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14-11-2022 дата публикации

반도체장치

Номер: KR102466965B1
Автор: 김웅래, 이태용
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 반도체장치는 제1 모드에서 제1 뱅크의 데이터와 제2 뱅크의 데이터가 동시에 출력되도록 합성제어펄스에 응답하여 제1 및 제2 뱅크선택신호로부터 제1 및 제2 뱅크어드레스제어신호와 제1 및 제2 뱅크제어펄스를 생성하는 컬럼동작제어회로; 및 상기 제1 및 제2 뱅크어드레스제어신호에 응답하여 컬럼어드레스로부터 상기 제1 및 제2 뱅크를 선택하기 위한 제1 및 제2 뱅크컬럼어드레스를 생성하는 뱅크컬럼어드레스생성회로를 포함한다.

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Номер записи: 1
11-07-2013 дата публикации

ELECTRODE FOR SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: WO2013103189A1
Автор: CHOI, Won Youl, KIM, Woong-Rae
Принадлежит:

The present invention relates to an electrode for a solar cell in which a plurality of protruding columns, a plurality of through-holes, or a plurality of titanium metal lines aligned in a first direction and a plurality of titanium metal lines aligned in a second direction are formed on a titanium metal, wherein a plurality of titanium oxide nanotubes are formed on the surface of the titanium metal, thereby maximizing the specific surface area. The present invention has an electrode structure for the solar cell having the maximized specific surface area, which can increase the amount of dye adsorption, generate a large quantity of photoelectrons, and can increase energy conversion efficiency of the solar cell when used in a photosensitized solar cell.

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Номер записи: 2
30-11-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER GATING CIRCUIT AND REPAIRING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180127776A
Автор: KIM, WOONG RAE, KO, BOK RIM, RIM, A RAM
Принадлежит:

A semiconductor device includes a logic circuit, a power gating circuit, and a power gating control system. The logic circuit operates by receiving a first power supply voltage and a second power supply voltage and maintains an output signal at a predetermined logic value during the standby operation of the semiconductor device. The power gating circuit applies the first power supply voltage and the second power supply voltage to a first logic circuit when a gating control signal is in an enabled state. The power gating control system tests whether or not the output signal of the logic circuit maintains the predetermined logic value when the power gating circuit is turned off and generates the gating control signal based on a test result and an operation mode of the semiconductor device. Accordingly, the present invention can reduce manufacturing costs of the semiconductor device. COPYRIGHT KIPO 2019 (111) First logic circuit (112) Second logic circuit (11n) N^th logic circuit (121) First ...

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Номер записи: 3
01-09-2022 дата публикации

반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템

Номер: KR20220121596A
Автор: 김웅래, 홍덕화, 황정태
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 메모리 시스템은, 액티브 커맨드의 입력 횟수가 소정 횟수에 도달하면 노멀 리프레쉬 커맨드 및 타겟 리프레쉬 커맨드를 생성하고, 상기 액티브 커맨드, 상기 노멀 리프레쉬 커맨드, 상기 타겟 리프레쉬 커맨드 및 어드레스를 제공하는 메모리 컨트롤러; 및 다수의 뱅크들을 포함하고, 상기 타겟 리프레쉬 커맨드가 입력되면 상기 뱅크들 중 적어도 하나의 뱅크의 워드 라인을 리프레쉬하는 타겟 리프레쉬 동작을 수행하며, 상기 어드레스를 토대로 상기 각 뱅크별 타겟 리프레쉬 커맨드의 입력 횟수를 소정 주기로 카운팅하여 각 뱅크별 리스크 레벨들을 결정하고, 상기 노멀 리프레쉬 커맨드가 입력되면 상기 리스크 레벨들에 따라 히든 리프레쉬 동작을 수행하여 각 뱅크별 타겟 리프레쉬 주기를 조절하는 메모리 장치를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 4
16-12-2024 дата публикации

버스트동작을 수행하기 위한 전자장치

Номер: KR102743480B1
Автор: 김웅래
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 전자장치는클럭 및 데이터를 출력하고, 라이트동작을 수행하기 위한 칩선택신호 및 커맨드어드레스를 연속으로 출력하는 컨트롤러 및 상기 클럭에 동기 되어 제1 시점에 입력되는 상기 칩선택신호 및 상기 커맨드어드레스에 의해 라이트동작에 진입하고, 제2 시점에 입력되는 상기 칩선택신호 및 상기 커맨드어드레스에 의해 상기 라이트동작 시 제1 버스트동작 및 제2 버스트동작을 선택적으로 수행하여 상기 데이터를 저장하는 반도체장치를 포함한다.

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Номер записи: 5
25-08-2022 дата публикации

메모리 및 메모리의 동작 방법

Номер: KR20220118147A
Автор: 김웅래
Принадлежит:

... 메모리는, 다수의 로우들과 다수의 컬럼들로 배열된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 코어; 및 상기 다수의 로우들 중 활성화된 로우들 각각의 어드레스와 위험도를 저장하기 위한 리프레시 대상 선정 회로를 포함하고, 상기 위험도는 대응하는 로우의 활성화시, 상기 대응하는 로우의 +2 위치의 로우의 활성화시 및 상기 대응하는 로우의 -2 위치의 로우의 활성화시에 증가할 수 있다.

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Номер записи: 6
03-02-2023 дата публикации

컬럼동작을 수행하는 메모리장치

Номер: KR20230016990A
Автор: 김웅래
Принадлежит:

... 메모리장치는 라이트동작을 위한 외부정보를 수신하여 버스트모드신호 및 상기 라이트동작을 위한 라이트커맨드펄스를 생성하는 외부정보입력회로를 포함한다. 메모리장치는 상기 버스트모드신호를 토대로 제1 버스트모드가 수행될 때 상기 라이트커맨드펄스로부터 내부데이터를 셀어레이에 저장하기 위한 라이트제어펄스를 생성하고, 상기 버스트모드신호를 토대로 제2 버스트모드가 수행될 때 상기 라이트커맨드펄스로부터 상기 라이트제어펄스의 생성여부를 제어하는 라이트동작제어회로를 포함한다.

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Номер записи: 7
24-03-2023 дата публикации

반도체 장치

Номер: KR102513454B1
Автор: 김웅래, 이태용
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 영역 어드레스 신호와 모드 구분 신호에 기초하여 복수의 영역 선택 신호를 생성하고, 제1 모드시 상기 복수의 영역 선택 신호 중 적어도 하나의 영역 선택 신호를 활성화하고 제2 모드시 상기 복수의 영역 선택 신호 중 둘 이상의 영역 선택 신호를 활성화하기 위한 영역 선택 회로; 컬럼 어드레스 신호와 상기 모드 구분 신호에 기초하여 복수의 컬럼 선택 신호를 생성하고, 상기 제1 모드시 상기 복수의 컬럼 선택 신호를 변경하고 상기 제2 모드시 상기 복수의 컬럼 선택 신호를 유지하기 위한 컬럼 선택 회로; 및 상기 복수의 영역 선택 신호와 상기 복수의 컬럼 선택 신호에 기초하여 상기 제1 모드시 적어도 하나가 액세스되고 상기 제2 모드시 둘 이상이 액세스되는 복수의 메모리 영역을 포함을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 8
14-03-2023 дата публикации

스마트 리프레쉬 동작을 수행하기 위한 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템

Номер: KR20230035881A
Автор: 고병용, 오윤나, 김웅래
Принадлежит:

... 본 기술은 스마트 리프레시 동작을 수행하기 위한 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템에 관한 것으로서, 노말영역으로 사용되는 제1셀 매트와, 로우해머영역 및 리던던시영역으로 사용되는 제2셀 매트를 포함하는 메모리 뱅크와, 메모리 뱅크에 대한 액티브 동작시 로우해머영역에 대한 내부액세스동작을 수행하여 수신된 어드레스의 로직레벨 조합 별로 카운팅된 횟수를 로우해머영역에 저장하며, 카운팅된 횟수가 설정된 조건에 부합하는 경우 그에 대응하는 어드레스를 타겟어드레스로서 설정하는 타겟어드레스 생성회로와, 타겟어드레스에 대한 스마트리프레쉬동작을 제어하는 리프레쉬 제어회로, 및 노말영역의 비트라인에 불량이 있을 때, 리던던시영역의 비트라인으로 리페어하기 위한 컬럼리페어회로를 포함한다.

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Номер записи: 9
12-11-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPENSATING DEGRADATION AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING SAME

Номер: KR1020180122146A
Автор: KIM, WOONG RAE, KO, BOK RIM, SONG, KEUN SOO
Принадлежит:

The present invention provides a semiconductor device capable of detecting degradation generated in the semiconductor device and changing a voltage level applied to a transistor according to a degradation detection result, and a semiconductor system using the same. The semiconductor device comprises a degradation detection circuit, a voltage generator and a circuit block. The degradation detection circuit detects the degradation generated in the semiconductor device and can generate degradation information. The voltage generator can generate variable bias voltage and variable gate voltage based on the degradation information. The circuit block can include at least one transistor which is operated by receiving the variable bias voltage and the variable gate voltage. COPYRIGHT KIPO 2018 (110) Circuit block (111) Power gating circuit (120) Deterioration detection circuit (130) Voltage generator ...

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Номер записи: 10
07-10-2022 дата публикации

메모리 및 메모리의 동작 방법

Номер: KR20220135750A
Автор: 김웅래
Принадлежит:

... 메모리는, 프로세스 베리에이션 정보를 포함하는 랜덤 시드를 생성하는 랜덤 시드 생성 회로; 상기 랜덤 시드를 이용해 랜덤하게 활성화되는 랜덤 신호를 생성하는 랜덤 신호 생성기; 및 상기 랜덤 신호가 활성화된 동안에 액티브 어드레스를 샘플링하는 어드레스 샘플링 회로를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 11
08-02-2024 дата публикации

반도체장치

Номер: KR102634962B1
Автор: 김웅래
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 반도체장치는 마스크드라이트동작 시 생성되는 리드래치펄스 및 라이트래치펄스에 응답하여 리드뱅크어드레스 및 라이트뱅크어드레스로부터 리드컬럼신호 및 라이트컬럼신호를 생성하는 컬럼제어회로 및 다수의 뱅크를 포함하는 코어회로를 포함하되, 상기 리드컬럼신호 및 상기 라이트컬럼신호에 응답하여 상기 다수의 뱅크 중 하나가 활성화되어 내부리드동작 및 라이트동작을 수행한다.

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Номер записи: 12
10-11-2022 дата публикации

반도체 장치, 그를 포함하는 반도체 시스템 및 그 반도체 시스템의 동작 방법

Номер: KR102465162B1
Автор: 김웅래, 이태용
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 메모리 클럭 신호의 속도 정보를 포함하는 속도 정보 신호에 기초하여 상기 메모리 클럭 신호의 속도 변경 여부를 나타내는 모니터링 신호를 생성하기 위한 모니터링 회로; 시스템 클럭 신호와 상기 메모리 클럭 신호와 상기 모니터링 신호와 리프레쉬 플래그 신호에 기초하여 리프레쉬 주기를 조절하기 위한 리프레쉬 주기 조절신호를 생성하는 주기 조절 회로; 및 상기 속도 정보 신호와 상기 시스템 클럭 신호와 상기 리프레쉬 주기 조절신호에 기초하여 상기 메모리 클럭 신호와 상기 리프레쉬 플래그 신호를 생성하기 위한 제어 회로를 포함한다.

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Номер записи: 13
05-12-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING SAME, AND OPERATION METHOD OF SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер: KR1020180129596A
Автор: KIM WOONG RAE, LEE TAE YONG
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device capable of controlling a refresh cycle according to speed of a clock signal comprises: a monitoring circuit generating a monitoring signal indicating whether a speed of a memory clock signal is changed based on a speed information signal including speed information of the memory clock signal; a cycle control circuit generating a refresh cycle signal for controlling a refresh cycle based on a system clock signal, the memory clock signal, the monitoring signal, and a refresh flag signal; and a control circuit generating the memory clock signal and the refresh flag signal based on the speed information signal, the system clock signal, and the fresh cycle control signal. COPYRIGHT KIPO 2019 (100) Control device (200) Memory device ...

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Номер записи: 14
21-12-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER GATING CIRCUIT

Номер: KR1020180135628A
Автор: KIM, WOONG RAE
Принадлежит:

A semiconductor device may include a logic circuit, and a power gating circuit including a gating transistor applying a power voltage to the logic circuit based on an operation mode of the semiconductor device. The semiconductor device may include a characteristic monitoring circuit and a power gating control circuit. The characteristic monitoring circuit may monitor the characteristics of the logic circuit to generate characteristic information. The power gating control circuit may provide a back bias voltage to the gating transistor of the power gating circuit based on the characteristic information. The power consumption of the semiconductor device may be optimized. COPYRIGHT KIPO 2019 (110) Logic circuit (130) Characteristic monitoring circuit (140) Power gating control circuit ...

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Номер записи: 15
01-04-2024 дата публикации

파워 게이팅 회로 및 그 제어 시스템

Номер: KR102652805B1
Автор: 김웅래, 이유종, 이태용
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 본 기술은 로직 게이트 그룹; 파워 다운 신호 및 전압 선택 신호에 따라 제 1 전원 전압과 제 2 전원 전압 중에서 하나를 상기 로직 게이트 그룹에 제공하거나, 상기 로직 게이트 그룹으로 상기 제 1 전원 전압과 상기 제 2 전원 전압이 공급되는 것을 차단하도록 구성된 제 1 스위칭 회로; 및 파워 다운 신호와 상관없이 상기 전압 선택 신호에 따라 상기 제 1 전원 전압과 상기 제 2 전원 전압 중에서 하나를 상기 로직 게이트 그룹에 제공하도록 구성된 제 2 스위칭 회로를 포함하며, 상기 제 1 전원 전압 및 상기 제 2 전원 전압을 제공하기 위한 복수의 파워 레일에 상기 제 1 스위칭 회로 및상기 제 2 스위칭 회로가 병렬 연결될 수 있다.

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Номер записи: 16
18-12-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер: KR1020180134120A
Автор: KIM, WOONG RAE, LEE, SANG KWON
Принадлежит:

A semiconductor system capable of reducing defective data comprises: a first semiconductor device outputting a test command, a test address, test input data, and an error correction control signal, classifying a defective group of test output data, and generating a defective row address and a defective column address including positional information of the defective group; and a second semiconductor device performing an error correction operation of internal data selected according to the test address in response to a test enable signal and the error correction control signal to output the test output data and replacing a memory region stored in the defective group of the test output data into a redundancy region according to a row address and a column address generated from the defective row address and the defective column address. COPYRIGHT KIPO 2019 (1) First semiconductor device (2) Second semiconductor device (3) Third semiconductor device ...

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Номер записи: 17
08-10-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020180109215A
Автор: KIM, WOONG RAE, LEE, SANG KWON
Принадлежит:

A semiconductor device includes a buffer control circuit for generating a buffer control signal in response to a power down mode signal and a sense pulse; a first buffer circuit for generating a first internal chip selection signal by buffering a chip selection signal according to a selection signal generated in response to the buffer control signal in a power down mode; and a sense pulse generating circuit for generating the sense pulse in response to the first internal chip selection signal. Accordingly, the present invention can reduce a layout area and current consumption. COPYRIGHT KIPO 2018 (1) First buffer circuit (2) Second buffer circuit (3) Command address buffer circuit (4) Sense pulse generating circuit (5) Command decoder (6) Buffer control circuit (7) Delay circuit ...

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Номер записи: 18
18-03-2025 дата публикации

SYSTEM FOR PERFORMING READ MODIFY WRITE OPERATION

Номер: KR102783028B1
Автор: 김웅래
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

A semiconductor memory device includes a read/write control circuit and an error correction circuit. The read/write control circuit generates an internal write signal after generating an internal read signal from one of a plurality of shifted signals which are generated by shifting a read-modify-write command according to a frequency of a clock signal. The error correction circuit corrects an error included in internal data by performing a logical operation of read data generated by the internal read signal and the internal data to generate write data. The internal read signal is enabled by a write set signal during the read-modify-write operation.

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Номер записи: 19
10-03-2025 дата публикации

반도체장치

Номер: KR102777474B1
Автор: 최근호, 김경묵, 김웅래
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 반도체장치는 초기화동작에 진입하여 리드신호를 지연하여 래치제어신호를 생성하고, 피드백신호를 입력 받아 상기 리드신호를 지연하기 위한 지연량을 조절하는 가변지연회로 및 상기 래치제어신호가 입력되는 시점에 전달어드레스의 로직레벨을 감지하여 상기 피드백신호를 생성하는 어드레스래치회로를 포함한다.

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Номер записи: 20
27-04-2023 дата публикации

스마트 리프레쉬 동작을 수행하기 위한 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템

Номер: KR20230056339A
Автор: 고병용, 김웅래, 정회주, 김생환, 오윤나, 정철문
Принадлежит:

... 본 기술은 스마트 리프레쉬 동작을 수행하기 위한 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템에 관한 것으로서, 노말영역과 로우해머영역으로 분할된 다수의 메모리 블록을 포함하는 메모리 뱅크와, 액티브 커맨드에 응답하여 노말영역에 대한 액세스 동작을 수행하는 커맨드 제어회로와, 프리차지 커맨드에 응답하여 내부 액티브 커맨드를 생성하는 내부 커맨드 생성회로와, 내부 액티브 커맨드에 응답하여 로우해머영역에 대한 액세스 동작을 수행하여 수신된 어드레스의 로직레벨 조합 별로 카운팅된 횟수를 로우해머영역에 저장하며, 카운팅된 횟수가 설정된 조건에 부합하는 경우 그에 대응하는 어드레스를 타겟어드레스로서 설정하는 타겟어드레스 생성회로, 및 타겟어드레스에 대한 스마트 리프레쉬 동작을 제어하는 리프레쉬 제어회로를 포함한다.

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Номер записи: 21
04-01-2019 дата публикации

오류 관리 시스템 및 이를 포함하는 데이터 처리 시스템

Номер: KR1020190001099A
Автор: 김웅래
Принадлежит:

... 본 기술은 복수의 관리 블록 각각의 오류 정정 발생을 카운팅하여 오류 정정 카운팅 값을 생성하고, 상기 오류 정정 카운팅 값과 적어도 하나의 기준 값을 비교하여 상기 복수의 관리 블록 각각에서 발생된 오류가 영구 오류인지 아니면 일시 오류 인지를 정의하기 위한 영구 오류 블록 정보를 생성하도록 구성된 오류 분석부; 및 상기 복수의 관리 블록 중에서 어드레스 신호에 따라 선택된 관리 블록이 상기 영구 오류 블록 정보에 이미 지정되어 있으면 상기 어드레스 신호를 새로운 어드레스 신호로 대체하는 블록 제어부를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 22
23-03-2023 дата публикации

반도체 장치와 그를 포함하는 반도체 시스템

Номер: KR102512897B1
Автор: 김웅래, 이태용
Принадлежит: 에스케이하이닉스 주식회사

... 본 발명은 제1 커맨드 신호에 기초하여 홀딩 제어 신호와 옵션 설정 정보 신호를 생성하기 위한 홀딩 제어 회로; 상기 홀딩 제어 신호와 상기 옵션 설정 정보 신호에 기초하여 홀딩된 옵션 설정 정보 신호를 생성하기 위한 홀딩 회로; 제2 커맨드 신호에 기초하여 동작 모드 신호를 생성하기 위한 동작 제어 회로; 상기 동작 모드 신호와 상기 홀딩된 옵션 설정 정보 신호에 기초하여 설정 제어 신호를 생성하기 위한 설정 제어 회로; 및 상기 설정 제어 신호와 상기 동작 모드 신호에 기초하여 예정된 설정 조건하에서 예정된 동작을 수행하기 위한 내부 회로를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 23