Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 5. Отображено 5.
19-05-2025 дата публикации

КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД ШОТТКИ

Номер: RU234059U1
Автор: Герасимов Игорь Владимирович (RU), Мироненко Евгений Викторович (RU), Брюхно Николай Александрович (RU), Кильчицкая Мария Владимировна (RU), Хотемской Павел Владимирович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно к конструкции создания полупроводниковых диодов с контактом Шоттки, и может быть использована для создания интегрированных с p-n-переходами диодов Шоттки (JBS - Junction Barrier Schottky). Кремниевый диод Шоттки состоит из эпитаксиальной структуры n-типа проводимости на подложке n+-типа проводимости, охранного кольца р-типа и участков с р-n-переходами в контакте Шоттки, р-n-переходы в контакте Шоттки выполняются в виде участков размером 1,5x ≤ а ≤ 3х, расположенных рядами, а внутри ряда шаг С между участками p-n-переходов выбирают из неравенства расстояние между соседними рядами В=0,86С, причем в последующем ряду участки р-n-переходов расположены в местах напротив середин между участками р-n-перехода предыдущего ряда, где а - размер участка р-n-перехода; х - разрешающая способность фотолитографии; w - ширина обедненного слоя в эпитаксиальный слой при максимальном рабочем напряжении; С - шаг расположения р-n-перехода ...

Подробнее
Номер записи: 1
12-10-2022 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Номер: RU214114U1
Автор: Брюхно Николай Александрович (RU), Кильчицкая Мария Владимировна (RU), Куфтов Иван Владимирович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Областью применения предлагаемой полезной модели является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предлагаемой полезной модели является уменьшение издержек за счет увеличения производительности труда при осаждении поликремния при пониженном давлении. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных, предлагаемая кремниевая структура с диэлектрической изоляцией, состоящая из соединенных плоскопараллельных кремниевых окисленных рабочей пластины и подложки, разделительных «тренч»-канавок для формирования карманов в виде многоугольников, сформированных из прямоугольников, вытравленных анизотропным реактивным травлением, слоем оксида кремния, слоем поликремния, заполняющим объем разделительных «тренч»-канавок, осажденном при пониженном давлении, углы прямоугольников, образующих многоугольники, скруглены с внутренним радиусом 2D≤R1≤4D, где D - ширина разделительной ...

Подробнее
Номер записи: 2
10-11-2023 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Номер: RU221539U1
Автор: Брюхно Николай Александрович (RU), Кильчицкая Мария Владимировна (RU), Куфтов Иван Владимирович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Областью применения полезной модели является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом полезной модели является уменьшение паразитных емкостных связей между элементами ИС, а также уменьшение влияния элементов ИС друг на друга и упрощение конструкции КСДИ. Указанный технический результат достигается тем, что, в отличие от известных, предполагаемая кремниевая структура с диэлектрической изоляцией состоит из соединенных плоскопараллельных окисленной рабочей пластины со скрытым слоем и подложки, окисленных разделительных вертикальных канавок, вытравленных анизотропным реактивным травлением для формирования изолированных карманов и экранирующего электрода, при этом каждый карман имеет собственную разделительную канавку шириной d, заполненную оксидом кремния, а полученная матрица монокристаллического кремния между изолированными карманами используется в качестве экранирующего электрода, ...

Подробнее
Номер записи: 3
22-05-2023 дата публикации

СЕМЕЙСТВО ИНДИКАТОРНЫХ МЕТОК ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В ИЗОЛИРОВАННЫХ КАРМАНАХ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Номер: RU218310U1
Автор: Кильчицкая Мария Владимировна (RU), Атаманенко Юлия Владимировна (RU), Нароленко Евгений Юрьевич (RU), Брюхно Николай Александрович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Областью применения предполагаемой полезной модели является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией, а именно контроль толщины монокристаллического кремния в изолированных карманах в процессе механической обработки (полировки) рабочих пластин монокристаллического кремния до дна вертикальных разделительных канавок. Техническим результатом предполагаемой полезной модели является повышение точности определения толщины монокристаллического кремния в изолированных карманах. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных семейств индикаторных меток для контроля толщины монокристаллического кремния в изолированных карманах интегральных микросхем с диэлектрической изоляцией, состоящих из углублений различной ширины и соответственно глубиной от наименьшей до наибольшей допустимых толщин монокристаллического кремния, вытравленных в кремнии путем анизотропного травления в газовой фазе при пониженном ...

Подробнее
Номер записи: 4
29-02-2024 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Номер: RU223705U1
Автор: Мироненко Евгений Викторович (RU), Брюхно Николай Александрович (RU), Кильчицкая Мария Владимировна (RU), Данцев Олег Олегович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Областью применения полезной модели является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предполагаемой полезной модели является улучшение качества кремниевых структур с диэлектрической изоляцией за счет предотвращения образования дислокаций. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных кремниевых структур с диэлектрической изоляцией для производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в предполагаемой структуре, рабочая поверхность которой состоит из монокристаллического кремния ориентации (100), в которой вытравлены разделительные канавки, сформирован сильнолегированный слой путем диффузии фосфора в поверхность с рельефом с последующим его окислением и нанесенным на него толстым слоем поликремния, при этом монокристаллический кремний находится на дне канавок, на рельефе сформирован дополнительный скрытый слой, легированный сурьмой, причем ...

Подробнее
Номер записи: 5