Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
21-02-2023 дата публикации

표준 셀을 포함하는 집적 회로 및 이를 설계하기 위한 방법

Номер: KR20230025244A
Автор: 도정호, 유지수, 유현규, 정민재, 표유진
Принадлежит:

... 본 개시의 예시적 실시예에 따른 집적 회로는, 제1 방향으로 서로 인접하게 배치되는 제1 및 제2 표준 셀을 포함하는 복수의 표준 셀들, 및 수직 방향으로 차례로 적층되는 제1 내지 제3 메탈 레이어를 포함하고, 제1 표준 셀 및 제2 표준 셀 중 적어도 하나의 표준 셀이 배치되는 영역 내부에, 복수의 표준 셀들에 전력을 제공하고, 제2 방향으로 연장되는 제3 메탈 레이어의 패턴으로서 형성되는 적어도 하나의 파워 세그먼트(power segment)가 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 1
29-07-2015 дата публикации

METHOD FOR SELECTIVELY GROWING SOURCE AND DRAIN REGIONS OF FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер: KR1020150087004A
Автор: KIM, JIN BUM, JEONG, SEONG HOON, LEE, JEON IL, KIM, SEOK HOON, LEE, KWAN HEUM, LEE, CHO EUN, PYO, YU JIN
Принадлежит:

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device. The method includes the steps of: forming an active pattern by patterning a substrate; forming a gate pattern which crosses the active pattern; forming a gate spacer on the sidewall of the gate pattern; forming a growth suppressing layer to cover the upper region of the gate pattern; and then forming source and drain electrodes on both sides of the gate pattern. The step of forming the growth suppressing layer includes a plasma oxidation process to thicken the growth suppressing layer on the gate pattern in comparison with the active pattern. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

Подробнее
Номер записи: 2