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27-12-2022 дата публикации

커버 플레이트 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Номер: KR102481432B1
Автор: 선종우, 김학영
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 커버 플레이트 및 그를 구비하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는 윈도우와, 윈도우 상에 배치된 안테나 전극과, 안테나 전극 및 상기 윈도우 사이로부터 상기 윈도우의 측벽까지 연장하여 상기 윈도우를 덮는 커버 플레이트를 포함한다.

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09-03-2023 дата публикации

플라즈마 모니터링 장치 및 플라즈마 처리 시스템

Номер: KR102508505B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 플라즈마 모니터링 장치는 챔버의 광학윈도우를 통해 투과되는 플라즈마로부터 발생된 광을 수집하는 대물 렌즈, 상기 대물 렌즈를 통해 수집된 상기 광을 제1 광 및 제2 광으로 분할하는 빔 스플리터, 상기 제1 광 및 제2 광의 광로들 상에 각각 배치되며 상기 플라즈마 내의 서로 다른 영역들에 초점들을 각각 설정하도록 서로 다른 초점 길이들을 갖는 제1 및 제2 광학계들, 및 상기 제1 및 제2 광학계들을 통해 통과한 광들을 검출하기 위한 광 검출부를 포함한다.

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21-02-2017 дата публикации

COVER PLATE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME

Номер: KR1020170019011A
Принадлежит:

In the present invention, disclosed are a cover plate and a plasma processing apparatus including the same. The apparatus includes a window, an antenna electrode which is arranged on the window, and the cover plate which is extended from a space between the antenna electrode and the window to a sidewall of the window and covers the window. The present invention can provide the plasma processing apparatus which perform an etching process without an aging process. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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29-12-2017 дата публикации

PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170143068A
Принадлежит:

A plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a chamber; a window plate arranged on the upper side of the chamber and including a coupling hole; an injector including a body part which includes a plurality of nozzles and is coupled to the coupling hole, and a flange part radially extended from the body part and partially covering the bottom surface of the window plate; and a stopper coupled to the body part on the upper side of the window plate to prevent the injector from being separated from the coupling hole. Accordingly, the present invention can implement the uniform distribution of a process gas in the chamber. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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06-10-2022 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR102452722B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판 처리 영역을 포함하는 챔버, 상기 기판 처리 영역 상에 배치되고, 삽입홀을 포함하는 유전판 및 상기 유전판 상에 배치되어 상기 유전판의 온도를 측정하고, 상기 삽입홈에 삽입되는 나사(screw)부를 가지는 온도 측정부를 포함하고, 상기 삽입홀과 상기 나사부 각각은 서로 맞물리는 나사선을 포함할 수 있다.

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08-03-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170024996A
Принадлежит:

A substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes a chamber including a substrate processing region, a dielectric plate disposed on the substrate processing region and including an insertion hole, and a temperature measuring part disposed on the dielectric plate to measure the temperature of the dielectric plate and having a screw part inserted into the insertion groove. Each of the insertion hole and the screw part may include threads geared with each other. So, the reliability of a substrate processing step can be improved. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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17-12-2015 дата публикации

ETCHING APPARATUS USING INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP)

Номер: KR1020150140936A
Автор: SUN, JONG WOO
Принадлежит:

An etching apparatus using inductively coupled plasma (ICP) includes a chuck, an antenna, and a dielectric window. The substrate is mounted on the chuck. The antenna is disposed on an upper part of the chuck and forms an induced electromagnetic field between the chuck and the antenna. The dielectric window is disposed between the antenna and the chuck and delivers the induced electromagnetic field to the substrate. The dielectric window has: at least two receiving spaces into which etching gases, generating plasma by the induced electromagnetic field, are introduced; and a plurality of spray holes connected to the receiving spaces individually and spraying the etching gases toward the substrate. Therefore, a flow rate of the etching gases supplied to the substrate can be selectively adjusted. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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12-12-2022 дата публикации

가스 분배 판을 갖는 플라즈마 처리 장치

Номер: KR20220163902A
Принадлежит:

... 플라즈마 처리 장치는 기판이 안착되는 지지대, 다수의 분사구를 갖는 가스 분배 판(gas distribution plate; GDP), 공정 가스를 공급하는 주 분배기(main splitter), 및 가속 가스 또는 감속 가스를 공급하는 보조 분배기(additional splitter)를 포함한다. 상기 다수의 분사구는 다수의 중앙 분사구, 다수의 외곽 분사구, 상기 공정 가스 및 상기 가속 가스를 분출하는 다수의 중간 분사구, 다수의 제1 분사구, 및 다수의 제2 분사구를 포함한다.

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24-04-2023 дата публикации

기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템

Номер: KR102524625B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 기판 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 기판 검사 장치는 센서 모듈; 및 상기 센서 모듈과 결합되고, 상기 센서 모듈을 이송시키는 지그 유닛을 포함하고, 상기 센서 모듈은: 서로 대향된 일면과 타면을 갖고, 상기 일면과 상기 타면을 연결하는 삽입 홀을 갖는 하우징; 상기 삽입 홀 내에 삽입되어, 기판의 상태를 측정하는 센서; 및 상기 하우징 상에 위치되고, 상기 하우징을 틸팅시키는 틸팅 부재를 포함한다.

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20-10-2022 дата публикации

플라즈마 식각 장치 및 방법

Номер: KR20220141360A
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는, 베이스층, 베이스층 상에 배치되는 본딩층, 본딩층 상에 배치되고, 기판의 하면과 접촉하는 복수의 돌출부를 포함하는 흡착층, 및 베이스층 상에서 기판의 측면과 이격되고 기판의 측면을 둘러싸도록 배치되는 에지 링을 포함하는 정전 척, 베이스층을 관통하고, 기판의 공정 온도를 조절하는 냉각제를 복수의 돌출부 사이로 주입하기 위한 복수의 냉각제 공급부들, 복수의 냉각제 공급부들과 연결되며, 냉각제가 소정의 방향으로 순환하도록 냉각제를 상기 복수의 냉각제 공급부들에 공급하는 복수의 배관들, 상기 플라즈마 식각 공정의 제1 단계에서 상기 정전 척이 -40℃ 내지 -5℃ 사이의 제1 온도를 갖도록 하는 냉각제를 주입하고, 제2 단계에서 상기 정전 척이 30℃ 내지 90℃ 사이의 제2 온도를 갖도록 하는 냉각제를 주입하는 냉각 장치, 및 복수의 배관들과 연결된 밸브를 조절하여 냉각제의 순환 방향을 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 이용하여 식각률을 유지하면서 하부 기판에 대한 선택비를 개선할 수 있고, 나아가 하부 기판의 리세스 깊이를 균일하게 제어하고 하부 홀의 임계 치수를 증가시킬 수 있다.

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16-08-2022 дата публикации

플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR102432857B1
Автор: 홍정표, 선종우, 성정모
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 공정 챔버 내에 기판이 탑재되는 정전척과, 공정 챔버에 공정 가스를 주입하는 가스 주입부와, 공정 챔버의 상측에 위치하여 공정 챔버 내에 주입된 공정 가스를 플라즈마화시키는 플라즈마 인가부를 포함한다. 플라즈마 인가부는 고주파 안테나를 포함하는 고주파 전극부에 전기적으로 연결된 고주파 파워 소스를 포함한다. 플라즈마 처리 장치는 정전척 및 기판의 둘레에 설치되어 기판 상의 플라즈마 밀도를 조절할 수 있는 플라즈마 조절부를 포함한다. 고주파 안테나는 기판의 중앙 부분에 대응하는 내부 안테나 및 내부 안테나의 외측에 위치하고 기판의 모서리 부분에 대응하는 외부 안테나로 구성된다. 플라즈마 조절부는 정전척의 둘레에 위치하고 강자성체로 이루어진 바디부와, 바디부에 전기적으로 연결된 보조 바이어스 파워 소스를 포함한다. 바디부는 정전척의 표면과 동일 레벨로 위치하면서 원통 형태로 구성되고, 및 바디부는 보조 바이어스 파워 소스에 의해 기판에서 자기장을 차폐한다.

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15-12-2022 дата публикации

가스 분배 판을 갖는 플라즈마 처리 장치

Номер: KR102477354B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 플라즈마 처리 장치는 기판이 안착되는 지지대, 다수의 분사구를 갖는 가스 분배 판(gas distribution plate; GDP), 공정 가스를 공급하는 주 분배기(main splitter), 및 가속 가스 또는 감속 가스를 공급하는 보조 분배기(additional splitter)를 포함한다. 상기 다수의 분사구는 다수의 중앙 분사구, 다수의 외곽 분사구, 상기 공정 가스 및 상기 가속 가스를 분출하는 다수의 중간 분사구, 다수의 제1 분사구, 및 다수의 제2 분사구를 포함한다.

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25-10-2017 дата публикации

FOCUS RING ASSEMBLY AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING SAME

Номер: KR1020170118466A
Принадлежит:

According to a substrate processing method, a substrate can be carried into a plasma processing apparatus. A film on the substrate can be treated with plasma generated in the plasma processing apparatus. The substrate can be taken out from the plasma processing apparatus. A thickness compensating film can be formed on the upper side of the surface of a focus ring of the plasma processing apparatus worn by the plasma with an in-situ process in the plasma processing apparatus. Therefore, the operating rate of the plasma processing apparatus can be improved by not stopping the operation of the plasma processing apparatus for replacing the focus ring which is worn. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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15-06-2018 дата публикации

PUBLIC GARBAGE CAN

Номер: KR1020180064862A
Принадлежит:

Disclosed is a public garbage can, wherein discarded waste slides downwards along an inclination of an upper plate to be naturally accommodated in the garbage can through an inlet, and without a lid, rainwater does not flow into the garbage can. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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03-05-2024 дата публикации

광학 방출 분광 시스템 및 그 보정 방법, 반도체 소자 제조 방법

Номер: KR102663185B1
Автор: 문정일, 이형주, 선종우
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명의 실시예에 따른 광학 방출 분광 시스템은 기준 광원, 상기 기준 광원으로부터 방출된 광이 유입되는 수광부, 상기 수광부로부터 상기 수광부로 유입된 광을 전송받고, 상기 수광부로 유입된 광을 분석하는 분석부, 및 상기 기준 광원으로부터 방출된 광을 보정하는 보정부를 포함하되, 상기 보정부는 상기 수광부로 입사되는 광의 입사각에 따라 보정 비율이 달라지도록 상기 수광부로 입사되는 광을 보정한다.

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31-12-2018 дата публикации

공공 쓰레기통

Номер: KR0101933205B1
Принадлежит: 송헌일, 임두현, 선종우, 정선우

... 투기된 쓰레기가 상면판 경사를 타고 흘러내려 투입구를 통해 쓰레기통 내부로 자연스럽게 수용되며, 뚜껑이 없더라도 빗물이 쓰레기통 내부로 유입되지 않는 공공 쓰레기통이 개시된다.

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25-05-2016 дата публикации

PLASMA PROCESS APPARATUS HAVING VIEW PORT

Номер: KR1020160058490A
Принадлежит:

A plasma process apparatus is provided. The plasma process apparatus includes a process chamber including a view port; a window plate positioned within the view port of the process chamber; and a light guide positioned on the surface of the window plate toward the inside of the process chamber. The light guide includes openings extending in parallel in one direction. The state of plasma and a plasma process can be precisely monitored using light generated by the plasma generated inside the process chamber. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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09-02-2017 дата публикации

APPARATUS FOR PROCESSING PLASMA

Номер: KR1020170015615A
Принадлежит:

The present invention relates to a plasma processing apparatus. The apparatus includes a chamber and a plasma protection layer coated on the inner wall of the chamber. The inner wall of the chamber can have a centerline average roughness of 0.5 micrometer or less. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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21-11-2022 дата публикации

기판 식각 방법

Номер: KR102468232B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 기판 식각 방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판 상에 제 1 탄소 화합물을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴의 상부 면을 개질하여 상기 포토레지스트 패턴 상에 상기 제 1 탄소 화합물과 다른 제 2 탄소 화합물을 포함하는 상부 마스크 막을 형성하는 단계와, 상기 상부 마스크 막 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 식각하는 단계를 포함한다.

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