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09-05-2024 дата публикации

이미지 센서의 제조 방법

Номер: KR102663165B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은, 반도체 기판에 깊은 트렌치를 형성하는 단계; 제 1 플라즈마 도핑 공정을 진행하여 상기 깊은 트렌치의 내측벽들과 바닥면에 인접한 상기 반도체 기판 내에 제 1 도전형의 제 1 불순물들이 도핑된 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계; 및 열처리 공정을 진행하여 상기 제 1 불순물들을 상기 반도체 기판 내로 확산시켜 광전 변환부를 형성하는 단계를 포함한다.

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16-01-2024 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR102625567B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치의 제조 방법에서, 기판 상에 형성된 제1 트렌치 내벽에 도전 물질을 포함하는 비아를 형성한다. 상기 비아를 커버하면서 상기 제1 트렌치를 부분적으로 채우며, 편평하지 않는 상면을 갖는 제1 층간 절연막을 상기 기판 상에 형성한다. 상기 제1 층간 절연막 상에 연마 저지막을 형성한다. 상기 연마 저지막 상에 상기 제1 트렌치의 나머지 부분을 채우는 제2 층간 절연막을 형성한다. 상기 연마 저지막이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막을 평탄화한다. 상기 제1 트렌치 내부에 형성된 상기 연마 저지막 부분을 제외한 나머지 상기 연마 저지막 부분들이 제거될 때까지, 건식 식각 공정을 통해 상기 연마 저지막 및 상기 제1 및 제2 층간 절연막들을 식각한다.

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01-08-2022 дата публикации

이미지 센싱 소자

Номер: KR102427639B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센싱 소자를 제공한다. 이 이미지 센싱 소자는 반도체 기판 내에 배치되는 광전 소자; 및 상기 반도체 기판 내에 배치되며 상기 광전 소자를 둘러싸는 분리 구조물 및 전극 구조물들을 포함한다. 상기 분리 구조물은 제1 도전성 패턴 및 상기 제1 도전성 패턴과 상기 반도체 기판 사이의 제1 절연성 스페이서를 포함하고, 상기 전극 구조물은 제2 도전성 패턴 및 상기 제2 도전성 패턴과 상기 반도체 기판 사이의 제2 절연성 스페이서를 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전성 패턴들은 서로 동일한 도전성 물질로 형성된다.

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09-02-2023 дата публикации

이미지 센서

Номер: KR102498503B1
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 내부에 광전 변환 소자가 배치되는 기판, 상기 기판의 제1 면을 관통하고, 제1 상면이 상기 기판의 상기 제1 면 상에 노출되고, 제2 상면이 상기 기판의 상기 제1 면으로부터 멀어지도록 연장되는 제1 비아, 상기 기판의 상기 제1 면 상에 순차적으로 적층되는 제1 내지 제3 절연막, 및 상기 제1 내지 제3 절연막을 관통하여 상기 제1 비아의 상기 제2 상면으로 연장되고, 상기 제1 비아의 내부에 배치되는 제1 부분, 상기 제1 절연막에 배치되는 제2 부분, 상기 제2 절연막에 배치되는 제3 부분 및 상기 제3 절연막에 배치되는 제4 부분을 포함하는 컨택을 포함한다.

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