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08-09-2022 дата публикации

이중 오링 구조 고압 챔버 가스 누출 감지시스템

Номер: KR102441993B1
Автор: 임근영
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은 이중 오링 구조 고압 챔버 가스 누출 감지시스템에 관한 것이다. 이러한 이중 오링 구조 고압 챔버 가스 누출 감지시스템은 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지되는 내부챔버모듈과, 외측에 형성된 제1홈과 제2홈을 포함한 이중홈 그리고 제1홈과 제2홈 사이에 형성되어 내부에 비활성 가스가 채워질 수 있는 가스충진홀을 포함하고, 내부공간에 제2가스가 채워지면 제1압력보다 큰 제2압력으로 유지되는 외부챔버모듈을 포함하는 이중챔버부, 제1홈에 삽입되는 제1오링과 제1홈과 일방향으로 이격 설치된 제2홈에 삽입되는 제2오링을 포함하는 이중오링부, 외부챔버모듈과 착탈 가능하게 연결되며 외부챔버모듈과 연결될 시, 일면이 이중오링부의 일부와 접하는 하우징부 및 가스충진홀의 압력 변화를 감지하는 모니터링부를 포함한다.

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Номер записи: 1
06-03-2025 дата публикации

반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR102776045B1
Автор: 김태중
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 복수의 절연층 및 복수의 희생층을 적층하는 단계, 상기 복수의 절연층 및 상기 복수의 희생층을 관통하는 개구를 형성하는 단계, 상기 희생층을 제거하여 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치 내부에 배리어층을 적층하는 단계, 상기 배리어층 상에 제1 전극층을 적층하는 단계, 상기 제1 전극층 상에 유전체층을 적층하는 단계, 상기 유전체층에 대한 열처리를 수행하는 단계, 상기 유전체층 상에 제2 전극층을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 2
01-11-2018 дата публикации

3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법

Номер: KR0101914038B1
Автор: 황현상
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단

... 고압 초임계 기반 산화물 조성비 최적화 기술을 적용하여 종횡비가 매우 큰 3차원 플래시 메모리 소자의 유전체 필러(Dielectric filler)를 초임계 증착 또는 고압 치밀화(Densification) 공정으로 형성하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 유전체를 충진하는 유전체 필러(Dielectric filler)를 저온 고압 열처리로 충진하여, 3차원 플래시 메모리 소자의 특성과 신뢰성을 개선할 수 있다.

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Номер записи: 3
05-03-2025 дата публикации

고압 기상산화수소 제공 디바이스, 그리고 그를 이용하는 고압 기판 처리 장치 및 방법

Номер: KR102774549B1
Автор: 이시형, 임근영, 민빈홍, 윤혜성
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은, 수소 가스와 산소 가스를 반응시키는 단계; 제1 압력을 갖는 생성 산화수소를 얻는 단계; 상기 생성 산화수소를 상기 제1 압력 및 대기압보다 높은 제2 압력을 갖는 처리 기상산화수소로 변환시키는 단계; 및 상기 제1 압력 및 상기 대기압보다 높은 상기 제2 압력을 갖는 상기 처리 기상산화수소를 처리실에서 피처리 기판에 대해 작용하게 하는 단계를 포함하는, 고압 기상산화수소 제공 디바이스, 그리고 그를 이용하는 고압 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.

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Номер записи: 4
19-09-2022 дата публикации

냉각 효율을 향상시키는 고압챔버

Номер: KR102444786B1
Автор: 임근영
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은 공정 처리를 냉각 효율을 높이기는 반도체 기판 처리용 챔버이다. 이러한 냉각 효율을 향상시키는 고압챔버는 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지하는 내부챔버, 중공형 형상으로 형성되며 내부 벽면에 삽입된 히터모듈을 포함하고, 내부의 수용공간에 내부챔버를 수용하며 제2가스로 채워지며 제2가스를 제1압력의 이상의 압력으로 유지하는 외부챔버, 적어도 하나의 배출홀이 형성되어 외부챔버의 상단에 개폐 가능하게 설치된 외부챔버도어, 외부챔버도어의 상측면에 설치되며, 피스톤로드의 일단에 배출홀을 덮는 커버모듈을 포함하여 작동에 따라 배출홀을 개폐하는 전기모터 실린더부, 외부챔버의 상단에 설치되는 하우징부 및 내부에 유체가 흐르며 외부챔버도어와 이격되어 하우징부의 내주면 고정되는 수냉커버부를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 5
01-11-2018 дата публикации

반도체 열처리방법

Номер: KR0101914039B1
Автор: 황현상
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단

... 확산제어막이 배치되어 설정된 영역에서만 계면의 트랩전하가 패시베이션될 수 있는 반도체 열처리방법이 개시된다. 본 명세서에서는 종래의 열처리공정을 통하여 반도체 소자의 모든 영역에서 동일한 조건에서 수소 또는 중수소 열처리가 수행되는 문제점을 해결하기 위하여 수소 또는 중수소가 투과되지 못하는 확산제어막을 배치하여 반도체 소자의 각각의 영역에서 차등적인 수소 또는 중수소 열처리가 수행되도록 하여 반도체 소자에 최적화된 열처리가 수행될 수 있도록 한다.

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Номер записи: 6
31-01-2024 дата публикации

고압 열처리 장치

Номер: KR102631554B1
Автор: 임근영, 윤혜성
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은, 열처리를 위한 대상물을 수용하도록 형성되는 내부 챔버; 상기 내부 챔버를 감싸도록 배치되는 외부 챔버; 상기 내부 챔버 내에 상기 대상물의 열처리를 위한 공정 가스를 대기압보다 높은 제1 압력으로 공급하고, 상기 외부 챔버와 상기 내부 챔버 사이의 공간에는 보호 가스를 상기 제1 압력과 관련해 설정된 제2 압력으로 공급하도록 구성되는 급기 모듈; 상기 내부 챔버에 연통되는 배기관을 구비하여, 상기 공정 가스 및 상기 열처리에 따른 부산물을 포함하는 혼합 가스를 배기하도록 구성되는 배기 모듈; 및 상기 배기관에 연통된 채로 상기 외부 챔버 내에 배치되어, 상기 혼합 가스 중 상기 부산물을 포집하도록 구성되는 포집 모듈을 포함하는, 고압 열처리 장치를 제공한다.

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Номер записи: 7
07-10-2022 дата публикации

고압 및 진공공정 병행 챔버장치

Номер: KR102452714B1
Автор: 신철희
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은 고압 및 진공공정 병행 챔버장치에 관한 것이다. 챔버장치는 공정챔버, 일단부가 공정챔버에 연결된 압력조절관과, 압력조절관의 타단부에서 압력조절관을 통해 공정챔버로 공정가스를 주입하여, 공정챔버 내부를 대기압보다 높게 형성하는 적어도 하나의 가스공급부가 포함된 고압공정모듈, 압력조절관에서 분지된 분지관, 분지관에 연결되어 압력조절관과 연통되며, 압력조절관을 통해 공정챔버 내 유체를 공정가스 주입방향과 역방향으로 흡입하여, 공정챔버 내부를 대기압보다 낮게 조절하는 적어도 하나의 유체흡입기를 포함하는 음압공정모듈, 및 유체흡입기 전단의 분지관을 개폐하여 공정가스 주입시 고압공정모듈로부터, 유체흡입기를 격리시키는 아이솔레이션 밸브를 포함한다.

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Номер записи: 8
25-09-2017 дата публикации

저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101781002B1
Автор: 황현상, 송정환
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단

... 저항 변화 메모리 소자의 내구성과 유지성의 특성을 동시에 개선하는 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 마련된 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 마련된 스위칭층, 상기 스위칭층 상에 마련된 반응성 상부 전극을 포함하고, 상기 스위칭층은 상기 스위칭층에 형성되는 산소 공공의 양이 최대로 되도록 고압 수소 열처리된 구성을 마련하여, 충분한 양의 산소 공공을 상부 반응성 전극의 공정조건과 무관하게 형성할 수 있고, 이로 인해 상부 반응성 전극에 잔존하는 산소문제도 해결할 수 있다.

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Номер записи: 9
08-09-2022 дата публикации

고속 냉각 고압 챔버

Номер: KR102441994B1
Автор: 임근영
Принадлежит: 주식회사 에이치피에스피

... 본 발명은 공정 처리를 냉각 효율을 높이기는 반도체 기판 처리용 챔버이다. 이러한 고속 냉각 고압 챔버는 반도체 처리용 제1가스를 대기압보다는 높은 제1압력으로 유지하는 내부챔버, 중공형 형상으로 형성되며 내부 벽면에 삽입된 히터를 포함하고 내부의 수용공간에 내부챔버를 수용하며 제2가스로 채워지며 제2가스를 제1압력의 이상의 압력으로 유지하는 외부챔버, 적어도 하나의 배출홀이 형성되어 외부챔버의 상단에 개폐 가능하게 설치된 외부챔버도어, 외부챔버의 상단에 설치되는 하우징부, 내부에 유체가 흐르며 외부챔버도어와 이격되어 하우징부의 내주면 고정되는 수냉커버부 및 내부챔버의 하단에 설치되어, 고리 형상으로 형성되며 일면에 질소유입홀이 형성되고 일측면에 퍼징홀이 형성된 테두리모듈과 테두리모듈의 타단에 형성된 단턱모듈을 포함하여 외부의 질량유량계와 파이프로 연결되는 퍼징받침부를 포함한다.

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Номер записи: 10