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31-12-2018 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND FABRICATION METHOD OF METAL PATTERN AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING SAME

Номер: KR1020180138272A
Автор: CHOUNG, JONG HYUN, PARK, HONG SICK, YANG, HEE SUNG, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, LEE, BYOUNG WOONG, LEE, SANG HYUK, LEE, DAE WOO
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an etchant composition comprises persulfate, a fluoride, a 4-nitrogen-based ring type compound, a 1-nitrogen-based ring type compound, a 3-nitrogen-based ring type compound having a sulfur atom, and water. The etchant composition forms a metal pattern by etching a metal film having copper and titanium, and can be used for manufacturing a thin film transistor substrate. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 1
07-07-2016 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING METAL WIRES USING SAME

Номер: KR1020160080068A
Автор: CHOUNG, JONG HYUN, PARK, HONG SICK, MOON, YOUNG MIN, YANG, HEE SUNG, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, SEO, WON GUK, KIM, JAE MYEONG
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an etchant composition comprises: 10-20 wt% of persulfate; 0.1-10 wt% of phosphoric acid (H_3PO_4) or phosphorous acid (H_3PO_3); 0.1-2 wt% of a nitrogen-based cyclic compound; 0.1-5 wt% of a sulfonic acid compound; 0.1-2 wt% of an anticorrosive for copper; 0.1-2 wt% of a fluorine compound; and the remaining of water which makes the total weight of the composition equal to 100 wt%. The etchant composition has an excellent taper angle, and can maintain the original characteristics even when dissolved copper ions are accumulated. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Example 1 (BB) Example 2 (CC) Example 3 (DD) Example 4 (EE) Example 5 ...

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Номер записи: 2
14-05-2018 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND FORMATION METHOD OF WIRE PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020180049844A
Автор: YANG, HEE SUNG, PARK, HONG SICK, CHOUNG, JONG HYUN, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, LEE, BYOUNG WOONG, LEE, SANG HYUK
Принадлежит:

An embodiment of the present invention provides an etchant composition containing 50 to 70 wt% phosphoric acid, 0.5 to 5 wt% nitric acid, 0.1 to 1 wt% a chlorine compound, 0.5 to 5 wt% a sulfonic acid compound, and 20 to 40 wt% water with respect to the total weight of the composition. The etchant composition of the present invention can be used for etching a multilayer including a first conductive film containing metal and a second conductive film containing transparent conductive oxide. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 3
28-06-2018 дата публикации

ETCHANGT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR PANEL USING SAME

Номер: KR1020180071451A
Автор: KIM, BONG KYUN, JEONG, JAE WOO, PARK, HONG SICK, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, LEE, SANG HYUK
Принадлежит:

The present invention provides an etchant composition having a high etch selectivity to copper and a method of manufacturing a thin film transistor panel using the same, so that a pixel electrode and a gate line can be simultaneously formed. An etchant composition according to one embodiment comprises: 8-20 wt% of persulfate; 0.1-10 wt% of phosphoric acid or phosphorous acid; 0.1-5 wt% of phosphate compound; 0.1-6 wt% of 1-nitrogen based cyclic compound; 0.1-5 wt% of sulfonic acid compound; 0.1-2 wt% of azole-based compound; and the remaining part of water. The content ratio of the azole-based compound and the 1-nitrogen-based cyclic compound is 1:1 to 1:2. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Example 1 (BB) Example 2 (CC) Example 3 (DD) Example 4 ...

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Номер записи: 4
02-04-2015 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING METAL WIRE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING SAME

Номер: WO2015046794A1
Автор: KIM, In-Bae, CHOUNG, Jong-Hyun, MOON, Youngmin, PARK, Hongsick, KIM, Gyu-po, SEO, Won-guk, SHIN, Hyun-cheol, LEE, Ki-beom, CHO, Sam-young, HAN, Seung-yeon
Принадлежит:

An etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises: based on the total weight of the etchant composition, 0.5 wt% to 20 wt% of persulfate, 0.01 wt% to 1 wt% of a fluorine compound, 1 wt% to about 10 wt% of an inorganic acid, 0.01 wt% to 2 wt% of an azole-based compound, 0.1 wt% to 5 wt% of a chlorine compound, 0.05 wt% to 3 wt% of copper salt, 0.01 wt% to 5 wt% of a sulfating agent or a salt of the sulfating agent, and water of which the weight is such that the total weight of the entire composition reaches 100 wt%. The etchant composition can be used to form a metal wire or manufacture a thin film transistor substrate by etching a metal film containing copper.

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Номер записи: 5
25-08-2022 дата публикации

식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 박막 트랜지스터 기판 제조 방법

Номер: KR102435551B1
Автор: 정종현, 박홍식, 양희성, 김규포, 신현철, 이병웅, 이상혁, 이대우
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 과황산염, 불화물(flouride), 4질소계 고리형 화합물, 1질소계 고리형 화합물, 황(S) 원자를 포함하는 3질소계 고리형 화합물, 및 물을 포함한다. 식각액 조성물은 구리 및 티타늄을 포함하는 금속막을 식각하여 금속 패턴을 형성하거나, 박막 트랜지스터 기판 제조에 사용될 수 있다.

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Номер записи: 6
13-02-2018 дата публикации

ETCHING COMPOSITION, METHOD OF FORMING METAL PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY SUBSTRATE

Номер: KR1020180015688A
Автор: PARK HONG SICK, KIM BONG KYUN, LEE WANG WOO, KIM GYU PO, SEO WON GUK, LEE KI BEOM, CHO SAM YOUNG
Принадлежит:

Provided are an etching composition, a method of forming a metal pattern, and a method of manufacturing a display substrate. The etching composition for a copper-containing metal layer comprises: 0.1-30 wt% of ammonium persulfate; 0.1-10 wt% of a sulfate; 0.01-5 wt% of acetate; and 55-99.79 wt% of water. Therefore, the etching composition has improved stability during storage and increased processing capacity for a substrate. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 7
21-12-2017 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR DISPLAY PLATE USING SAME

Номер: KR1020170140463A
Автор: KIM, JIN SEOCK, KIM, BONG KYUN, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, LEE, SANG HYUK
Принадлежит:

The present invention provides an etchant composition capable of simultaneously etching a metal film and an amorphous silicon film, and a manufacturing method of a thin film transistor display plate using the same. According to an embodiment of the present invention, the etchant composition comprises: 0.1 to 5 wt% of sulfonic acid compounds; 0.1 to 3 wt% of fluorine compounds; 0.1 to 5 wt% of copper compounds; and residual water. The etchant composition has a pKa value of 3 or less. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 8
29-09-2016 дата публикации

식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법

Номер: KR0101661072B1
Автор: 정종현, 박홍식, 문영민, 양희성, 김규포, 신현철, 서원국, 김재명
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물은 과황산염 10 내지 20 중량%, 인산(H3PO4) 또는 아인산(H3PO3) 0.1 내지 10 중량%. 질소계 고리형 화합물 0.1 내지 2 중량%. 술폰산 화합물 0.1 내지 5 중량%, 구리 부식 방지제 0.1 내지 2 중량%, 불소 화합물 0.1 내지 2 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 잔량의 물을 포함한다.

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Номер записи: 9
03-01-2019 дата публикации

금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

Номер: KR0101934863B1
Автор: 신현철, 김규포, 서원국, 한승연, 조삼영, 이기범
Принадлежит: 주식회사 동진쎄미켐

... 금속막 및 인듐산화막의 이중막을 실질적으로 동일한 속도로 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다. 상기 식각액 조성물은, 23 내지 40 중량%의 과산화수소; 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물; 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물; 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물; 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물; 및 나머지 물을 포함한다.

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Номер записи: 10
19-03-2025 дата публикации

ETCHING SOLUTION COMPOSITION

Номер: KR20250037968A
Автор: 김성민, 김규포, 황준영, 서가현, 신현철
Принадлежит:

... 금속배선막의 상부막에 상침 및 팁이 존재하지 않게 하는 식각액 조성물이 제공된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 무기산; 유기산; 술폰산 화합물; 고리형 화합물; 당류 알코올; 및 플루오르계 화합물; 을 포함하는, 식각액 조성물을 제공한다.

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Номер записи: 11
28-11-2018 дата публикации

금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법

Номер: KR0101922625B1
Автор: 정종현, 김인배, 김선일, 박홍식, 정재우, 김규포, 서원국, 신현철, 이기범, 조삼영, 한승연
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 금속 배선 식각액을 제공한다. 본 발명의 한 실시예에 따른 금속 배선 식각액은 과황산염, 술폰산염, 불소 화합물, 아졸계 화합물, 유기산, 질산염, 염소 화합물을 포함한다.

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Номер записи: 12
27-02-2023 дата публикации

식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법

Номер: KR102503788B1
Автор: 박종희, 김진석, 이봉원, 김기태, 김규포, 신현철, 이대우, 이병웅, 이상혁
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 본 발명은 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는, 조성물 총중량에 대하여, 8.5 중량% 내지 10 중량%의 무기산 화합물, 1 중량% 내지 10 중량%의 황산수소염 화합물, 40 중량% 내지 60 중량%의 유기산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 1 중량% 내지 5 중량%의 킬레이트 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 개시한다.

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Номер записи: 13
22-08-2018 дата публикации

ETCHANT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING METAL WIRING USING SAME

Номер: KR1020180093806A
Автор: LEE, SANG HYUK, SHIN, HYUN CHEOL, KIM, GYU PO, LEE, BYOUNG WOONG
Принадлежит:

The present invention relates to an etchant composition and a method for forming metal wiring using the same. More specifically, the present invention relates to the etchant composition used for forming metal wiring by etching a metal film in a predetermined pattern in a process of manufacturing a metal interconnection. The etchant composition comprises: persulfate; fluorine-containing compounds; 4-nitrogen ring compounds; 2-chlorine compounds; water; and the etchant composition having a content ratio of 4-nitrogen ring compound and 2-chlorine compound of 1: 1.4 to 1: 2. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Example 1 (BB) Example 2 (CC) Example 3 (DD) Example 4 (EE) Example 5 (FF) Example 6 (GG) Example 7 ...

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Номер записи: 14
08-05-2024 дата публикации

식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Номер: KR102663554B1
Автор: 김진석, 김봉균, 김규포, 신현철, 이상혁
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 술폰산계 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%, 불소 화합물 0.1 중량% 내지 3 중량%, 구리 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 및 잔량의 물을 포함하며, pKa 값이 3 이하이다.

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Номер записи: 15
10-07-2018 дата публикации

ETCHANT COMPOUND AND METHOD FOR MANUFACTURING METAL WIRE BY USING SAME

Номер: KR1020180078389A
Автор: BAE, JOON WOO, PARK, HONG SICK, KIM, GYU PO, SHIN, HYUN CHEOL, LEE, SANG HYUK
Принадлежит:

According to one embodiment of the present invention, provided is an etchant compound, which comprises: 8-20 wt% of persulfate-based compound; 0.1-5 wt% of 1-nitrogen-based ring-type compound, 0.05-1 wt% of 3-nitrogen-based ring-type compound, and at least one nitrogen-based ring-type compound selected among a mixture of the 1-nitrogen-based ring-type compound and the 3-nitrogen-based ring-type compound; 0.1-1 wt% of fluorine-based compound; 0.1-1 wt% of copper corrosion-proof compound; and the remainder consisting of water. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 16
16-01-2023 дата публикации

식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 어레이 기판의 제조 방법

Номер: KR102487940B1
Автор: 김봉균, 김진석, 심승보, 최신혁, 심운형, 이동희, 김규포, 신현철, 이대우, 이상혁
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐

... 일 실시예의 식각액 조성물은 과황산염, 4질소 고리 화합물, 2개 이상의 카보닐기를 갖는 카보닐 고리 화합물, 및 물을 포함하고, 4질소 소리 화합물과 카보닐 고리 화합물의 중량비를 1:0.1이상 1:2 이하로 하여 티타늄/구리의 다중막을 식각할 수 있으며, 양호한 식각 패턴의 특성을 갖는 금속 패턴 및 어레이 기판을 제조하는데 사용될 수 있다.

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Номер записи: 17