and method for compensating for a change in a resistance value are disclosed. The phase change memory sensing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a sensing unit for sensing the change in the resistance value of a phase change memory; a correcting unit for correcting a reference value based on the sensed change in the resistance value; and a reading unit for reading data stored in the phase change memory based on the corrected reference value. Accordingly, the present invention can prevent a reading error. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 53
22-11-2022 дата публикации

3차원 플래시 메모리의 개선된 프로그램 동작 방법

Номер: KR20220154866A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 3차원 플래시 메모리의 개선된 프로그램 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 셀 스트링들-상기 셀 스트링들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법은, 상기 셀 스트링들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 음의 값의 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 셀 스트링의 비트 라인에 상기 음의 값의 전압이 인가되고 상기 선택된 워드 라인에 상기 프로그램 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 선택된 셀 스트링에 포함되는 상기 수직 채널 패턴에 채널을 형성함으로써 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 54
14-02-2024 дата публикации

3 Three Dimensional Semiconductor Device Having a Back-gate Electrode

Номер: KR20240019983A
Автор: 강인구, 김창한, 송윤흡, 심재민
Принадлежит:

A three dimensional semiconductor device is disclosed. The tree dimensional semiconductor device includes a word line stack over a substrate and a channel pillar structure passing through the word line stack in a vertical direction perpendicular to a top surface of the substrate. The channel pillar structure includes a channel structure. The channel structure includes a blocking layer, a trap layer, a tunneling layer, a channel layer, a filling layer, and a back gate electrode. The channel structure has a pillar shape.

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Номер записи: 55
18-04-2019 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY DEVICE HAVING INTERMEDIATE WIRING LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: WO2019074177A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

A three-dimensional flash memory device having an intermediate drain electrode and a manufacturing method thereof are disclosed. According to an embodiment, the three-dimensional flash memory device comprises strings which include a channel layer which extends in one direction and a plurality of electrode layers which are stacked vertically with respect to the channel layer; an upper wiring layer which is disposed on the upper portion of the at least one string; at least one intermediate wiring layer which is disposed between the plurality of electrode layers in an intermediate region of the at least one string; and a lower wiring layer which is disposed on the lower portion of the string, wherein each of the upper wiring layer, the at least one intermediate wiring layer, and the lower wiring layer may be adaptively used as either a drain electrode or a source electrode.

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Номер записи: 56
05-01-2024 дата публикации

강유전체 분극 특성을 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR102621680B1
Автор: 송윤흡, 심재민
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 강유전체 분극 특성을 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 데이터 저장 패턴의 사방정계 특성이 개선되도록 데이터 저장 패턴과의 스트레스를 발생시키는 용도로 사용되는 스트레스 제어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

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11-02-2019 дата публикации

집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR1020190012581A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 일 실시예에 따르면, 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리는, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 채널층들; 상기 적어도 두 개의 채널층들을 각각 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층들; 및 상기 적어도 두 개의 ONO층들 각각에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함하고, 상기 적어도 두 개의 ONO층들은, 서로 맞닿거나, 적어도 일부분이 오버랩되도록 형성된다.

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05-10-2022 дата публикации

개선된 스택 연결 부위를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220134259A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 개선된 스택 연결 부위를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 각각 연장 형성된 채 수직 방향으로 교번하며 적층된 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 워드 라인들을 상기 수직 방향으로 관통하며 연장 형성되는 적어도 하나의 셀 스트링-상기 적어도 하나의 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-를 각각 포함하는 복수의 스택 구조체들; 및 상기 수직 방향으로 적층되는 상기 복수의 스택 구조체들 사이에 배치된 채, 상기 복수의 스택 구조체들 각각의 상기 채널층을 서로 연결시키는 적어도 하나의 버퍼층(Buffer layer)를 포함할 수 있다.

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16-05-2024 дата публикации

비휘발성 랜덤 액세스 스토리지, 그 동작 방법 및 그 제조 방법

Номер: KR102665984B1
Автор: 송창은, 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단, 페디셈 주식회사

... 비휘발성 랜덤 액세스 스토리지, 그 동작 방법 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 비휘발성 랜덤 액세스 스토리지는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 이격되며 적층된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴, 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 강유전체 기반의 데이터 저장 패턴, 상기 수직 채널 패턴의 내측벽을 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 스위칭 패턴 및 상기 스위칭 패턴의 내측벽을 덮으며 형성되는 셀렉터 게이트를 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함할 수 있다.

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19-07-2018 дата публикации

NEURON CIRCUIT USING DUMMY CELL FOR REDUCING FIRING ERROR AND CONTROLLING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180082807A
Автор: SONG, YUN HEUB, LI CHENG
Принадлежит:

The present invention discloses a neuron circuit using a dummy cell capable of reducing a firing error of a neuron circuit by using a dummy cell for providing additional current to an output neuron, and a controlling method thereof. According to an embodiment of the present invention, the neuron circuit including a synapse and the output neuron comprises: a current providing part providing the additional current to current output to the output neuron from the synapse; and a control part controlling the current providing part and providing the additional current to the output neuron based on a difference between charging current and discharging current of the output neuron when the output neuron does not fire, thereby firing the output neuron. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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09-02-2018 дата публикации

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE REALIZING GRADUAL CHARACTERISTICS OF VOLTAGE PULSE AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер: KR1020180014464A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a phase change memory device realizing gradual characteristics of a voltage pulse comprises: an upper electrode; a lower electrode; and a phase change layer arranged between the upper and lower electrodes, and changing a crystalline state between a set state and a reset state according to a voltage pulse applied by the upper and lower electrodes, wherein the voltage pulse has gradual characteristics in an erasing operation that the crystalline state of the phase change layer is changed from the reset state to the set state. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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18-08-2015 дата публикации

Memory of using Resistive Switching Device and Method of operating the same

Номер: KR0101544632B1
Автор: 송윤흡, 길규현
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 저항 스위칭 소자를 이용하는 메모리의 구조 및 동작 방법이 개시된다. 가변저항 스위칭부는 인가되는 바이어스에 의해 고저항 또는 저저항 상태를 실현한다. 이는 선택 배선과 데이터 저장부와의 전기적 연결을 제어한다. 고저항 상태의 경우, 데이터 저장부와 선택 배선의 전기적 연결은 실질적으로 차단된다. 저저항 상태의 경우, 데이터 저장부와 선택 배선은 전기적으로 연결된다. 전기적으로 연결된 상태에서 쓰기 동작 및 읽기 동작이 수행된다. 쓰기 동작 또는 읽기 동작이 수행된 이후, 가변저항 스위칭부는 고저항 상태로 진입하고, 외부와의 전기적 연결이 실질적으로 차단된다.

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01-12-2022 дата публикации

게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR20220158425A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들을 포함하는 적층 구조체들; 및 상기 적층 구조체들 각각을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 층간 절연막들 각각은, 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

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21-04-2016 дата публикации

ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND ARTIFICIAL NEURON SEMICONDUCTOR SYSTEM USING SAME

Номер: WO2016060529A1
Автор: SONG, Yun Heub, JEONG, Hong Sik
Принадлежит:

An artificial neuron semiconductor element having a three-dimensional structure comprises: a first electrode to which a clock signal is applied and a second electrode in which an output signal is generated; an insulation column; a plurality of electrode layers for receiving an electrical signal from at least one synapse circuit; and a phase change layer which is divided into at least two parts by the insulation column and is in contact with at least two side surfaces of the insulation column, the phase change layer making a phase change by the plurality of electrode layers.

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22-06-2018 дата публикации

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH DENSITY THREE-DIMENSIONAL ARCHITECTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180068527A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

The present invention provides a phase change random access memory having a high density three-dimensional architecture in which a phase change layer minimizes an area in contact with an ovonic threshold switching (OTS) layer in order to reduce reset current and set current. According to an embodiment of the present invention, the phase change random access memory having a high density three-dimensional architecture comprises: at least one phase change layer extending in a first direction; and the OTS layer extending in a second direction perpendicular to the first direction, and vertically contacting the at least one phase change layer. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 66
17-11-2016 дата публикации

MTJ CELL WITH REFRESH FUNCTION AND SRAM INCLUDING SAME

Номер: KR1020160132188A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

A static random access memory (SRAM) having a refresh function includes at least one transistor disposed on one side of a substrate; at least one magnetic tunnel junction (MTJ) cell connected to the at least one transistor; and a control part for controlling a write operation and a read operation for the at least one MTJ cell and performing a refresh operation for the at least one MTJ cell. So, a driving current can be reduced. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Write operation (BB) Read operation ...

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26-08-2016 дата публикации

MULTI-FUNCTIONAL SENSING APPARATUS USING MIDDLEWARE FUNCTION AND SENSING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160101773A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

The present invention relates to a multi-functional sensing apparatus using a middleware function and a sensing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the multi-functional sensing apparatus comprises: a sensor unit which includes one or more sensors having different sensing functions and outputs different kinds of sensing signal according to the sensing function; a middleware unit which converts a first sensing signal outputted by a first sensor among the one or more sensors into a second sensing signal which is a predetermined type independently of a type of the sensing signal; and a sensing circuit unit which receives the second sensing signal converted by the middle ware unit and senses an amount of change sensed by the first sensor based on the second sensing signal. COPYRIGHT KIPO 2016 (111) First sensor (112) Second sensor (113) Third sensor (120) Middleware unit (130) Sensing circuit unit ...

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28-01-2016 дата публикации

BIO SENSOR FOR DETECTING BIOMATERIAL AND MANUFACTUING METHOD THEREOF

Номер: KR0101588523B1
Автор: 김규범, 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 생체 물질 감지 바이오 센서는 적어도 하나의 트렌치(trench)가 식각된 기판; 상기 적어도 하나의 트렌치 각각의 둘레를 따라 형성되는 산화막; 상기 산화막 상에 상기 적어도 하나의 트렌치를 매립하도록 배치되는 매몰형 탐지 전극; 상기 기판의 전면에 형성되는 유전막; 상기 매몰형 탐지 전극의 위치에 기초하여 상기 유전막에 생성된 적어도 하나의 센싱 영역 상에 고정되어, 생체 물질을 센싱하는 반응 물질; 및 상기 적어도 하나의 센싱 영역을 통과하도록 생성되는 적어도 하나의 유체관을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유체관은 상기 매몰형 탐지 전극과 평행한 적어도 하나의 부분을 포함하도록 생성된다.

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Номер записи: 69
24-08-2017 дата публикации

자기 저항 메모리에서 셀프 레퍼런스 조정을 이용한 스위칭 감지 방법 및 장치

Номер: KR0101770890B1
Автор: 이정, 송윤흡, 길규현
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 자기 저항 메모리에서 셀프 레퍼런스 조정을 이용한 스위칭 감지 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 저항 메모리에서 스위칭 감지 방법은 자기 저항 메모리에서 스위칭 감지 방법에 있어서, 비교기로 입력되는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀의 데이터 전압에 기초하여 레퍼런스 전압을 생성하는 단계; 상기 비교기에서 상기 생성된 레퍼런스 전압과 상기 데이터 전압을 비교하여 비교 결과 값을 출력하는 단계; 및 상기 출력된 비교 결과 값을 버퍼를 이용하여 논리 데이터로 변환하고 상기 변환된 논리 데이터에 기초하여 상기 MTJ 셀의 스위칭을 감지하는 단계를 포함한다.

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30-03-2018 дата публикации

선택 소자 및 이를 포함하는 상변화 메모리 소자

Номер: KR0101844126B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 메모리 소자에서 이용되는 선택 소자는 바나듐 산화물 및 티타늄으로 조성되는 복합 구조체를 포함한다.

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09-03-2023 дата публикации

다치화를 구현하는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR20230033971A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 다치화를 구현하는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격되며 배치되는 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴을 둘러싸며 강유전체 물질로 형성되는 데이터 저장 패턴을 포함하여, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 복수의 메모리 셀들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 인가하는 프로그램 전압을 음의 범위 값 또는 양의 범위 값에서 결정하여, 상기 대상 메모리 셀에 대응하는 상기 데이터 저장 패턴의 일부 영역의 분극 전하량을 변화시켜 상기 대상 메모리 셀에 대한 다치화를 구현하는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 72
30-01-2023 дата публикации

프로그램 동작 시 메모리 셀들 사이의 간섭을 방지하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR102493067B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 프로그램 동작 시 메모리 셀들 사이의 간섭을 방지하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 각각 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 상기 수직 방향으로 관통하며 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함한 채 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함한다.

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Номер записи: 73
15-03-2023 дата публикации

백 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102509658B1
Автор: 송윤흡, 송창은
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단, 페디셈 주식회사

... 백 게이트를 포함하는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하며, 상기 채널층 및 상기 전하 저장층은 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 채널층은, 상기 채널층에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 상기 일 방향으로 연장 형성되는 백 게이트 및 상기 백 게이트와 상기 채널층 사이에 상기 일 방향으로 연장 형성되는 절연막을 포함하는 것을 특징으로 한다.

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14-04-2023 дата публикации

수평 전하 저장층 기반 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR102521775B1
Автор: 송윤흡, 최선준
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 수평 전하 저장층 기반 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 상기 복수의 워드라인들 사이에 교번하며 개재되며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 워드라인들에 인가되는 전압에 의해 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들; 및 상기 복수의 수평 전하 저장층들과 상기 적어도 하나의 채널층 사이에 개재되는 복수의 터널 산화막들을 포함한다.

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Номер записи: 75
17-05-2024 дата публикации

다층막 구조의 채널층을 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR102666996B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 다층막 구조의 채널층을 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 셀 스트링-상기 적어도 하나의 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층은, 상기 전하 저장층과 맞닿도록 형성된 채, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도(Electron mobility)를 향상시키는 제1 채널층 및 상기 제1 채널층의 내벽에 형성되는 제2 채널층을 포함하는 이중 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 76
16-07-2015 дата публикации

SENSE AMPLIFYING CIRCUIT OF RESISTIVE MEMORY

Номер: KR1020150082747A
Автор: SONG, YUN HEUB, KIL, GYU HYUN
Принадлежит:

Disclosed is a sense amplifying circuit for sensing a resistance change of a resistive memory. The sense amplifying circuit has a cell bias boosting unit and a reference bias boosting unit, and enlarges an operational margin of a common source amplifier via a transistor connected to a diode. The common source amplifier may perform a stable operation via the enlarged operational margin. Additionally, the present invention amplifies a small signal level via two step amplification to perform an effective sense amplification operation. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 77
28-04-2022 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY HAVING IMPROVED DEGREE OF INTEGRATION, AND OPERATING METHOD THEREFOR

Номер: WO2022085967A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

Disclosed are a three-dimensional flash memory, to which a GSL-removed structure is applied, and an operating method thereof. According to an embodiment, the three-dimensional flash memory comprises: a plurality of word lines which are formed extending in a horizontal direction on a substrate and are sequentially stacked; and a plurality of strings passing through the plurality of word lines and formed extending in one direction on the substrate, wherein each of the plurality of strings comprises a channel layer formed extending in the one direction and a charge storage layer formed extending in the one direction to surround the channel layer, and the channel layer and the charge storage layer constitute a plurality of memory cells corresponding to the plurality of word lines, and the channel layer comprises a back gate formed extending in the one direction while at least a part thereof is surrounded by the channel layer and an insulation film formed extending in the one direction between ...

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Номер записи: 78
04-04-2018 дата публикации

3D FLASH MEMORY FOR INCREASING CELL CURRENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180033952A
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a 3D flash memory for increasing a cell current includes: at least one channel layer made of a III-V group compound including Ga, As, and P; a plurality of electrode layers vertically stacked on the at least one channel layer; a plurality of oxide-nitride-oxide (ONO) layers formed to connect between the plurality of electrode layers and the at least one channel layer; and a plurality of interlayer insulating layers connected to the at least one channel layer, alternatively arranged with the plurality of electrode layers and vertically stacked with respect to the at least one channel layer. The ratio of Ga, As and P included in the III-V group compound is controlled to have higher mobility than the mobility of Poly-Si or Si and temperature resistance of a predetermined temperature or higher. Accordingly, the present invention can improve a threshold voltage distribution of the plurality of electrode layers. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 79
01-12-2022 дата публикации

강유전체 성능 향상을 위한 산화물층을 갖는 V-NAND 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220158326A
Автор: 정재경, 송윤흡, 박형진
Принадлежит:

... 다양한 실시예들은 강유전체 성능 향상을 위한 산화물층을 갖는 V-NAND 메모리 및 그 제조 방법을 제공하며, V-NAND 메모리는 일 방향으로 연장되는 강유전체층, 및 일 방향을 중심으로 강유전체층을 둘러싸면서, 일 방향으로 연장되는 산화물층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 산화물층이 산화물층의 열팽창 계수에 의해 강유전체층에 대해 사방정상(orthorhombic phase) 형성을 유발시키고, 강유전체층에 대해 산소 빈자리 결함(oxygen vacancy) 형성을 억제시킴으로써, V-NAND 메모리에서의 강유전체 성능이 향상될 수 있다.

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Номер записи: 80
17-05-2024 дата публикации

워드 라인 분리 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR102666995B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 워드 라인 분리 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 워드 라인들; 상기 층간 절연막들 및 상기 워드 라인들을 상기 수직 방향으로 관통하며 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 둘러싸며 형성되는 데이터 저장 패턴을 포함함-; 및 상기 데이터 저장 패턴과 동일한 물질로 형성된 채, 상기 워드 라인들 각각을 수평 평면 상 복수 개로 분리시키는 적어도 하나의 분리막을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 81
22-07-2022 дата публикации

효율적인 워드 라인 연결 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102424408B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 효율적인 워드 라인 연결 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링; 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링과 수직으로 연결되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들의 하부에 위치하는 로우 디코더(Row Decoder)를 포함하고, 상기 복수의 워드 라인들 각각은, 상기 복수의 워드 라인들 각각의 콘택트(Contact)와 연결되는 플러그 비아(Plug Via)를 통해 상기 로우 디코더와 연결되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 82
19-07-2022 дата публикации

IGZO 채널층의 컨택트 저항을 개선하는 3차원 플래시 메모리

Номер: KR20220101784A
Автор: 송윤흡, 정재경
Принадлежит:

IGZO 채널층의 컨택트 저항을 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 적어도 하나의 스트링은, 상기 채널층에 N+ 도핑된 제1 영역 및 상기 채널층보다 컨택트 저항이 작은 물질에 N+ 도핑된 제2 영역을 포함하는 이중 구조로 형성된 드레인 정션(Drain junction)을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

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Номер записи: 83
10-10-2019 дата публикации

METHOD AND SYSTEM FOR INSPECTION OF DEFECTIVE MTJ CELL IN STT-MRAM

Номер: WO2019194450A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

The present invention relates to a film quality inspection method for providing a stress evaluation scheme for inspection of film quality of a magnetic tunnel junction (MTJ) element in a spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM), and a system therefor, wherein a bipolar signal and a unipolar signal including a unipolar hole (positive polarity) and a unipolar electron (negative polarity) are simultaneously applied to the same MTJ element, and then according to the result of comparison of cycling gaps, the quality of a thin film having a thickness about 1nm can be inspected.

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Номер записи: 84
26-04-2018 дата публикации

3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자

Номер: KR0101837774B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자가 개시된다. 주변 회로 영역 상부에 셀 영역이 구비된다. 각각의 셀 영역들은 층간 분리막으로 분리된다. 또한, 한층의 셀 영역과 하부의 주변 회로 영역을 전기적으로 연결하는 비아 그룹이 구비된다. 기판의 수직방향으로 적층된 다수의 셀 영역들은 상층부로 갈수록 해당하는 비아 그룹은 주변 회로 영역의 외곽에 배치된다. 따라서, 다층구조의 셀 영역과 함께 높은 집적도를 달성할 수 있다.

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15-10-2015 дата публикации

SENSE AMPLIFIER FOR CONTROLLING BIT-LINE VOLTAGE AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер: KR101559668B1
Автор: KIL, GYU HYUN, SONG, YUN HEUB
Принадлежит: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)

A method for controlling a bit-line voltage in a sense amplifier includes the steps of: executing a read operation for a magnetic tunnel junction (MTJ) cell; driving either of a p-channel metal oxide semiconductor (PMOS) dependent current source and a n-channel metal oxide semiconductor (NMOS) dependent current source based on a bit-line voltage generated in the MTJ cell as a result of the read operation; and controlling the bit-line voltage in response to the operation of driving either of the PMOS dependent current source and the NMOS dependent current source. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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11-11-2022 дата публикации

GSL의 누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR102466225B1
Автор: 송윤흡, 심재민
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

COP 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리에서 GSL의 누설 전류를 개선하기 위한 기술이 제안된다. 일 실시예에 따르면, COP 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 상기 복수의 워드 라인들의 하단에 위치하는 GSL(Ground Selection Line); 및 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 GSL을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 상기 전하 저장층은 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 위치로부터 상기 GSL에 대응하는 위치까지 연장 형성됨-을 포함하고, 상기 전하 저장층 중 상기 GSL에 대응하는 영역은, 프로그램된 상태로 유지되는 것을 특징으로 한다.

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11-01-2021 дата публикации

3 THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY BASED ON FERRO DIELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR102201016B1
Автор: 송윤흡, 최창환, 정재경
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 수평 방향의 집적도를 향상시켜 집적도를 도모하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층을 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성된 채 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 강유전체막; 및 상기 적어도 하나의 강유전체막에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함한다.

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21-12-2020 дата публикации

2 TWO TERMINAL PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер: KR102193691B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 2단자 상변화 메모리 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 상변화 메모리 소자에서 사용되는 상변화 메모리 셀은, P 타입 또는 N 타입의 반도체 물질로 형성되는 중간층; 및 상기 P 타입 또는 상기 N 타입 중 상기 중간층을 형성하는 반도체 물질과 다른 타입의 반도체 물질로 상기 중간층의 양단에 형성되는 상부층과 하부층을 포함하고, NPN 또는 PNP 구조로 형성되어, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극으로부터 상기 상부층 및 상기 하부층을 통해 인가되는 전압을 상기 중간층, 상기 상부층 또는 상기 하부층 중 데이터 저장소로 사용되는 P 타입의 적어도 하나의 층에 선택적으로 스위칭함을 특징으로 한다.

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14-03-2023 дата публикации

집적도를 개선한 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102509656B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 집적도를 개선한 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 일 발향으로 연장 형성되는 채널층 및 전하 저장층을 각각 포함하는 복수의 메모리 셀 스트링들; 상기 복수의 메모리 셀 스트링들에 대해 수직 방향으로 연결되는 복수의 워드 라인들; 상기 기판에 매몰된 적어도 하나의 매몰형 소스 라인; 및 상기 복수의 워드 라인들을 분리하는 적어도 하나의 워드 라인 분리 슬릿(Slit)을 포함한다.

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27-04-2023 дата публикации

다치화를 구현한 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR20230056358A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 다치화를 구현한 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리에서의 다치화 구현 방법은. 상기 3차원 플래시 메모리의 소거 동작 시 소거 문턱 전압의 산포를 좁혀 문턱 전압 산포 영역을 확보하는 단계; 및 상기 확보되는 문턱 전압 산포 영역에 다치화된 프로그램 문턱 전압들을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.

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25-01-2021 дата публикации

MSL 3 THREE DIMENSIONAL FLASH MEMORY WITH MIDDLE SIGNAL LINE AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер: KR102207213B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 부스팅의 면적을 감소시킨 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층 및 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸도록 형성되는 전하 저장층을 포함함-; 및 상기 적어도 하나의 스트링에 대해 수직 방향으로 연결되는 복수의 워드라인들을 포함하고, 상기 복수의 워드라인들 중 적어도 하나의 워드라인은, 상기 적어도 하나의 스트링의 일부 영역을 오프(Off)시켜 나머지 일부 영역 상 특정 메모리 셀에 대한 프로그램 동작을 수행하고, 상기 적어도 하나의 스트링의 일부 영역을 공핍(Depletion)시켜 나머지 일부 영역에 대한 소거 동작을 수행하는 MSL(Middle Signal Line)으로 사용되는 것을 특징으로 한다.

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22-06-2017 дата публикации

TDDB를 방지하는 MTJ 셀 및 그 제작 방법

Номер: KR0101749790B1
Автор: 송윤흡
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)를 방지하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀은 인가되는 전압에 기초하여 조절되는 자화 ?향을 갖는 자유층; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층; 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 상기 고정층의 평면상 크기 보다 큰 평면상 크기를 갖도록 절연체로 형성되는 절연층을 포함한다.

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04-10-2016 дата публикации

SRAM USING TA-MTJ CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR101661851B1
Автор: SONG, YUN HEUB
Принадлежит: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)

A static random access memory (SRAM) of the present invention comprises: two transistors which are placed on one side of a substrate; a word line and a source line, which are formed on the top of the two transistors and are connected to the two transistors; two thermal assisted-magnetic tunnel junction (TA-MTJ) cells which are formed on the top of the two transistors and are respectively connected to the two transistors; and two bit lines which are formed on the top of the two TA-MTJ cells to be at right angles to the word line and are respectively connected to the two TA-MTJ cells. The present invention is to provide an SRAM, whose size is reduced by having a structure which includes two transistors and two TA-MTJ cells, and a manufacturing method thereof. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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06-02-2023 дата публикации

프로그램 동작을 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법

Номер: KR102494930B1
Автор: 송윤흡, 심재민
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 프로그램 동작을 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 복수의 스트링들-상기 복수의 스트링들 각각은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함하고, 상기 채널층 및 상기 전하 저장층은 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성하며, 상기 채널층은 상기 채널층에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 일 방향으로 연장 형성되는 백 게이트 및 상기 백 게이트와 상기 채널층 사이에 상기 일 방향으로 연장 형성되는 절연막을 포함함-을 포함하고, 상기 프로그램 동작 시 상기 복수의 워드 라인들의 하단에 배치되는 GSL(Ground Selection Line)을 플로팅(Floating)시키는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 95
05-03-2020 дата публикации

TWO-TERMINAL PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD THEREFOR

Номер: WO2020045845A1
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

Disclosed are a two-terminal phase-change memory device and an operation method therefor. According to one embodiment, a phase-change memory cell, used in the phase-change memory device, comprises: an intermediate layer formed from a P-type or N-type semiconductor material; and an upper layer and a lower layer respectively formed on both ends of the intermediate layer and formed from a semiconductor material having a type, among the P-type or the N-type, which is different from the type of the semiconductor material forming the intermediate layer, wherein the phase-change memory cell is formed into an NPN or PNP structure so that a voltage applied from an upper electrode and a lower electrode via the upper layer and the lower layer is selectively switched to at least one P-type layer, among the intermediate layer, the upper layer or the lower layer, which is used as a data store.

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20-12-2012 дата публикации

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY USING FRINGING EFFECT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: WO2012173380A2
Автор: SONG, Yun Heub
Принадлежит:

A flash memory having a three-dimensional structure and using a fringing effect, and a method for manufacturing same are disclosed. A through-hole, which penetrates through a plurality of gate electrodes that are perpendicularly stacked, is formed on a substrate, and the inside of the through-hole is filled with a tunneling insulation membrane or an activated region. As a result, a charge storage layer is not formed inside the through-hole but is formed outside the through-hole. The charge storage layer is formed inside an inter-cell insulation membrane that fills a separated space between the gate electrodes. When a fringing field is applied, charge in the activated region is trapped in the charge storage field by means of the inter-cell insulation membrane.

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08-12-2015 дата публикации

BIOSENSOR FOR DETECTING BIOMATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020150136659A
Автор: KIM, KYU BEOM, SONG, YUN HEUB
Принадлежит:

A biosensor for detecting a biomaterial comprises a substrate in which at least one trench is etched; an oxide membrane formed around each trench; a buried detection electrode arranged on the oxide membrane to bury at least one trench; a dielectric membrane formed on the front of the substrate; a reactive material fixed on at least one sensing area generated on the dielectric membrane base on the position of the buried detection electrode to sense a biomaterial; and at least one fluid pipe generated to pass through at least one sensing area, wherein at least one fluid pipe includes at least one part parallel to the buried detection electrode. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 98
22-11-2022 дата публикации

연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

Номер: KR20220154867A
Автор: 송윤흡
Принадлежит:

... 연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 게이트 전극들과, 상기 층간 절연막들 및 상기 게이트 전극들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴 및 상기 데이터 저장 패턴의 내측벽에 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴을 포함함-을 각각 포함하는 스택 구조체들-상기 스택 구조체들은 상기 수직 방향으로 적층됨-; 및 상기 스택 구조체들의 사이에 배치된 채, 상기 스택 구조체들 각각의 수직 채널 패턴들을 서로 연결시키도록 상기 수직 채널 패턴들 각각보다 상기 수평 방향으로 돌출되는 연결부들을 포함할 수 있다.

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14-04-2023 дата публикации

수평 전하 저장층 기반의 3차원 플래시 메모리

Номер: KR102521776B1
Автор: 송윤흡, 최선준
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 수평 전하 저장층 기반의 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 및 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 어느 하나의 면에 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 워드라인들에 인가되는 전압에 의해 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들을 포함한다.

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Номер записи: 100