Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
18-11-2024 дата публикации

Система для автоматизированного проведения испытаний полупроводниковых приборов

Номер: RU2830387C1
Автор: Шестерикова Дарья Александровна (RU), Шестериков Александр Евгеньевич (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)

Изобретение относится к области техники сверхвысоких частот и предназначено для проведения испытаний с целью подтверждения заявленных характеристик цифровых полупроводниковых приборов в граничных режимах работы. В заявляемой системе блок подачи питания входом подключен к выходу блока управления, представляющего собой микроконтроллер, который подключен к ЭВМ, а выходом – ко входу блока коммутации логических уровней. Выход блока управления подключен к блокам измерений напряжений и токов, соответственно. Блок подачи питания выходами подключен ко входам блока коммутации логических уровней, подключаемого выходами к испытываемому прибору и к блоку измерения токов, выходом подключенного к амперметру. Блок подачи питания выходами также подключен ко входам блока измерения напряжений, выход которого подключен к вольтметру. Ко входу ЭВМ подключены выходами ВАЦ, вольтметр и амперметр. Техническим результатом при реализации заявленного решения является расширение области применения. 3 ил.

Подробнее
Номер записи: 1
05-05-2025 дата публикации

Способ изготовления T-образного затвора полевого транзистора

Номер: RU2839552C1
Автор: Шестерикова Дарья Александровна (RU), Шестериков Александр Евгеньевич (RU), Ерофеев Евгений Викторович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)

Изобретение относится к области изготовления микроэлектроники и полупроводниковых устройств. Способ изготовления T-образного затвора полевого транзистора включает осаждение первого диэлектрического слоя на полупроводниковую подложку, формирование фоторезистивной маски для травления окна в первом диэлектрическом слое, анизотропное плазмохимическое травление первого диэлектрического слоя для создания в нем окна, конформное осаждение второго диэлектрического слоя на первом диэлектрическом слое, анизотропное плазмохимическое травление второго диэлектрического слоя, формирование металлизации T-образного затвора. В способе согласно изобретению выполняют циклическое повторение операций осаждения и травления второго диэлектрического слоя, при этом первый и второй диэлектрические слои выполняют тонкими, а состав второго диэлектрического слоя идентичен по составу первому диэлектрическому слою. Технический результат изобретения заключается в повышении разрешающей способности технологического процесса ...

Подробнее
Номер записи: 2