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29-01-2024 дата публикации

히트싱크용 탄소강 소재의 제조방법

Номер: KR102630913B1
Автор: 도환수
Принадлежит: 한국세라믹기술원

... 본 발명은, 탄소강 기판, 상기 탄소강 기판에 형성된 환원된 산화그래핀 코팅층을 포함하는 히트싱크용 탄소강 소재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 환원된 산화그래핀이 탄소강 기판에 코팅되어 열확산도 및 열전도도 특성이 개선될 수 있다.

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21-01-2016 дата публикации

POROUS SUPPORT BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: KR0101582743B1
Принадлежит: 주식회사 엘지화학

... 본 명세서는 다공성 지지체 및 이의 제조방법을 제공한다.

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18-05-2016 дата публикации

HEAT-DISSIPATING SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020160055611A
Принадлежит:

The present invention relates to a heat-dissipating substrate for a power semiconductor device. According to the present invention, the heat-dissipating substrate includes a deformed silicon nitride compound which is made by substituting transition metal for a part of silicon of a silicon nitride compound to have a structure which forms a stable image. Especially, thermal conductivity of the silicon nitride compound is improved so that thermal conductivity of the heat-dissipating substrate including the silicon nitride compound can be increased. The thermal conductivity is sufficiently increased at a high temperature so that the heat-dissipating substrate can be usefully used as a heat-dissipating material of an electric and electronic component. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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09-12-2016 дата публикации

METHOD FOR BONDING HETEROGENEOUS MATERIALS AND BONDING APPARATUS

Номер: KR1020160141496A
Принадлежит:

The present invention relates to a method for bonding heterogeneous materials and a bonding apparatus. According to an aspect of the present invention, provided is a bonding method of heterogeneous materials, comprising the steps of: (a) forming a liquid bonding interface layer between a first base material and a second base material through heating, wherein the first base material and the second base material are different materials; and (b) adjusting the wetting angle of the liquid bonding interface layer. COPYRIGHT KIPO 2016 (S101) Step of forming a liquid bonding interface layer (S102) Step of adjusting the wetting angle of the liquid bonding interface layer ...

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28-12-2022 дата публикации

히트싱크용 탄소강 소재 및 그 제조방법

Номер: KR20220169533A
Автор: 도환수
Принадлежит:

... 본 발명은, 탄소강 기판, 상기 탄소강 기판에 형성된 환원된 산화그래핀 코팅층을 포함하는 히트싱크용 탄소강 소재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 환원된 산화그래핀이 탄소강 기판에 코팅되어 열확산도 및 열전도도 특성이 개선될 수 있다.

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16-03-2023 дата публикации

코팅 조성물 및 표면처리 코팅 소재의 형성방법

Номер: KR20230037133A
Автор: 도환수
Принадлежит:

... 본 발명은, 항공기 소재 또는 부품을 표면처리하기 위한 코팅 조성물로서, 폴리머계 코팅제와, 상기 폴리머계 코팅제 100중량부에 대하여 그래핀 0.1∼15 중량부를 포함하고, 상기 폴리머계 코팅제는 폴리머계 바인더 35∼80 wt%, 금속산화물 10∼50 wt% 및 첨가제 0.01∼25 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅 조성물 및 이를 이용한 표면처리 코팅 소재의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 항공기 소재/부품의 내마모성을 향상시킬 수 있고, 내구성도 향상시킬 수 있다.

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22-05-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED BODY HAVING EXCELLENT THERMAL CONDUCTIVITY

Номер: KR1020170055639A
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a silicon nitride sintered body comprising the following steps: forming mixed powder by mixing silicon nitride powder, one or more types of transition metal powder selected among Ti, Ta, W and Nb, MgO powder and Y_2O_3 powder; molding the mixed powder in a desired shape; and sintering the molded products. According to the present invention, oxygen impurities existing on the surface of silicon nitride is prevented from moving into a crystal so the amount of impurities in particles or grains can be minimized and thermal conductivity can be improved. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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09-01-2017 дата публикации

SINTERED BODY, COMPOSITION FOR SINTERING SILICON NITRIDE, AND METHOD FOR PRODUCING SINTERED BODY

Номер: KR1020170003259A
Принадлежит:

The present invention relates to a sintered body, a composition for sintering silicon nitride, and a method for producing the sintered body. According to the present invention, the sintered body can be used for sintering silicon nitride-based materials with a stable phase using specific transition metal when sintering the silicon nitride-based sintered body. In addition, it is also possible to produce the silicon nitride-based sintered body with increased heat conductivity as well as radiating materials for circuit substrate using the same. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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21-01-2016 дата публикации

POROUS SUPPORT BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: KR0101582742B1
Принадлежит: 주식회사 엘지화학

... 본 명세서는 다공성 지지체 및 이의 제조방법을 제공한다.

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29-03-2018 дата публикации

METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC ROLLER HAVING IMPROVED MATTER PROPERTY

Номер: KR101842954B1

The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic roller. The method includes: a step (S1) of making mixed powder of Al_2O_3, SiO_2, MgO, Cao, and ZrO_2; a step (S2) of putting the mixed powder of the step (S1), a dispersant, a binder, a plasticizer, and a lubricating release agent into a spray dryer, and then, heating the mixture at an inlet temperature of 150-170°C and an outlet temperature of 90-110°C for 3-4 hours to granulate the mixture; a step (S3) of mixing the granules of the step (S2); a step (S4) of sintering the granules in the air at 1,600-1,650°C for three hours; and a step (S5) of cutting the matter, sintered through the step (S4), in a depth of 0.02-0.04 mm at 1,200-1,800 rpm. As the ceramic roller manufactured through the present invention has a considerably improved matter property such as wear-resistance and shock-resistance, the roller is capable of increasing the stability and efficiency of equipment while expending a lifespan thereof, thereby having ...

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02-11-2017 дата публикации

열전도성이 우수한 질화규소 소결체의 제조방법

Номер: KR0101793036B1
Принадлежит: 한국세라믹기술원

... 본 발명은, 질화규소 분말, Ti, Ta, W 및 Nb 중에서 선택된 1종 이상의 전이금속 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합분말을 형성하는 단계와, 상기 혼합분말을 목표하는 형태로 성형하는 단계 및 성형된 결과물을 소결하는 단계를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 질화규소의 표면에 존재하는 산소 불순물이 결정 내부로 이동하는 것을 억제하여 입자 또는 입계에 존재하는 불순물의 양이 최소화되고 열전도 특성을 향상시킬 수 있다.

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